L’étude de l’intégration en substrat SC des matériaux III-V
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Date
2017
Authors
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Publisher
Université Mouloud Mammeri
Abstract
C'est la fin d'une époque. Une époque où la puissance de calcul des processeurs qui font marcher nos ordinateurs et smartphones et qui a permis un boom technologique et économique sans précédent. 2016 signera en effet la fin de la loi de Moore, Une loi qui affirme que le nombre de transistors, l'élément principal qui compose les processeurs, double tous les deux ans qui avec eux double également la puissance de nos appareils. Mais si cette époque bénie prend fin, cela ne veut pas dire que la technologie va stagner, loin de là. Cet arrêt pourrait même être une bonne chose pour notre avenir technologique. Et l’industrie de la micro-électronique ne cesse de courir derrière de nouvelles solution et l’intégration des matériaux III-V sur substrat semi-conducteur en est une solution et ce dernier représente l’intérêt de notre étude effectuée dans ce modeste travail. Et pour ce j’ai répartie mon travail en trois parties essentielles, le premier chapitre représente des généralités sur les matériaux et l’intégration en microélectronique ; dans cette partie j’ai effectué en premier lieu l’étude sur la technologie MOS vue que cette dernière est une superposition de métal et d’oxyde avec un semi conducteur afin de faire une introduction au milieux matériels pour arriver à parler sur l’étude de l’intégration et d’oxydation du silicium. Dans la deuxième partie j’ai fait toute une étude sur les matériaux III-V en commençons de leurs différentes propriétés J'usqu'à leurs intégration en passant par leurs défi de leurs épitaxies sur silicium. Dans le troisième chapitre j’ai parlé sur les composants qu’on peut fabriquer à base des matériaux III-V en passants par les technologies micro-électroniques nécessaires pour cette fabrication, et enfin les domaines d’applications des matériaux III-V dans notre vie.
Description
72 f. : ill. ; 30 cm. (+ CD-Rom)
Keywords
Lithographie, Gravure, Dessins de masques, Dopage, Métallisation, Propriétés géométriques et électriques, Oxydation, Ingénierie de gap « band gap engineering »
Citation
Génie Microélectronique