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Auteur Katia Mahiout |
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Ajouter le résultat dans votre panier Faire une suggestion Affiner la recherche Interroger des sources externesConception et réalisation d'un électroencéphalographie (EEG). / Katia Mahiout (2023)
Titre : Conception et réalisation d'un électroencéphalographie (EEG). Type de document : theses et memoires Auteurs : Katia Mahiout, Auteur ; Kamel Menia, Auteur ; kamal Bennamane, Directeur de thèse Editeur : Tizi-Ouzou : UMMTO F.G.E.I Année de publication : 2023 Importance : 107p Présentation : ill. Format : 30 cm. Note générale : Bibliogr. Langues : Français Mots-clés : Sécheresse RNA Chaîne de Markov Prédiction. Résumé : L'électroencéphalographie (EEG) est une méthode non invasive permettant d'enregistrer l'activité électrique du cerveau à l'aide d'électrodes placées sur le cuir chevelu. Cette technique, découverte par Hans Berger, produit un tracé appelé électroencéphalogramme, qui reflète l'activité neurophysiologique du cortex cérébral au fil du temps.
L'EEG est largement utilisé en neurologie pour diagnostiquer des troubles tels que l'épilepsie, les troubles du sommeil, ou détecter des conditions graves comme les hémorragies ou les tumeurs cérébrales. De nombreuses recherches visent à automatiser l'analyse des signaux EEG pour extraire des informations pertinentes sur le fonctionnement cérébral, facilitant ainsi le diagnostic et la recherche en neurosciences cognitives.
Ce mémoire se concentre sur la conception et la réalisation d'une carte d'acquisition pour l'électroencéphalographie (EEG), une technique qui enregistre l'activité électrique du cerveau via des électrodes sur le cuir chevelu.
L'EEG est essentiel dans le diagnostic des troubles neurologiques en milieu hospitalier et en cabinet de neurologie. L'obtention d'un signal EEG de qualité est complexe en raison du bruit environnant, nécessitant des électrodes de haute qualité et un bon contact avec le cuir chevelu. Ce projet a permis d'approfondir les connaissances sur les capteurs, amplificateurs, filtres et autres composants, tout en mettant en pratique les apprentissages théoriques, illustrant ainsi les défis concrets de leur mise en Å“uvre.Diplôme : Master Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=37588 Conception et réalisation d'un électroencéphalographie (EEG). [theses et memoires] / Katia Mahiout, Auteur ; Kamel Menia, Auteur ; kamal Bennamane, Directeur de thèse . - Tizi-Ouzou (Tizi-Ouzou) : UMMTO F.G.E.I, 2023 . - 107p : ill. ; 30 cm.
Bibliogr.
Langues : Français
Mots-clés : Sécheresse RNA Chaîne de Markov Prédiction. Résumé : L'électroencéphalographie (EEG) est une méthode non invasive permettant d'enregistrer l'activité électrique du cerveau à l'aide d'électrodes placées sur le cuir chevelu. Cette technique, découverte par Hans Berger, produit un tracé appelé électroencéphalogramme, qui reflète l'activité neurophysiologique du cortex cérébral au fil du temps.
L'EEG est largement utilisé en neurologie pour diagnostiquer des troubles tels que l'épilepsie, les troubles du sommeil, ou détecter des conditions graves comme les hémorragies ou les tumeurs cérébrales. De nombreuses recherches visent à automatiser l'analyse des signaux EEG pour extraire des informations pertinentes sur le fonctionnement cérébral, facilitant ainsi le diagnostic et la recherche en neurosciences cognitives.
Ce mémoire se concentre sur la conception et la réalisation d'une carte d'acquisition pour l'électroencéphalographie (EEG), une technique qui enregistre l'activité électrique du cerveau via des électrodes sur le cuir chevelu.
L'EEG est essentiel dans le diagnostic des troubles neurologiques en milieu hospitalier et en cabinet de neurologie. L'obtention d'un signal EEG de qualité est complexe en raison du bruit environnant, nécessitant des électrodes de haute qualité et un bon contact avec le cuir chevelu. Ce projet a permis d'approfondir les connaissances sur les capteurs, amplificateurs, filtres et autres composants, tout en mettant en pratique les apprentissages théoriques, illustrant ainsi les défis concrets de leur mise en Å“uvre.Diplôme : Master Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=37588 Réservation
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAST.ELN.90-23/1 MAST.ELN.90-23 CD Magasin de Thèses et Mémoires / FGE Master en Electronique Disponible Aucun avis, veuillez vous identifier pour ajouter le vôtre !
Titre : L’étude de l’intégration en substrat SC des matériaux III-V Type de document : theses et memoires Auteurs : Katia Mahiout, Auteur ; Arezki Benfdila, Directeur de thèse Editeur : Tizi Ouzou : UMMTO.FGEI Année de publication : 2017 Importance : 72 f. Présentation : ill. Format : 30cm. Note générale : Bibliogr. Langues : Français Mots-clés : Lithographie Gravure Dessins de masques Dopage Métallisation Propriétés géométriques et électriques Oxydation Ingénierie de gap « band gap engineering » Résumé : C'est la fin d'une époque. Une époque où la puissance de calcul des processeurs qui font marcher nos ordinateurs et smartphones et qui a permis un boom technologique et économique sans précédent. 2016 signera en effet la fin de la loi de Moore, Une loi qui affirme que le nombre de transistors, l'élément principal qui compose les processeurs, double tous les deux ans qui avec eux double également la puissance de nos appareils. Mais si cette époque bénie prend fin, cela ne veut pas dire que la technologie va stagner, loin de là . Cet arrêt pourrait même être une bonne chose pour notre avenir technologique.
Et l’industrie de la micro-électronique ne cesse de courir derrière de nouvelles solution et l’intégration des matériaux III-V sur substrat semi-conducteur en est une solution et ce dernier représente l’intérêt de notre étude effectuée dans ce modeste travail. Et pour ce j’ai répartie mon travail en trois parties essentielles, le premier chapitre représente des généralités sur les matériaux et l’intégration en microélectronique ; dans cette partie j’ai effectué en premier lieu l’étude sur la technologie MOS vue que cette dernière est une superposition de métal et d’oxyde avec un semi conducteur afin de faire une introduction au milieux matériels pour arriver à parler sur l’étude de l’intégration et d’oxydation du silicium.
Dans la deuxième partie j’ai fait toute une étude sur les matériaux III-V en commençons de leurs différentes propriétés J'usqu'à leurs intégration en passant par leurs défi de leurs épitaxies sur silicium.
Dans le troisième chapitre j’ai parlé sur les composants qu’on peut fabriquer à base des matériaux III-V en passants par les technologies micro-électroniques nécessaires pour cette fabrication, et enfin les domaines d’applications des matériaux III-V dans notre vie.En ligne : https://dl.ummto.dz/bitstream/handle/ummto/7503/MahioutKatia.pdf?sequence=1&isAl [...] Format de la ressource électronique : Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=32608 L’étude de l’intégration en substrat SC des matériaux III-V [theses et memoires] / Katia Mahiout, Auteur ; Arezki Benfdila, Directeur de thèse . - Tizi Ouzou (Tizi Ouzou) : UMMTO.FGEI, 2017 . - 72 f. : ill. ; 30cm.
Bibliogr.
Langues : Français
Mots-clés : Lithographie Gravure Dessins de masques Dopage Métallisation Propriétés géométriques et électriques Oxydation Ingénierie de gap « band gap engineering » Résumé : C'est la fin d'une époque. Une époque où la puissance de calcul des processeurs qui font marcher nos ordinateurs et smartphones et qui a permis un boom technologique et économique sans précédent. 2016 signera en effet la fin de la loi de Moore, Une loi qui affirme que le nombre de transistors, l'élément principal qui compose les processeurs, double tous les deux ans qui avec eux double également la puissance de nos appareils. Mais si cette époque bénie prend fin, cela ne veut pas dire que la technologie va stagner, loin de là . Cet arrêt pourrait même être une bonne chose pour notre avenir technologique.
Et l’industrie de la micro-électronique ne cesse de courir derrière de nouvelles solution et l’intégration des matériaux III-V sur substrat semi-conducteur en est une solution et ce dernier représente l’intérêt de notre étude effectuée dans ce modeste travail. Et pour ce j’ai répartie mon travail en trois parties essentielles, le premier chapitre représente des généralités sur les matériaux et l’intégration en microélectronique ; dans cette partie j’ai effectué en premier lieu l’étude sur la technologie MOS vue que cette dernière est une superposition de métal et d’oxyde avec un semi conducteur afin de faire une introduction au milieux matériels pour arriver à parler sur l’étude de l’intégration et d’oxydation du silicium.
Dans la deuxième partie j’ai fait toute une étude sur les matériaux III-V en commençons de leurs différentes propriétés J'usqu'à leurs intégration en passant par leurs défi de leurs épitaxies sur silicium.
Dans le troisième chapitre j’ai parlé sur les composants qu’on peut fabriquer à base des matériaux III-V en passants par les technologies micro-électroniques nécessaires pour cette fabrication, et enfin les domaines d’applications des matériaux III-V dans notre vie.En ligne : https://dl.ummto.dz/bitstream/handle/ummto/7503/MahioutKatia.pdf?sequence=1&isAl [...] Format de la ressource électronique : Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=32608 Réservation
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAST.AUTO.52-17/1 MAST.AUTO.52-17 Mémoires Magasin de Thèses et Mémoires / FGE Master en Automatique Disponible MAST.AUTO.52-17/2 MAST.AUTO.52-17 Mémoires Magasin de Thèses et Mémoires / FGE Master en Automatique Disponible Les abonnés qui ont emprunté ce document ont également emprunté :
Composants à semi-conducteur pour l'électronique de puissance Lefebvre, Stéphane Optimisation du rendement de conversion photovoltaïque des cellules solaires à base de diséléniure de Cuivre, d’Indium et de Gallium "CIGS". Dellali, Chaimaa Etude et optimisation d’une installation photovoltaïque autonome. Belaidi, Sarah Modélisation mathématique et circuit électronique équivalent de cellules solaires à colorant organique Kheloufi, Katia Aucun avis, veuillez vous identifier pour ajouter le vôtre !
