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dc.contributor.authorChabbi Taous
dc.contributor.otherLakhlef Ahcene
dc.date.accessioned2019-11-12T12:59:19Z
dc.date.available2019-11-12T12:59:19Z
dc.date.issued2014
dc.identifier.citationGénie Microélectronique
dc.identifier.otherMAST.AUTO.45-14en
dc.identifier.urihttps://www.ummto.dz/dspace/handle/ummto/7449
dc.description71 f. : ill. ; 30 cm. (+ CD-Rom)en
dc.description.abstractLa fiabilité des transistors est devenue une des préoccupations principales des fabricants de circuits intégrés. La réduction des dimensions de ces transistors fait apparaitre des effets néfastes au bon fonctionnement des composants électroniques. L’objectif de ce travail est de réaliser une étude en fiabilité du transistor MOS SOI, cependant une caractérisation à été faite afin de prouver la dégradation des paramètres, ce qui implique une augmentation de la défaillance et la réduction de la durée de vie. Mots-clésen
dc.language.isofren
dc.publisherUniversité Mouloud Mammerien
dc.subjectFiabilitéen
dc.subjectTransistor MOSen
dc.subjectOxydeen
dc.subjectDégradationen
dc.subjectSOIen
dc.titleEtude en fiabilité du transistor MOS SOIen
dc.typeThesisen


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