Utilisation de dioxyde d'étain SnO2 de Zinc ZnO comme couche antireflet pour une cellule solaire à base silicium.

Abstract

Au cours de ce travail, nous avons étudier l’utilisation des TCOs (Oxyde Transparents Conducteur), (le dioxyde d’étain SnO2 et l’oxyde de zinc ZnO ) comme couche antireflet pour une cellule solaire à base de silicium, aussi leurs bonne conductivité électrique combinée à une transparence élevée nous permet de les utilisés comme électrode transparente. Afin d’optimiser l’influence de ces couches, soit de SnO2 ou de ZnO sur les paramètres de la cellule [Si(N++)-Si(P)], on a utilisé une simulation numérique à une dimension PC1D, on tenant compte des variations de la réflexion, l’épaisseur et le dopage de ces couches. En effet les résultats de la simulation montrent que ces paramètres jouent un rôle primordial dans les performances de la cellule, d’après une comparaison entre les trois cellules [Si(N++)-Si(P)], [SnO2 -Si(N++)-Si(P)], [ZnO-Si(N++)-Si(P)], l’utilisation de couche antireflet à la surface de la cellule homo-jonction apporte une amélioration importante sur ces paramètres à savoir le courant de court circuit (Icc) qui augmente de 0.0088 A et l’augmentation du rendement de 4.4 % pour la couche antireflet SnO2, et de 4.5 % pour la couche antireflet ZnO. Ces résultats montrent aussi que la cellule [ ZnO-Si(N++)-Si(P) ] de (17.3 %) à un bon rendement que la cellule [SnO2-Si(N++)-Si(P)] (17.2 %) .