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dc.contributor.authorBouchene Lynda
dc.contributor.authorChertouk Mourad
dc.contributor.otherNemmar Farida Ép. Belhocine
dc.date.accessioned2019-11-12T10:56:29Z
dc.date.available2019-11-12T10:56:29Z
dc.date.issued2018
dc.identifier.citationMicro- Electronique
dc.identifier.otherMAST.ELN.51-18en
dc.identifier.urihttps://www.ummto.dz/dspace/handle/ummto/6497
dc.description47 f. : ill. ; 30 cm. (+ CD-Rom)en
dc.description.abstractLe capteur de champ magnétique à effet hall fait partie des capteurs intégré, il permet la mesure de champ magnétique avec une grande résolution. L’objectif principal de ce travail est de déterminé les paramètres de conception du capteur à effet hall pour une technologie de 1µmétre et une sensibilité de 13V/T, afin faire la conception et la simulation de ce dernier par le simulateur SILVACO et le dessin de masque sur logiciel CADENCE pour bien comprendre le comportement de ce capteur et son principe de fonctionnement. On a fait aussi une partie théorique contenant des généralités et de notions de base sur les capteurs de champ magnétique. La conception et la simulation nous a permis de définir les différentes étapes de fabrication de capteur à effet hall.en
dc.language.isofren
dc.publisherUniversité Mouloud Mammerien
dc.subjectCapteuren
dc.subjectEffet hallen
dc.subjectSimulateuren
dc.subjectTechnologie CMOSen
dc.subjectMagnétomètresen
dc.subjectSILVACOen
dc.titleConception et simulation d’un capteur de champ magnétique à effet Hall compatible avec la technologie CMOSen
dc.typeThesisen


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