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dc.contributor.authorBelmadi Mohamed
dc.contributor.otherBenfdila Arezki
dc.date.accessioned2019-11-12T13:04:23Z
dc.date.available2019-11-12T13:04:23Z
dc.date.issued2016
dc.identifier.citationGénie Microélectronique
dc.identifier.otherMAST.AUTO.06-16en
dc.identifier.urihttps://www.ummto.dz/dspace/handle/ummto/7682
dc.description66 f. : ill. ; 30 cm. (+ CD-Rom)en
dc.description.abstractLe résume de ce mini-projet s'inscrit dans le cadre d'une étude sur l'intégration sur silicium. L'intérêt est de maîtriser l'épitaxie d'oxydes sur silicium, qui serait une brique technologique essentielle pour pouvoir développer des filières d'intégration des semi-conducteurs III-V, principalement le GaAs (arséniure de gallium) et consiste également à étudie la fabrication, dépôt et lithographie de ces matériaux composés de la colonne III (bore , gallium , aluminium , indium...etc. ) et de la colonne V ( arsénié , antimoine , phosphore ... etc. ) du tableaux périodique. Enfin, on termine ce mini projet avec une conclusion générale et perspective.en
dc.language.isofren
dc.publisherUniversité Mouloud Mammerien
dc.subjectSemi conducteurs III-Ven
dc.subjectTransistorsen
dc.subjectMOSFETen
dc.subjectTableaux périodique de Mendeleïev.en
dc.titleTechnologie et integration en semi conducteurs III-Ven
dc.typeThesisen


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