Etude des Chalcogénures de métaux de transition (MoS2, WS2, MoSe2, WSe2) en couches minces pour des applications photovoltaïques

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Date

2016-05-23

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Publisher

Université Mouloud Mammeri

Abstract

Cette thèse a pour objet l’étude des propriétés électroniques et structurales des chalcogénures de métaux de transition MX2 (MoS2, WS2, MoSe2, WSe2) sous forme de couches minces pour des applications photovaltaiques. Nous nous sommes tout d’abord intéressés à l’étude de ces matériaux sous leurs formes monocristallines (massive), nanoparticules et nanotubes. Nous avons montré que tous ces matériaux présentent des caractéristiques optiques et électroniques très intéressantes qui les rendent attractifs pour des applications photovoltaïques. Ils sont des semi-conducteurs lamellaires caractérisés par une bande d’énergie interdite indirecte et des transitions directes avec un coefficient d’absorption très important. Nous avons présentés aussi les différentes techniques de leurs élaborations et caractérisation sous forme de couches minces. Nous nous sommes ensuite intéressés aux couches minces de ces matériaux. Nous avons étudié l’influence du confinement quantique sur leurs structures électroniques. Leur principale caractéristique est la variation du gap électronique en fonction de l’épaisseur des couches. Ils deviennent tous des semi-conducteurs à gap direct sous forme de monocouches. L’étude spectroscopique Raman et photoluminescence ont permis la détermination des différentes propriétés optiques et optoélectroniques de ces matériaux.

Description

89 f. ill. +cd

Keywords

Semi-conducteurs, Chalcogénures, Couches minces, Photovoltaïque, Métaux de transition, MoS2, WS2, WSe2, MoSe2

Citation

Option : Microélectronique