Modélisation de structures d’interconnexions et de leur effet sur le fonctionnement des composants microélectroniques.

Abstract

Les interconnexions métalliques forment le principal moyen de transport de signaux électriques dans les circuits intégrés. Ils sont actuellement limités par la réduction de leur taille et la fréquence qui ne cesse d'augmenter. Des études montrent que le retard du signal dans un circuit intégré est lié à ses interconnexions. Les limitations sont encore plus accrues dans les technologies nanométriques et les effets indésirables non pris en compte par les concepteurs de circuits intégrés ne peuvent être ignorés en raison de la complexité du réseau d'interconnexion et de la fréquence de commutation de plus en plus élevée. Ce qui engendre un retard de propagation de signal plus élevé. Les résistances des pistes, les inductances des lignes et les capacités parasites interlignes des interconnexions ne cessent d'augmenter entrainant une augmentation considérable du bruit des signaux d'information. Afin d'assurer la compatibilité électromagnétique au niveau du circuit intégré, une réduction efficace des sources de bruits et des origines des perturbations s'avèrent nécessaire. Dans ce contexte, ce travail de thèse a pour objectif la modélisation des phénomènes électromagnétiques et plus concrètement les effets parasites entre les lignes d'un réseau d'interconnexions au sein de circuit intégrés avec comme objectif la prédiction des éventuels problèmes de compatibilité électromagnétique (CEM) de ces circuits intégrés.