Conception D’un transistor MOS SOI

Abstract

De nouvelles approches sont nécessaires afin de continuer la réduction de la longueur de canal. Les structures et technologies silicium sur isolant (SOI) qui sont mise en en évidence dans les années 1960-1970 pour satisfaire la demande de circuits intégrés immunisés aux irradiations ionisantes.et multi-grilles (MUG-FET) apparaissent aujourd’hui comme les approches les plus prometteuses pour la fabrication de circuits intégrés à basse consommation, haute fréquence à des hautes ou basses températures. Dans mon mémoire tout court une présentation de transistor à effet de champs(MOSFET) sur substrat silicium massif.et son principe de fonctionnement, et son évolution, ainsi que les problèmes engendrés par sa miniaturisation (les effets de la miniaturisation. Puis une solutions s les solutions technologiques possibles pour répondre à ces problèmes. c’est la technologie MOS SOI (Silicon OnInsulator ). Nous y présentons ses avantages par rapport aux technologies CMOS sur substrat massif, puis les principales techniques de réalisation des substrats SOI. un aperçu des différentes architectures multi-grille alternatives, la comparaison des caractéristiques électriques de deux structures FD SOI et PD SOI, avec ATLAS SILVACO. MoTs-CLEs