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Titre : Modélisation des systèmes complexes [Texte imprimé] : application à la conception automobile Type de document : texte imprime Auteurs : Emmanuel Grunn ; Anh-Tuan Pham Editeur : Paris : Hermès - Lavoisier Année de publication : 2009 Importance : 272 p. Présentation : ill Format : 24 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7462-2377-6 Note générale : Bibliogr. p. 265-267. Index Langues : Français Mots-clés : Automobiles :conception et construction :modèles mathématiques Ingénierie des systèmes :simulation par ordinateur Systèmes non linéaires Modélisation tridimensionnelle Résumé :
Après avoir décrit la modélisation des systèmes complexes (spécifications, équations différentielles, programmation et validation), cet ouvrage analyse en détail le cas d'un véhicule automobile. Il donne au lecteur les outils nécessaires, notamment les équations dynamiques physiques du véhicule, les forces et moments extérieurs, les programmes et les tests de validation, pour l'étude et le développement d'un véhicule ainsi que de ses sous-ensembles (commandes évoluées, motorisation, ESP, etc.).
Cet ouvrage s'adresse à toute personne s'intéressant aux progrès techniques récents dans les domaines de la modélisation et de l'automobile, aux ingénieurs en sciences de la mécanique ou de l'automobile et enfin, à tous ceux désirant prendre part à la conception d'un véhicule d'usage privé ou de compétition.Note de contenu :
Modélisation analytique 0D
Méthodologie de modélisation
Exemples académiques
Dynamique automobile
Estimation de la complexité du modèle dynamique automobile
Modélisation 0D
Détermination des paramètres
Programmation
Validation
Étude et caractérisation d'organes automobile
Étude de marché (marketing suivi de la prise de décision pour le développement d'un véhicule dans un segment donné parmi les six segments des véhicules de tourisme)
Étude de style
Phase de pré-étude (ou études avancées )
Phases d'une étude en dynamique du véhicule
Exemple sur un véhicule
Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=9577 Modélisation des systèmes complexes [Texte imprimé] : application à la conception automobile [texte imprime] / Emmanuel Grunn ; Anh-Tuan Pham . - Paris : Hermès - Lavoisier, 2009 . - 272 p. : ill ; 24 cm.
ISBN : 978-2-7462-2377-6
Bibliogr. p. 265-267. Index
Langues : Français
Mots-clés : Automobiles :conception et construction :modèles mathématiques Ingénierie des systèmes :simulation par ordinateur Systèmes non linéaires Modélisation tridimensionnelle Résumé :
Après avoir décrit la modélisation des systèmes complexes (spécifications, équations différentielles, programmation et validation), cet ouvrage analyse en détail le cas d'un véhicule automobile. Il donne au lecteur les outils nécessaires, notamment les équations dynamiques physiques du véhicule, les forces et moments extérieurs, les programmes et les tests de validation, pour l'étude et le développement d'un véhicule ainsi que de ses sous-ensembles (commandes évoluées, motorisation, ESP, etc.).
Cet ouvrage s'adresse à toute personne s'intéressant aux progrès techniques récents dans les domaines de la modélisation et de l'automobile, aux ingénieurs en sciences de la mécanique ou de l'automobile et enfin, à tous ceux désirant prendre part à la conception d'un véhicule d'usage privé ou de compétition.Note de contenu :
Modélisation analytique 0D
Méthodologie de modélisation
Exemples académiques
Dynamique automobile
Estimation de la complexité du modèle dynamique automobile
Modélisation 0D
Détermination des paramètres
Programmation
Validation
Étude et caractérisation d'organes automobile
Étude de marché (marketing suivi de la prise de décision pour le développement d'un véhicule dans un segment donné parmi les six segments des véhicules de tourisme)
Étude de style
Phase de pré-étude (ou études avancées )
Phases d'une étude en dynamique du véhicule
Exemple sur un véhicule
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Asservissement visuel Iratni, Salim Technique de seuillage flou d'images Farez, Abderezak Modélisation des systémes dynamiques par l'outil bond graph Hamri, Hakima Aucun avis, veuillez vous identifier pour ajouter le vôtre !
Titre : La nanolithographie Type de document : texte imprime Auteurs : Stefan Landis, Directeur de publication, rédacteur en chef Editeur : Paris : Hermès - Lavoisier Année de publication : cop. 2010 Collection : Traité EGEM Importance : (351-VI p.) Présentation : ill. Format : 24 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7462-2446-9 Note générale : Trad. sous le titre : "Nano-lithography"
Bibliogr. en fin de chapitres. Notes bibliogr. IndexLangues : Français Mots-clés : Lithographie par faisceau d'électrons Lithographie par rayons X Lithographie:mesure Plasmons Copolymères Index. décimale : 621.381 Résumé : Alors que le nano-monde s'ouvre à nous, les chercheurs ont disposés ces dernières années d'un magnifique terrain de jeu pour mettre au point de nouvelles technologies destinées à façonner cet espace des nanos. Au delà des défis scientifiques qu'elles représentent, elles apparaissent comme indispensables pour transposer la miniaturisation opérée pour la micro-électronique dans d'autres champs applicatifs, laissant entrevoir l'émergence de nouvelles fonctionnalités. Bien plus qu'un recueil d'articles, cet ouvrage aborde aussi bien les principes physiques que les enjeux techniques et scientifiques de ces principales approches alternatives de nano-lithographie.
Destinés aux ingénieurs et chercheurs novices, cet ouvrage permettra également aux lecteurs plus expérimentés de parfaire leurs connaissances surNote de contenu :
Préface. Les imagiciens. L'alchimie de la représentation des origines à la nanosphère 15
Jörge de Sousa Noronha
Introduction. Enjeux de la lithographie 21
Michel Brillouët
Chapitre 1. Lithographie par rayons X : fondamentaux et applications 31
Gianluca Grenci, Benedetta Marmiroli, Filippo Romanato et Massimo Tormen
1.1. Introduction 31
1.2. Le principe de la lithographie par rayons X 35
1.2.1. Système d'exposition pour la XRL 37
1.2.2. Les propriétés du rayonnement synchrotron 40
1.2.3. XRL profonde et à haute résolution 43
1.2.4. Exemples de lignes de lumière à rayons X 43
1.2.5. Scanner (photorépéteur à balayage)/photorépéteur 48
1.2.6. Le masque 49
1.3. La physique de la lithographie par rayons X 56
1.3.1. Comment les valeurs de phase et d'intensité peuvent-elles être diminuées par l'interaction avec la matière ? 56
1.3.2. La lithographie par rayons X : une technique d'impression par transfert d'ombres 60
1.3.3. Absorption des rayons X dans la résine et mécanismes physiques de son exposition 63
1.3.4. Modèle physique de la perte d'énergie dans les résines 68
1.3.5. Les effets de la diffraction pour la lithographie par rayons X 73
1.3.6. Cohérence du rayonnement synchrotron par les dispositifs d'aimants de courbure 74
1.3.7. Formulation de base de la théorie de diffraction dans un champ scalaire 77
1.3.8. Formulation de Rayleigh-Sommerfeld pour la diffraction sur un écran planaire 80
1.3.9. Un exemple des effets de diffraction : le point de Poisson en lithographie par rayons X 83
1.4. Applications 87
1.4.1. Gamme optimale d'énergie de photon pour la lithographie par rayons X à haute résolution et par rayons X profonds 88
1.4.2. Effets de la diffraction de la lithographie de proximité 88
1.4.3. Nanostructures tridimensionnelles à haute résolution 94
1.4.4. Micro-usinage et procédé LIGA 99
1.5. Annexe 113
1.6. Bibliographie 113
Chapitre 2. Lithographie par nano-impression 121
Stefan Landis
2.1. De l'impression vers la nano-impression 121
2.2. La nano-impression en quelques mots 125
2.3. La fabrication du moule 131
2.4. La séparation du moule et de la résine après l'impression : le démoulage 136
2.4.1. La problématique 136
2.4.2. Adhésion et adhérence 138
2.4.3. Adhésion et propriété physico-chimique de surface 139
2.4.4. Le traitement de surface du moule 144
2.4.5. Le traitement de la résine 150
2.4.6. La caractérisation du démoulage 151
2.5. La problématique de l'épaisseur résiduelle en nano-impression 155
2.5.1. L'épaisseur résiduelle : une spécificité de la lithographie par nano-impression 155
2.5.2. Peut-on prédire la valeur de l'épaisseur résiduelle ? 156
2.5.3. Comment le procédé peut-il impacter la valeur de l'épaisseur résiduelle ? 163
2.6. Métrologie associée à la mesure de l'épaisseur résiduelle 170
2.6.1. Approche macroscopique : correspondance entre la couleur du film et son épaisseur 172
2.6.2. Approche microscopique 174
2.7. Quelques remarques sur le comportement mécanique du moule et les propriétés d'écoulement de la résine au cours du procédé de nano-impression 186
2.8. Conclusion 195
2.9. Bibliographie 196
Chapitre 3. Techniques lithographiques par microscopie à sonde locale 207
Vincent Bouchiat
3.1. Introduction 207
3.2. Présentation des microscopies à sonde locale 208
3.3. Principes généraux de la lithographie à sonde locale 209
3.4. Classification des techniques de structuration de surface par microscopies à sonde locale 210
3.4.1. Classification selon la nature physique de l'interaction 212
3.4.2. Comparaison avec les techniques concurrentes de lithographie avancées 212
3.4.3. Perspectives de développement industriel 215
3.5. Techniques lithographiques par réalisation d'un masque en résine polymère 216
3.5.1. Insolation de résine polymère par faisceau d'électrons 217
3.5.2. Développements de résines dédiées pour la nanolithographie AFM 218
3.5.3. Lithographie par indentation mécanique 219
3.6. Techniques lithographiques par interaction d'oxydoréduction 222
3.6.1. Fabrication directe par dépôt de matière induite par microscopie STM 222
3.6.2. Anodisation locale sous la pointe d'un AFM 225
3.7. Techniques lithographiques «passives» 235
3.7.1. Lithographie par pointe encreuse (dip-pen) 235
3.7.2. Technique par alignement d'un masque mécanique (stencil mask) 236
3.8. Conclusions et perspectives 237
3.9. Bibliographie 238
Chapitre 4. Lithographie et manipulation basées sur l'optique des nanostructures métalliques 243
Renaud Bachelot et Marianne Consonni
4.1. Introduction 243
4.2. Plasmons de surface 244
4.2.1. Rappel sur les plasmons de volume : définition 244
4.2.2. Plasmons de surface délocalisés 245
4.2.3. Plasmons de surface localisés 248
4.2.4. Application à la lithographie 251
4.3. Lithographie optique à plasmons localisés 252
4.3.1. Lithographie en champ proche par effet de pointe optique 252
4.3.2. Utilisation des résonances des nanoparticules 256
4.4. Lithographie optique à plasmons de surface délocalisés 258
4.4.1. Couplage entre nanostructures et plasmons de surface délocalisés 258
4.4.2. Lancement de plasmons de surface et interférences 259
4.5. Conclusions, discussions et perspectives 261
4.6. Bibliographie 262
Chapitre 5. Transfert de motifs par des procédés d'auto-assemblage 267
Claire Agrafeil, Karim Aissou, Thierry Baron, Martin Kogelschatz et Alina Pascale
5.1. Les copolymères à blocs : une technique nanolithographique de demain ? 267
5.2. Contrôle de l'auto-organisation des films de copolymères à blocs 269
5.3. Applications techniques des films de copolymères à blocs 273
5.4. Bibliographie 278
Chapitre 6. Métrologie pour la lithographie 281
Johann Foucher et Jérôme Hazart
6.1. Introduction 281
6.2. Notions de métrologie CD 282
6.2.1. L'étape de métrologie CD après une étape de lithographie 282
6.2.2. Quels sont les besoins métrologiques lors d'une étape de lithographie ? 283
6.3. La microscopie électronique à balayage (MEB) 286
6.3.1. Principe d'un SEM 286
6.3.2. Interactions électron-matière 290
6.3.3. Du signal à la mesure quantifiée 294
6.3.4. Conclusion partielle sur la microscopie électronique à balayage 297
6.4. La microscopie à force atomique tridimensionnelle (AFM3D) 298
6.4.1. Principe d'un AFM 298
6.4.2. Particularités de l'AFM tridimensionnel (AFM3D) 306
6.4.3. Conclusion partielle sur l'AFM3D 313
6.5. La diffractométrie optique de réseaux (ou scattérométrie) 314
6.5.1. Principe 316
6.5.2. Un exemple : caractérisation par ellipsométrie de la lithographie après développement 319
6.5.3. Avantages et inconvénients 326
6.5.4. Analyse des mesures optiques 326
6.5.5. Les spécificités de la métrologie CD par scattérométrie 334
6.5.6. Implémentation de la scattérométrie : R&D versus production 336
6.5.7. Les nouveaux champs de la scattérométrie 339
6.6. Quelle technique est la plus adaptée à la lithographie ? 339
6.6.1. Corrélation de techniques 340
6.6.2. Calibrage de techniques 340
6.6.3. Développement de procédé 342
6.6.4. Evaluation de dégradations morphologiques engendrées par le faisceau d'électrons primaires d'un CD-SEM 342
6.7. Bibliographie 344
IndexPermalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=10962 La nanolithographie [texte imprime] / Stefan Landis, Directeur de publication, rédacteur en chef . - Paris : Hermès - Lavoisier, cop. 2010 . - (351-VI p.) : ill. ; 24 cm. - (Traité EGEM) .
ISBN : 978-2-7462-2446-9
Trad. sous le titre : "Nano-lithography"
Bibliogr. en fin de chapitres. Notes bibliogr. Index
Langues : Français
Mots-clés : Lithographie par faisceau d'électrons Lithographie par rayons X Lithographie:mesure Plasmons Copolymères Index. décimale : 621.381 Résumé : Alors que le nano-monde s'ouvre à nous, les chercheurs ont disposés ces dernières années d'un magnifique terrain de jeu pour mettre au point de nouvelles technologies destinées à façonner cet espace des nanos. Au delà des défis scientifiques qu'elles représentent, elles apparaissent comme indispensables pour transposer la miniaturisation opérée pour la micro-électronique dans d'autres champs applicatifs, laissant entrevoir l'émergence de nouvelles fonctionnalités. Bien plus qu'un recueil d'articles, cet ouvrage aborde aussi bien les principes physiques que les enjeux techniques et scientifiques de ces principales approches alternatives de nano-lithographie.
Destinés aux ingénieurs et chercheurs novices, cet ouvrage permettra également aux lecteurs plus expérimentés de parfaire leurs connaissances surNote de contenu :
Préface. Les imagiciens. L'alchimie de la représentation des origines à la nanosphère 15
Jörge de Sousa Noronha
Introduction. Enjeux de la lithographie 21
Michel Brillouët
Chapitre 1. Lithographie par rayons X : fondamentaux et applications 31
Gianluca Grenci, Benedetta Marmiroli, Filippo Romanato et Massimo Tormen
1.1. Introduction 31
1.2. Le principe de la lithographie par rayons X 35
1.2.1. Système d'exposition pour la XRL 37
1.2.2. Les propriétés du rayonnement synchrotron 40
1.2.3. XRL profonde et à haute résolution 43
1.2.4. Exemples de lignes de lumière à rayons X 43
1.2.5. Scanner (photorépéteur à balayage)/photorépéteur 48
1.2.6. Le masque 49
1.3. La physique de la lithographie par rayons X 56
1.3.1. Comment les valeurs de phase et d'intensité peuvent-elles être diminuées par l'interaction avec la matière ? 56
1.3.2. La lithographie par rayons X : une technique d'impression par transfert d'ombres 60
1.3.3. Absorption des rayons X dans la résine et mécanismes physiques de son exposition 63
1.3.4. Modèle physique de la perte d'énergie dans les résines 68
1.3.5. Les effets de la diffraction pour la lithographie par rayons X 73
1.3.6. Cohérence du rayonnement synchrotron par les dispositifs d'aimants de courbure 74
1.3.7. Formulation de base de la théorie de diffraction dans un champ scalaire 77
1.3.8. Formulation de Rayleigh-Sommerfeld pour la diffraction sur un écran planaire 80
1.3.9. Un exemple des effets de diffraction : le point de Poisson en lithographie par rayons X 83
1.4. Applications 87
1.4.1. Gamme optimale d'énergie de photon pour la lithographie par rayons X à haute résolution et par rayons X profonds 88
1.4.2. Effets de la diffraction de la lithographie de proximité 88
1.4.3. Nanostructures tridimensionnelles à haute résolution 94
1.4.4. Micro-usinage et procédé LIGA 99
1.5. Annexe 113
1.6. Bibliographie 113
Chapitre 2. Lithographie par nano-impression 121
Stefan Landis
2.1. De l'impression vers la nano-impression 121
2.2. La nano-impression en quelques mots 125
2.3. La fabrication du moule 131
2.4. La séparation du moule et de la résine après l'impression : le démoulage 136
2.4.1. La problématique 136
2.4.2. Adhésion et adhérence 138
2.4.3. Adhésion et propriété physico-chimique de surface 139
2.4.4. Le traitement de surface du moule 144
2.4.5. Le traitement de la résine 150
2.4.6. La caractérisation du démoulage 151
2.5. La problématique de l'épaisseur résiduelle en nano-impression 155
2.5.1. L'épaisseur résiduelle : une spécificité de la lithographie par nano-impression 155
2.5.2. Peut-on prédire la valeur de l'épaisseur résiduelle ? 156
2.5.3. Comment le procédé peut-il impacter la valeur de l'épaisseur résiduelle ? 163
2.6. Métrologie associée à la mesure de l'épaisseur résiduelle 170
2.6.1. Approche macroscopique : correspondance entre la couleur du film et son épaisseur 172
2.6.2. Approche microscopique 174
2.7. Quelques remarques sur le comportement mécanique du moule et les propriétés d'écoulement de la résine au cours du procédé de nano-impression 186
2.8. Conclusion 195
2.9. Bibliographie 196
Chapitre 3. Techniques lithographiques par microscopie à sonde locale 207
Vincent Bouchiat
3.1. Introduction 207
3.2. Présentation des microscopies à sonde locale 208
3.3. Principes généraux de la lithographie à sonde locale 209
3.4. Classification des techniques de structuration de surface par microscopies à sonde locale 210
3.4.1. Classification selon la nature physique de l'interaction 212
3.4.2. Comparaison avec les techniques concurrentes de lithographie avancées 212
3.4.3. Perspectives de développement industriel 215
3.5. Techniques lithographiques par réalisation d'un masque en résine polymère 216
3.5.1. Insolation de résine polymère par faisceau d'électrons 217
3.5.2. Développements de résines dédiées pour la nanolithographie AFM 218
3.5.3. Lithographie par indentation mécanique 219
3.6. Techniques lithographiques par interaction d'oxydoréduction 222
3.6.1. Fabrication directe par dépôt de matière induite par microscopie STM 222
3.6.2. Anodisation locale sous la pointe d'un AFM 225
3.7. Techniques lithographiques «passives» 235
3.7.1. Lithographie par pointe encreuse (dip-pen) 235
3.7.2. Technique par alignement d'un masque mécanique (stencil mask) 236
3.8. Conclusions et perspectives 237
3.9. Bibliographie 238
Chapitre 4. Lithographie et manipulation basées sur l'optique des nanostructures métalliques 243
Renaud Bachelot et Marianne Consonni
4.1. Introduction 243
4.2. Plasmons de surface 244
4.2.1. Rappel sur les plasmons de volume : définition 244
4.2.2. Plasmons de surface délocalisés 245
4.2.3. Plasmons de surface localisés 248
4.2.4. Application à la lithographie 251
4.3. Lithographie optique à plasmons localisés 252
4.3.1. Lithographie en champ proche par effet de pointe optique 252
4.3.2. Utilisation des résonances des nanoparticules 256
4.4. Lithographie optique à plasmons de surface délocalisés 258
4.4.1. Couplage entre nanostructures et plasmons de surface délocalisés 258
4.4.2. Lancement de plasmons de surface et interférences 259
4.5. Conclusions, discussions et perspectives 261
4.6. Bibliographie 262
Chapitre 5. Transfert de motifs par des procédés d'auto-assemblage 267
Claire Agrafeil, Karim Aissou, Thierry Baron, Martin Kogelschatz et Alina Pascale
5.1. Les copolymères à blocs : une technique nanolithographique de demain ? 267
5.2. Contrôle de l'auto-organisation des films de copolymères à blocs 269
5.3. Applications techniques des films de copolymères à blocs 273
5.4. Bibliographie 278
Chapitre 6. Métrologie pour la lithographie 281
Johann Foucher et Jérôme Hazart
6.1. Introduction 281
6.2. Notions de métrologie CD 282
6.2.1. L'étape de métrologie CD après une étape de lithographie 282
6.2.2. Quels sont les besoins métrologiques lors d'une étape de lithographie ? 283
6.3. La microscopie électronique à balayage (MEB) 286
6.3.1. Principe d'un SEM 286
6.3.2. Interactions électron-matière 290
6.3.3. Du signal à la mesure quantifiée 294
6.3.4. Conclusion partielle sur la microscopie électronique à balayage 297
6.4. La microscopie à force atomique tridimensionnelle (AFM3D) 298
6.4.1. Principe d'un AFM 298
6.4.2. Particularités de l'AFM tridimensionnel (AFM3D) 306
6.4.3. Conclusion partielle sur l'AFM3D 313
6.5. La diffractométrie optique de réseaux (ou scattérométrie) 314
6.5.1. Principe 316
6.5.2. Un exemple : caractérisation par ellipsométrie de la lithographie après développement 319
6.5.3. Avantages et inconvénients 326
6.5.4. Analyse des mesures optiques 326
6.5.5. Les spécificités de la métrologie CD par scattérométrie 334
6.5.6. Implémentation de la scattérométrie : R&D versus production 336
6.5.7. Les nouveaux champs de la scattérométrie 339
6.6. Quelle technique est la plus adaptée à la lithographie ? 339
6.6.1. Corrélation de techniques 340
6.6.2. Calibrage de techniques 340
6.6.3. Développement de procédé 342
6.6.4. Evaluation de dégradations morphologiques engendrées par le faisceau d'électrons primaires d'un CD-SEM 342
6.7. Bibliographie 344
IndexPermalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=10962 Réservation
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité EG237/1 EG237 Livre Magasin d'Ouvrages / FGE Electronique générale Consultation sur place
Exclu du prêtEG237/2 EG237 Livre Magasin d'Ouvrages / FGE Electronique générale Disponible EG237/3 EG237 Livre Magasin d'Ouvrages / FGE Electronique générale Disponible Aucun avis, veuillez vous identifier pour ajouter le vôtre !
Titre : Les Réseaux électriques industriels .Tome 2 Type de document : texte imprime Auteurs : Ch. Prévé Editeur : Paris : Hermès - Lavoisier Année de publication : impr. 2005, cop. 2005 Importance : 222 p. Présentation : ill. Format : 24 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7462-1103-2 Note générale : La couv. porte en plus : "collection dirigée par Jean-Claude Sabonnadière" Langues : Français Mots-clés : Réseaux électriques (circuits) Réseaux électriques (énergie) Réseaux électriques (énergie):régulation Électronique de puissance Index. décimale : 621.319 Résumé : Cet ouvrage en deux volumes contient les informations théoriques et pratiques permettant de concevoir un réseau électrique industriel et de comprendre les phénomènes qui se produisent dans ce réseau. Il constitue un outil de travail pour un ingénieur ou un technicien d'études, et un support de connaissances pour un technico-commercial, un marketeur. Il explique la méthodologie de conception d'un réseau électrique à partir du recueil des données : conditions d'environnement, attachement géographique ou fonctionnel des récepteurs, caractéristiques électriques des récepteurs, perturbations générées ou tolérées, conditions de fonctionnement, extensions futures du réseau. Ensuite, il décrit le choix de l'architecture du réseau, le choix des régimes de neutre, la détermination des sections de conducteurs, la compensation de l'énergie réactive, l'étude des harmoniques, l'étude stabilité de dynamique du réseau. Un exemple d'application concret permet de bien comprendre la mise en oeuvre de cette méthodologie Note de contenu : La compensation de l'énergie réactive.
Intérêts de la compensation d'énergie réactive.
Emplacement des condensateurs.
Détermination de la puissance de compensation par rapport à la facture d'énergie.
Compensation aux bornes d'un transformateur pour accroître sa puissance disponible.
Compensation des moteurs asynchrones.
Recherche de la compensation optimale.
Les harmoniques. Notions de base.
Effets des harmoniques sur l'appareillage électrique et règles d'utilisation.
Normes et réglementations.
Les moyens de se prémunir contre les perturbations harmoniques.
Stabilité dynamique des réseaux industriels. Causes d'instabilité.
Effets de l'instabilité.
Maîtrise de l'instabilité.
Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=11211 Les Réseaux électriques industriels .Tome 2 [texte imprime] / Ch. Prévé . - Paris : Hermès - Lavoisier, impr. 2005, cop. 2005 . - 222 p. : ill. ; 24 cm.
ISBN : 978-2-7462-1103-2
La couv. porte en plus : "collection dirigée par Jean-Claude Sabonnadière"
Langues : Français
Mots-clés : Réseaux électriques (circuits) Réseaux électriques (énergie) Réseaux électriques (énergie):régulation Électronique de puissance Index. décimale : 621.319 Résumé : Cet ouvrage en deux volumes contient les informations théoriques et pratiques permettant de concevoir un réseau électrique industriel et de comprendre les phénomènes qui se produisent dans ce réseau. Il constitue un outil de travail pour un ingénieur ou un technicien d'études, et un support de connaissances pour un technico-commercial, un marketeur. Il explique la méthodologie de conception d'un réseau électrique à partir du recueil des données : conditions d'environnement, attachement géographique ou fonctionnel des récepteurs, caractéristiques électriques des récepteurs, perturbations générées ou tolérées, conditions de fonctionnement, extensions futures du réseau. Ensuite, il décrit le choix de l'architecture du réseau, le choix des régimes de neutre, la détermination des sections de conducteurs, la compensation de l'énergie réactive, l'étude des harmoniques, l'étude stabilité de dynamique du réseau. Un exemple d'application concret permet de bien comprendre la mise en oeuvre de cette méthodologie Note de contenu : La compensation de l'énergie réactive.
Intérêts de la compensation d'énergie réactive.
Emplacement des condensateurs.
Détermination de la puissance de compensation par rapport à la facture d'énergie.
Compensation aux bornes d'un transformateur pour accroître sa puissance disponible.
Compensation des moteurs asynchrones.
Recherche de la compensation optimale.
Les harmoniques. Notions de base.
Effets des harmoniques sur l'appareillage électrique et règles d'utilisation.
Normes et réglementations.
Les moyens de se prémunir contre les perturbations harmoniques.
Stabilité dynamique des réseaux industriels. Causes d'instabilité.
Effets de l'instabilité.
Maîtrise de l'instabilité.
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité ELT132/T2/1 ELT132/T2 Livre Magasin d'Ouvrages / FGE Electrotechnique Consultation sur place
Exclu du prêtELT132/T2/2 ELT132/T2 Livre Magasin d'Ouvrages / FGE Electrotechnique Disponible ELT132/T2/3 ELT132/T2 Livre Magasin d'Ouvrages / FGE Electrotechnique Disponible ELT132/T2/4 ELT132/T2 Livre Magasin d'Ouvrages / FGE Electrotechnique Disponible ELT132/T2/5 ELT132/T2 Livre Magasin d'Ouvrages / FGE Electrotechnique Disponible Les abonnés qui ont emprunté ce document ont également emprunté :
Composants de l'électronique Grabowski, Bogdan Analyse des circuits électriques Alexander, Charles K. Perturbations harmoniques Félice, Eric Electrotechnique Wildi, Théodore Electronique de puissance Laroche, Jacques Les régimes de neutre et les schémas des liaisons à la terre Lambert, Michel Aucun avis, veuillez vous identifier pour ajouter le vôtre !
Titre : Combien? Mathématiques appliquées à l'informatique. Vol.3, Algorithmiques et théorie des graphes Type de document : texte imprime Auteurs : Pierre Audibert, Auteur Editeur : Paris : Hermès - Lavoisier Année de publication : impr. 2008, cop 2009 Importance : 286 p. Présentation : ill. Format : 24 cm ISBN/ISSN/EAN : 9782746222011 Note générale : Bibliogr. p. [277]-278. Index Langues : Français Mots-clés : Algorithmes Graphes,Théorie des Informatique:mathématiques Programmation (mathématiques) Index. décimale : 511.5 Résumé : Combien de façons de mélanger divers ingrédients, de chances de gagner à un jeu de hasard, de chemins possibles pour se rendre d'un point à un autre sur un réseau routier ? Autant de questions auxquelles Mathématiques appliquées à l'informatique répond. Cet ouvrage en 3 volumes s'adresse à tous ceux qui veulent s'initier aux théories combinatoires, sans oublier les étudiants de classes préparatoires et d'université. Des applications concrètes telles que le Sudoku et les moteurs de recherche sont présentées et accompagnées de traitements informatiques expérimentaux. À l'aide d'éléments théoriques de base et d'une multitude d'exemples, une montée progressive en puissance propose un aperçu de l'état de l'art en la matière. La mise en oeuvre de nombreux algorithmes et de programmes informatiques permet de confronter la théorie à l'expérience. Cette approche non conventionnelle de la combinatoire renforce l'originalité de cet ouvrage.
Note de contenu : Introduction au volume 3.
Chapitre 1. Graphes et cheminements.
Chapitre 2. Explorations dans les graphes.
Chapitre 3. Arbres à nœuds numérotés, théorème de Cayley et codage de Prüfer.
Chapitre 4. Arbres binaires.
Chapitre 5. Graphes pondérés : plus courts chemins et arbre couvrant minimal.
Chapitre 6. Cycles et chemins eulériens, arbres couvrants d'un graphe.
Chapitre 7. Énumération des arbres couvrants d'un graphe non orienté.
Chapitre 8. Énumération des chemins eulériens dans les graphes non orientés.
Chapitre 9. Chemins et circuits hamiltoniens.
Annexe 1. Matrices.
Annexe 2. Déterminants et combinatoire des cheminements.
Bibliographie. Index.Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=12721 Combien? Mathématiques appliquées à l'informatique. Vol.3, Algorithmiques et théorie des graphes [texte imprime] / Pierre Audibert, Auteur . - Paris : Hermès - Lavoisier, impr. 2008, cop 2009 . - 286 p. : ill. ; 24 cm.
ISSN : 9782746222011
Bibliogr. p. [277]-278. Index
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Mots-clés : Algorithmes Graphes,Théorie des Informatique:mathématiques Programmation (mathématiques) Index. décimale : 511.5 Résumé : Combien de façons de mélanger divers ingrédients, de chances de gagner à un jeu de hasard, de chemins possibles pour se rendre d'un point à un autre sur un réseau routier ? Autant de questions auxquelles Mathématiques appliquées à l'informatique répond. Cet ouvrage en 3 volumes s'adresse à tous ceux qui veulent s'initier aux théories combinatoires, sans oublier les étudiants de classes préparatoires et d'université. Des applications concrètes telles que le Sudoku et les moteurs de recherche sont présentées et accompagnées de traitements informatiques expérimentaux. À l'aide d'éléments théoriques de base et d'une multitude d'exemples, une montée progressive en puissance propose un aperçu de l'état de l'art en la matière. La mise en oeuvre de nombreux algorithmes et de programmes informatiques permet de confronter la théorie à l'expérience. Cette approche non conventionnelle de la combinatoire renforce l'originalité de cet ouvrage.
Note de contenu : Introduction au volume 3.
Chapitre 1. Graphes et cheminements.
Chapitre 2. Explorations dans les graphes.
Chapitre 3. Arbres à nœuds numérotés, théorème de Cayley et codage de Prüfer.
Chapitre 4. Arbres binaires.
Chapitre 5. Graphes pondérés : plus courts chemins et arbre couvrant minimal.
Chapitre 6. Cycles et chemins eulériens, arbres couvrants d'un graphe.
Chapitre 7. Énumération des arbres couvrants d'un graphe non orienté.
Chapitre 8. Énumération des chemins eulériens dans les graphes non orientés.
Chapitre 9. Chemins et circuits hamiltoniens.
Annexe 1. Matrices.
Annexe 2. Déterminants et combinatoire des cheminements.
Bibliographie. Index.Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=12721 Réservation
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MTH417/V3/1 MTH417/V3 Livre Magasin d'Ouvrages / FGE Mathématique Consultation sur place
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Titre : Combien? Mathématiques appliquées à l'informatique. Vol.2, Algorithmiques et théorie des probabilités Type de document : texte imprime Auteurs : Pierre Audibert Editeur : Paris : Hermès - Lavoisier Année de publication : impr. 2008, cop. 2009 Importance : 263 p. Présentation : ill. Format : 24 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7462-2201-4 Note générale : Bibliogr. p. [251]-252. Index Langues : Français Mots-clés : Algorithmes Probabilités Informatique:mathématiquesProgrammation (mathématiques) Index. décimale : 519.2 Résumé : Combien de façons de mélanger divers ingrédients, de chances de gagner à un jeu de hasard, de chemins possibles pour se rendre d'un point à un autre sur un réseau routier ? Autant de questions auxquelles Mathématiques appliquées à l'informatique répond. Cet ouvrage en 3 volumes s'adresse à tous ceux qui veulent s'initier aux théories combinatoires, sans oublier les étudiants de classes préparatoires et d'université. Des applications concrètes telles que le Sudoku et les moteurs de recherche sont présentées et accompagnées de traitements informatiques expérimentaux. À l'aide d'éléments théoriques de base et d'une multitude d'exemples, une montée progressive en puissance propose un aperçu de l'état de l'art en la matière. La mise en oeuvre de nombreux algorithmes et de programmes informatiques permet de confronter la théorie à l'expérience. Cette approche non conventionnelle de la combinatoire renforce l'originalité de cet ouvrage. Note de contenu : Introduction au volume 2.
Chapitre 1. Rappels sur les probabilités discrètes.
Chapitre 2. Le hasard et l'ordinateur.
Chapitre 3. Discret et continu.
Chapitre 4. Fonction génératrice associée à une variable aléatoire discrète dans un jeu.
Chapitre 5. Graphes et matrices pour le traitement de problèmes de probabilité.
Chapitre 6. Jeux de pile ou face répétés. Chapitre 7. Cheminements au hasard sur des graphes.
Chapitre 8. Tirages répétitifs, jusqu'à la sortie d'un certain motif.
Chapitre 9. Exercices de probabilités.
Bibliographie.
Index.
Sommaire volume 1.
Sommaire volume 3.Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=12722 Combien? Mathématiques appliquées à l'informatique. Vol.2, Algorithmiques et théorie des probabilités [texte imprime] / Pierre Audibert . - Paris : Hermès - Lavoisier, impr. 2008, cop. 2009 . - 263 p. : ill. ; 24 cm.
ISBN : 978-2-7462-2201-4
Bibliogr. p. [251]-252. Index
Langues : Français
Mots-clés : Algorithmes Probabilités Informatique:mathématiquesProgrammation (mathématiques) Index. décimale : 519.2 Résumé : Combien de façons de mélanger divers ingrédients, de chances de gagner à un jeu de hasard, de chemins possibles pour se rendre d'un point à un autre sur un réseau routier ? Autant de questions auxquelles Mathématiques appliquées à l'informatique répond. Cet ouvrage en 3 volumes s'adresse à tous ceux qui veulent s'initier aux théories combinatoires, sans oublier les étudiants de classes préparatoires et d'université. Des applications concrètes telles que le Sudoku et les moteurs de recherche sont présentées et accompagnées de traitements informatiques expérimentaux. À l'aide d'éléments théoriques de base et d'une multitude d'exemples, une montée progressive en puissance propose un aperçu de l'état de l'art en la matière. La mise en oeuvre de nombreux algorithmes et de programmes informatiques permet de confronter la théorie à l'expérience. Cette approche non conventionnelle de la combinatoire renforce l'originalité de cet ouvrage. Note de contenu : Introduction au volume 2.
Chapitre 1. Rappels sur les probabilités discrètes.
Chapitre 2. Le hasard et l'ordinateur.
Chapitre 3. Discret et continu.
Chapitre 4. Fonction génératrice associée à une variable aléatoire discrète dans un jeu.
Chapitre 5. Graphes et matrices pour le traitement de problèmes de probabilité.
Chapitre 6. Jeux de pile ou face répétés. Chapitre 7. Cheminements au hasard sur des graphes.
Chapitre 8. Tirages répétitifs, jusqu'à la sortie d'un certain motif.
Chapitre 9. Exercices de probabilités.
Bibliographie.
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Sommaire volume 1.
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MTH417/V2/1 MTH417/V2 Livre Magasin d'Ouvrages / FGE Mathématique Consultation sur place
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