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Elaboration de l'oxyde de vanadium V2 O5 par APCVD : Application photovoltaîque

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pdf (3.389Mb)
Date
2011-06-30
Author
Ferhati fariza
Metadata
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Abstract
Les technologies basées sur l'exploitation des propriétés spécifiques des couches, dites minces, se sont fortement développées à la fin du 20ème siècle et sont devenues l'une des voies les plus importantes de progrès tant en ce qui concerne la compréhension théorique des propriétés de la matière condensée que la miniaturisation ou le développement de nouveaux dispositifs, dont la réalisation ne pourrait se faire sans cette technologie. Le V2O5 est un matériau relativement facile à déposer ; il est considéré parmi les matériaux les plus intéressants du point de vue propriétés physico-chimique, électriques et optiques. Son champ d’applications est très vaste; on le retrouve dans des domaines diversifiés : comme matériau électrochimique, le V2O5 est utilisé pour fabriquer des dispositifs différents, tels que les piles au lithium de grande capacité et des systèmes d'affichage. Dans le domaine optoélectroniques, V2O5 joue un rôle important dans l'amélioration de la performance du détecteur infrarouge, anode dans les diodes électroluminescentes organiques et comme fenêtre optique pour les cellules photovoltaïques. En outre, V2O5 peut également être utilisé comme une catalyse et un matériau de détection dans les capteurs à gaz. C’est dans ce stimulant contexte que les procédés de déposition des films en oxyde de vanadium sont l’objet de nombreuses recherches. Plusieurs techniques sont utilisées, on cite l’évaporation sous vide, la pulvérisation cathodique, les méthodes chimiques telles que : le dépôt en phase vapeur CVD, spray pyrolyse et sol-gel. L'objectif de ce travail porte sur l'élaboration et la caractérisation des couches minces d’oxyde de vanadium par une technique simple et bon marché en l'occurrence la méthode de dépôt chimique en phase vapeur sous pression atmosphérique (APCVD). L’avantage de cette technique est le fait que les dépôts s’effectuent à l’air, ce qui réduit le coût de sa mise en oeuvre, relativement aux techniques qui utilisent un vide ; ceci facilite son intégration dans les milieux industriels.
URI
https://www.ummto.dz/dspace/handle/ummto/618
Collections
  • Département d'Electronique [67]

  • Université Mouloud MAMMERI T-O
Adresse Universite Mouloud MAMMERI Tizi-Ouzou 15000 Algerie
 

 


  • Université Mouloud MAMMERI T-O
Adresse Universite Mouloud MAMMERI Tizi-Ouzou 15000 Algerie