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Auteur Soares, Robert-Alain |
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Ajouter le résultat dans votre panier Faire une suggestion Affiner la recherche Interroger des sources externesApplications des Transistors à effet de champ en arséniure de gallium / Soares, Robert-Alain (1984, cop. 1983)
Titre : Applications des Transistors à effet de champ en arséniure de gallium Type de document : texte imprime Auteurs : Soares, Robert-Alain, Directeur de publication, rédacteur en chef ; Obregon, Juan, Directeur de publication, rédacteur en chef ; Graffeuil, Jacques, Directeur de publication, rédacteur en chef Editeur : Paris : Eyrolles Année de publication : 1984, cop. 1983 Collection : Technique et scientifique des télécommunications Importance : (XI-517 p.) Présentation : ill. Format : 25 cm Note générale :
Bibliogr. en fin de chapitres. IndexLangues : Français Mots-clés : Semiconducteurs à l'arséniure de gallium Transistors à effet de champ Index. décimale : 660.65 Transistors Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=9722 Applications des Transistors à effet de champ en arséniure de gallium [texte imprime] / Soares, Robert-Alain, Directeur de publication, rédacteur en chef ; Obregon, Juan, Directeur de publication, rédacteur en chef ; Graffeuil, Jacques, Directeur de publication, rédacteur en chef . - Paris : Eyrolles, 1984, cop. 1983 . - (XI-517 p.) : ill. ; 25 cm. - (Technique et scientifique des télécommunications) .
Bibliogr. en fin de chapitres. Index
Langues : Français
Mots-clés : Semiconducteurs à l'arséniure de gallium Transistors à effet de champ Index. décimale : 660.65 Transistors Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=9722 Réservation
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