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Auteur Mourad Othmane cherif |
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Titre : Etude et réalisation des couches minces de ZnO pour application photovoltaïque Type de document : theses et memoires Auteurs : Mourad Othmane cherif, Auteur ; Farida Nemmar (ép. Belhocine), Directeur de thèse Editeur : Tizi Ouzou : UMMTO.FGEI Année de publication : 2011 Importance : 74 p. Présentation : ill. Format : 30 cm. Note générale : bibliogr. Langues : Français Mots-clés : TCO APCVD. Couches minces de Zno Photovoltaique Oxydes transparents et conducteurs (TCO), Technique de dépôt APCVD, cellules Résumé : Résumé
Le travail présenté dans ce mémoire porte sur la réalisation et l’étude des
propriétés de couches minces d’oxyde de zinc (ZnO). Ce dernier est un semi-conducteur de
type n à gap direct d’environ 3,3 eV, ce qui permet de le classer parmi les semi-conducteurs
à large bande interdite. Il présente des caractéristiques intéressantes, permettant son
utilisation dans les dispositifs à conversion photovoltaïque de l’énergie solaire. Pour
réaliser ces dépôts, nous avons utilisé la technique de déposition en phase vapeur à pression
atmosphérique (APCVD). Cette technique présente l’avantage de s’effectuer sous air, ce qui
réduit le cout de sa mise en oeuvre relativement aux techniques qui utilisent du vide.En ligne : https://dl.ummto.dz/bitstream/handle/ummto/8352/OtmanecherifMourad.pdf?sequence= [...] Format de la ressource électronique : Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=27239 Etude et réalisation des couches minces de ZnO pour application photovoltaïque [theses et memoires] / Mourad Othmane cherif, Auteur ; Farida Nemmar (ép. Belhocine), Directeur de thèse . - Tizi Ouzou (Tizi Ouzou) : UMMTO.FGEI, 2011 . - 74 p. : ill. ; 30 cm.
bibliogr.
Langues : Français
Mots-clés : TCO APCVD. Couches minces de Zno Photovoltaique Oxydes transparents et conducteurs (TCO), Technique de dépôt APCVD, cellules Résumé : Résumé
Le travail présenté dans ce mémoire porte sur la réalisation et l’étude des
propriétés de couches minces d’oxyde de zinc (ZnO). Ce dernier est un semi-conducteur de
type n à gap direct d’environ 3,3 eV, ce qui permet de le classer parmi les semi-conducteurs
à large bande interdite. Il présente des caractéristiques intéressantes, permettant son
utilisation dans les dispositifs à conversion photovoltaïque de l’énergie solaire. Pour
réaliser ces dépôts, nous avons utilisé la technique de déposition en phase vapeur à pression
atmosphérique (APCVD). Cette technique présente l’avantage de s’effectuer sous air, ce qui
réduit le cout de sa mise en oeuvre relativement aux techniques qui utilisent du vide.En ligne : https://dl.ummto.dz/bitstream/handle/ummto/8352/OtmanecherifMourad.pdf?sequence= [...] Format de la ressource électronique : Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=27239 Réservation
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité ING.ELN.39-11/2 ING.ELN.39-11 Mémoires Magasin de Thèses et Mémoires / FGE Ingénieur en Electronique Disponible ING.ELN.39-11/1 ING.ELN.39-11 Mémoires Magasin de Thèses et Mémoires / FGE Ingénieur en Electronique Disponible Les abonnés qui ont emprunté ce document ont également emprunté :
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