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(EGEM. Électronique et micro-électronique)
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Ajouter le résultat dans votre panier Faire une suggestion Affiner la recherche Interroger des sources externesImplantation ionique et traitements thermiques en technologie silicium / Annie Baudrant (impr. 2011)
Titre : Implantation ionique et traitements thermiques en technologie silicium Type de document : texte imprime Auteurs : Annie Baudrant, Directeur de publication, rédacteur en chef Editeur : Hermès Science Publications Année de publication : impr. 2011 Autre Editeur : Lavoisier Collection : (EGEM. Électronique et micro-électronique) Importance : 365 p. Présentation : ill. Format : 24cm ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7462-3130-6 Note générale :
Bibliogr. en fin de chapitres. Index
Dans :
Traité EGEM : Électronique - Génie électrique - Microsystèmes. Électronique et micro-électroniqueche isb 3540414363
Langues : Français Mots-clés : Silicium:substrats Silicium:traitement thermique Technologie silicium sur isolant Ions:implantation Index. décimale : 621.381 Résumé : Cet ouvrage propose au lecteur une vision de l'élaboration des couches actives, modifiant la structure de surface du substrat silicium massif : principes de base, mise en applications en fonction des filières technologiques, limites et contraintes, avec un focus sur les dernières avancées. Son objectif n'est pas de faire le tour de la question pour tous les procédés élémentaires d'un assemblage technologique, mais de rappeler les données essentielles et fondamentales seulement pour les procédés qui visent à utiliser et à améliorer les propriétés du matériau ou du semi-conducteur silicium, tant pour les composants électroniques que pour les microsystèmes. Sont ainsi développés l'oxydation silicium, l'implantation ionique, la diffusion et l'épitaxie d'hétérostructures. Note de contenu : Avant-propos -A. BAUDRANT.
Chapitre 1. Oxydation du silicium et du carbure de silicium.
Chapitre 2. Implantation ionique.
Chapitre 3. Diffusion des dopants : modélisation et enjeux technologiques.
Chapitre 4. Epitaxie d'hétérostructures contraintes Si/Si1-x Gex.
Index.Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=11008 Implantation ionique et traitements thermiques en technologie silicium [texte imprime] / Annie Baudrant, Directeur de publication, rédacteur en chef . - [S.l.] : Hermès Science Publications : [S.l.] : Lavoisier, impr. 2011 . - 365 p. : ill. ; 24cm. - ((EGEM. Électronique et micro-électronique)) .
ISBN : 978-2-7462-3130-6
Bibliogr. en fin de chapitres. Index
Dans :
Traité EGEM : Électronique - Génie électrique - Microsystèmes. Électronique et micro-électroniqueche isb 3540414363
Langues : Français
Mots-clés : Silicium:substrats Silicium:traitement thermique Technologie silicium sur isolant Ions:implantation Index. décimale : 621.381 Résumé : Cet ouvrage propose au lecteur une vision de l'élaboration des couches actives, modifiant la structure de surface du substrat silicium massif : principes de base, mise en applications en fonction des filières technologiques, limites et contraintes, avec un focus sur les dernières avancées. Son objectif n'est pas de faire le tour de la question pour tous les procédés élémentaires d'un assemblage technologique, mais de rappeler les données essentielles et fondamentales seulement pour les procédés qui visent à utiliser et à améliorer les propriétés du matériau ou du semi-conducteur silicium, tant pour les composants électroniques que pour les microsystèmes. Sont ainsi développés l'oxydation silicium, l'implantation ionique, la diffusion et l'épitaxie d'hétérostructures. Note de contenu : Avant-propos -A. BAUDRANT.
Chapitre 1. Oxydation du silicium et du carbure de silicium.
Chapitre 2. Implantation ionique.
Chapitre 3. Diffusion des dopants : modélisation et enjeux technologiques.
Chapitre 4. Epitaxie d'hétérostructures contraintes Si/Si1-x Gex.
Index.Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=11008 Réservation
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité EG327/1 EG327 Livre Magasin d'Ouvrages / FGE Electronique générale Consultation sur place
Exclu du prêtEG327/2 EG327 Livre Magasin d'Ouvrages / FGE Electronique générale Disponible EG327/3 EG327 Livre Magasin d'Ouvrages / FGE Electronique générale Disponible Aucun avis, veuillez vous identifier pour ajouter le vôtre !
Titre : Micro et nanosystèmes autonomes en énergie : des applications aux fonctions et technologies Type de document : texte imprime Auteurs : Marc Belleville ; Cyril Condemine Editeur : Hermès Science Publications Année de publication : DL 2012, cop. 2012 Autre Editeur : Lavoisier Collection : (EGEM. Électronique et micro-électronique) Importance : 391 p. Présentation : ill., fig., graph. Format : 24 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7462-2517-6 Note générale : EGEM = Electronique - Génie Electrique - Microsystèmes
Notes bibliogr. IndexLangues : Français Mots-clés : Énergie:conversion directe Énergie:stockage Nanosystèmes électromécaniques Micro-techniques Capteurs solaires Couches minces ferroélectriques Énergie mécanique Thermique Accumulateurs au lithium Systèmes autonomes en énergie Index. décimale : 621.042 Résumé : Cet ouvrage propose un panorama détaillé des micro et nanosystèmes autonomes en énergie, couvrant à la fois les principes mis en oeuvre et les derniers développements. Une étude approfondie d'applications dans les domaines aéronautiques, médicaux et du contrôle des bâtiments permet de dresser les grandes spécifications de tels systèmes et de leurs sous-composants. Les techniques les plus récentes de récupération et conversion d'énergie d'origine photovoltaïque, thermique et mécanique sont présentées. Un état de l'art sur les interfaces capteurs, le traitement du signal numérique et les liaisons radiofréquence, ultra-basse consommation, complète ce panorama. Enfin, des techniques d'optimisation de l'énergie au niveau du microsystème/noeud de capteur et d'un réseau de capteurs sont introduites et discutées [Source : 4e de couv.]
Note de contenu : Introduction
Introduction aux micro et nanosystèmes autonomes en énergie et présentation des contributions
Chapitre 1. Les capteurs au coeur du contrôle du bâtiment
Chapitre 2. Vers l'autonomie énergétique des dispositifs médicaux implantables
Chapitre 3. Les systèmes autonomes en énergie dans les applications aéronautiques
Chapitre 4. Récupération d'énergie par effet photovoltaïque
Chapitre 5. La récupération d'énergie mécanique
Chapitre 6. La récupération d'énergie thermique
Chapitre 7. Micro-accumulateurs lithium
Chapitre 8. Les capteurs à ultra-basse consommation
Chapitre 9. Traitement du signal à très basse consommation dans les systèmes autonomes
Chapitre 10. Les liaisons et protocoles radio-fréquence ultra-basse consommation
Chapitre 11. Gestion de l'énergie dans un microsystème autonome
Chapitre 12. Optimisation énergétique des réseaux de capteurs
Conclusion et perspectives
Bibliographie
IndexPermalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=11019 Micro et nanosystèmes autonomes en énergie : des applications aux fonctions et technologies [texte imprime] / Marc Belleville ; Cyril Condemine . - [S.l.] : Hermès Science Publications : [S.l.] : Lavoisier, DL 2012, cop. 2012 . - 391 p. : ill., fig., graph. ; 24 cm. - ((EGEM. Électronique et micro-électronique)) .
ISBN : 978-2-7462-2517-6
EGEM = Electronique - Génie Electrique - Microsystèmes
Notes bibliogr. Index
Langues : Français
Mots-clés : Énergie:conversion directe Énergie:stockage Nanosystèmes électromécaniques Micro-techniques Capteurs solaires Couches minces ferroélectriques Énergie mécanique Thermique Accumulateurs au lithium Systèmes autonomes en énergie Index. décimale : 621.042 Résumé : Cet ouvrage propose un panorama détaillé des micro et nanosystèmes autonomes en énergie, couvrant à la fois les principes mis en oeuvre et les derniers développements. Une étude approfondie d'applications dans les domaines aéronautiques, médicaux et du contrôle des bâtiments permet de dresser les grandes spécifications de tels systèmes et de leurs sous-composants. Les techniques les plus récentes de récupération et conversion d'énergie d'origine photovoltaïque, thermique et mécanique sont présentées. Un état de l'art sur les interfaces capteurs, le traitement du signal numérique et les liaisons radiofréquence, ultra-basse consommation, complète ce panorama. Enfin, des techniques d'optimisation de l'énergie au niveau du microsystème/noeud de capteur et d'un réseau de capteurs sont introduites et discutées [Source : 4e de couv.]
Note de contenu : Introduction
Introduction aux micro et nanosystèmes autonomes en énergie et présentation des contributions
Chapitre 1. Les capteurs au coeur du contrôle du bâtiment
Chapitre 2. Vers l'autonomie énergétique des dispositifs médicaux implantables
Chapitre 3. Les systèmes autonomes en énergie dans les applications aéronautiques
Chapitre 4. Récupération d'énergie par effet photovoltaïque
Chapitre 5. La récupération d'énergie mécanique
Chapitre 6. La récupération d'énergie thermique
Chapitre 7. Micro-accumulateurs lithium
Chapitre 8. Les capteurs à ultra-basse consommation
Chapitre 9. Traitement du signal à très basse consommation dans les systèmes autonomes
Chapitre 10. Les liaisons et protocoles radio-fréquence ultra-basse consommation
Chapitre 11. Gestion de l'énergie dans un microsystème autonome
Chapitre 12. Optimisation énergétique des réseaux de capteurs
Conclusion et perspectives
Bibliographie
IndexPermalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=11019 Réservation
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité EG337/1 EG337 Livre Magasin d'Ouvrages / FGE Electronique générale Consultation sur place
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Titre : Physique et modélisation des composants et des circuits intégrés de puissance Type de document : texte imprime Auteurs : Frédéric Morancho Editeur : Hermès Science Publications Année de publication : cop. 2007 Autre Editeur : Lavoisier Collection : (EGEM. Électronique et micro-électronique) Importance : (371-V p.) Présentation : ill., fig., graph., couv. ill. Format : 25 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7462-1254-1 Note générale : Bibliogr. en fin de chapitres. Index Langues : Français Mots-clés : Circuits intégrés MOS (électronique) Électronique de puissance Index. décimale : 621.381 Résumé : Cet ouvrage aborde de nombreux aspects, problèmes, solutions et applications liées à la physique et à la modélisation des composants et circuits intégrés de puissance. Note de contenu : Chapitre 1.
Introduction -F. MORANCHO et al.
L'intégration en électronique de puissance.
Chapitre 2.
Physique spécifique et architecture des transistors MOS de puissance -F. MORANCHO, G. CHARITAT, P. TOUNSI.
Introduction.
Composants de puissance à l'état bloqué : tenue en tension. Physique du transistor MOS de puissance à l'état passant.
Architectures des transistors MOS de puissance.
Bibliographie.
Chapitre 3.
Robustesse et fiabilité des transistors MOS de puissance "conçus pour l'intégration" -J.-M. DORKEL, J.-M. BOSC.
Notion de robustesse et de fiabilité des composants.
Fiabilité.
Bibliographie.
Chapitre 4.
Modèles des transistors MOS de puissance -D. ANDREU, A. MAXIM.
Méthodes de modélisation des transistors MOS de puissance dans le cadre des simulateurs de type spice.
La modélisation de type commutateur du transistor MOS de puissance.
L'utilisation du modèle intrinsèque spice de type MOSFET dans la simulation du transistor MOS de puissance.
La macro-modélisation structurelle du transistor MOS de puissance.
Bibliographie.
Chapitre 5.
Technologie des circuits intégrés de puissance -M. BAFLEUR, Ph. RAGUET, T. SICARD, O. GONNARD.
Introduction.
Technologies d'isolation par jonction.
Phénomènes physiques spécifiques sur l'exemple d'un circuit de puissance avec isolation par jonction.
Technologies à isolation par tranchées. Technologies à isolation diélectrique ou SOI.
Boîtiers adaptés à la puissance.
Conclusion.
Bibliographie.
Chapitre 6. Conception et applications des circuits intégrés de puissance -M. SUQUET, Ph. RAGUET, T. SICARD, Ph. LANCE, M. BAIRANZADE.
Fonctions électroniques intégrées au circuit de puissance. Fonctions de commande.
Fonctions de servitude.
Fonctions de protections des éléments de puissance.
Fonctions de diagnostic. Conception du circuit intégré de puissance.
Méthodes de test spécifiques.
Bibliographie.
Index.Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=13141 Physique et modélisation des composants et des circuits intégrés de puissance [texte imprime] / Frédéric Morancho . - [S.l.] : Hermès Science Publications : [S.l.] : Lavoisier, cop. 2007 . - (371-V p.) : ill., fig., graph., couv. ill. ; 25 cm. - ((EGEM. Électronique et micro-électronique)) .
ISBN : 978-2-7462-1254-1
Bibliogr. en fin de chapitres. Index
Langues : Français
Mots-clés : Circuits intégrés MOS (électronique) Électronique de puissance Index. décimale : 621.381 Résumé : Cet ouvrage aborde de nombreux aspects, problèmes, solutions et applications liées à la physique et à la modélisation des composants et circuits intégrés de puissance. Note de contenu : Chapitre 1.
Introduction -F. MORANCHO et al.
L'intégration en électronique de puissance.
Chapitre 2.
Physique spécifique et architecture des transistors MOS de puissance -F. MORANCHO, G. CHARITAT, P. TOUNSI.
Introduction.
Composants de puissance à l'état bloqué : tenue en tension. Physique du transistor MOS de puissance à l'état passant.
Architectures des transistors MOS de puissance.
Bibliographie.
Chapitre 3.
Robustesse et fiabilité des transistors MOS de puissance "conçus pour l'intégration" -J.-M. DORKEL, J.-M. BOSC.
Notion de robustesse et de fiabilité des composants.
Fiabilité.
Bibliographie.
Chapitre 4.
Modèles des transistors MOS de puissance -D. ANDREU, A. MAXIM.
Méthodes de modélisation des transistors MOS de puissance dans le cadre des simulateurs de type spice.
La modélisation de type commutateur du transistor MOS de puissance.
L'utilisation du modèle intrinsèque spice de type MOSFET dans la simulation du transistor MOS de puissance.
La macro-modélisation structurelle du transistor MOS de puissance.
Bibliographie.
Chapitre 5.
Technologie des circuits intégrés de puissance -M. BAFLEUR, Ph. RAGUET, T. SICARD, O. GONNARD.
Introduction.
Technologies d'isolation par jonction.
Phénomènes physiques spécifiques sur l'exemple d'un circuit de puissance avec isolation par jonction.
Technologies à isolation par tranchées. Technologies à isolation diélectrique ou SOI.
Boîtiers adaptés à la puissance.
Conclusion.
Bibliographie.
Chapitre 6. Conception et applications des circuits intégrés de puissance -M. SUQUET, Ph. RAGUET, T. SICARD, Ph. LANCE, M. BAIRANZADE.
Fonctions électroniques intégrées au circuit de puissance. Fonctions de commande.
Fonctions de servitude.
Fonctions de protections des éléments de puissance.
Fonctions de diagnostic. Conception du circuit intégré de puissance.
Méthodes de test spécifiques.
Bibliographie.
Index.Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=13141 Réservation
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité PH325/1 PH325 Livre Magasin d'Ouvrages / FGE Physique Consultation sur place
Exclu du prêtPH325/2 PH325 Livre Magasin d'Ouvrages / FGE Physique Disponible PH325/3 PH325 Livre Magasin d'Ouvrages / FGE Physique Disponible PH325/4 PH325 Livre Magasin d'Ouvrages / FGE Physique Disponible PH325/5 PH325 Livre Magasin d'Ouvrages / FGE Physique Disponible Aucun avis, veuillez vous identifier pour ajouter le vôtre !
Titre : Propagation guidée Type de document : texte imprime Auteurs : Daniel Pasquet, Auteur Editeur : Hermès Science Publications Année de publication : impr. 2011 Autre Editeur : Lavoisier Collection : (EGEM. Électronique et micro-électronique) Importance : 254 p. Présentation : fig., graph. Format : 24cm ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7462-2278-6 Note générale : Bibliogr. en fin de chapitres. Index Langues : Français Mots-clés : Guides d'ondes Ondes Cavités résonnantes (microondes) Résumé :
Après quelques rappels sur la théorie des lignes permettant de bien fixer les notations, l'ouvrage propose une étude générale des guides d'onde de toute nature. Il s'agit d'une présentation applicable aux guides fermés classiques sièges de modes TEM, TE et TM, mais aussi aux guides ouverts, inhomogènes, intégrés sièges en plus de modes hybrides. Cette approche est appliquée à quelques guides classiques (rectangulaire, circulaire, coaxial, fibre optique à saut d'indice). Suit une description des guides d'onde utilisés dans les circuits intégrés modernes (microruban, coplanaire, TFMS...) sur différents substrats (alumine, GaAs, silicium). L'ouvrage se termine par une étude sur les résonateurs.Note de contenu :
Avant-propos.
Chapitre 1. Rappels sur la théorie des lignes.
Chapitre 2. Généralités sur la propagation guidée.
Chapitre 3. Structure des modes dans les guides fermés.
Chapitre 4. Orthogonalité des modes, onde de référence.
Chapitre 5. Guides fermés courants.
Chapitre 6. Guides ouverts.
Chapitre 7. Guides miniatures.
Chapitre 8. Circuits résonnants.
Chapitre 9. Cavités résonnantes et résonateurs.
Annexe.
Index.Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=10457 Propagation guidée [texte imprime] / Daniel Pasquet, Auteur . - [S.l.] : Hermès Science Publications : [S.l.] : Lavoisier, impr. 2011 . - 254 p. : fig., graph. ; 24cm. - ((EGEM. Électronique et micro-électronique)) .
ISBN : 978-2-7462-2278-6
Bibliogr. en fin de chapitres. Index
Langues : Français
Mots-clés : Guides d'ondes Ondes Cavités résonnantes (microondes) Résumé :
Après quelques rappels sur la théorie des lignes permettant de bien fixer les notations, l'ouvrage propose une étude générale des guides d'onde de toute nature. Il s'agit d'une présentation applicable aux guides fermés classiques sièges de modes TEM, TE et TM, mais aussi aux guides ouverts, inhomogènes, intégrés sièges en plus de modes hybrides. Cette approche est appliquée à quelques guides classiques (rectangulaire, circulaire, coaxial, fibre optique à saut d'indice). Suit une description des guides d'onde utilisés dans les circuits intégrés modernes (microruban, coplanaire, TFMS...) sur différents substrats (alumine, GaAs, silicium). L'ouvrage se termine par une étude sur les résonateurs.Note de contenu :
Avant-propos.
Chapitre 1. Rappels sur la théorie des lignes.
Chapitre 2. Généralités sur la propagation guidée.
Chapitre 3. Structure des modes dans les guides fermés.
Chapitre 4. Orthogonalité des modes, onde de référence.
Chapitre 5. Guides fermés courants.
Chapitre 6. Guides ouverts.
Chapitre 7. Guides miniatures.
Chapitre 8. Circuits résonnants.
Chapitre 9. Cavités résonnantes et résonateurs.
Annexe.
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité CI504/1 CI504 Livre Magasin d'Ouvrages / FGE Communication instrumentation Consultation sur place
Exclu du prêtCI504/2 CI504 Livre Magasin d'Ouvrages / FGE Communication instrumentation Disponible CI504/3 CI504 Livre Magasin d'Ouvrages / FGE Communication instrumentation Disponible Aucun avis, veuillez vous identifier pour ajouter le vôtre !
Titre : Technologie de base en lightographie Type de document : texte imprime Auteurs : Stefan Landis, Directeur de publication, rédacteur en chef Editeur : Hermès Science Publications Année de publication : cop. 2010 Autre Editeur : Lavoisier Collection : (EGEM. Électronique et micro-électronique) Importance : (VI-406-VI p.) Présentation : ill. Format : 24 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7462-2445-2 Note générale : Bibliogr. en fin de chapitres. Index Langues : Français Mots-clés : Lithographie Photolithographie Rayonnement ultraviolet:applications industrielles Copolymères Plasmons Index. décimale : 62138152 Résumé :
Toujours plus vite, plus petit et à moindre coût. Tels sont les maîtres mots des technologies qui façonnent et façonneront le 'nano-monde'. La lithographie est aujourd'hui un outil complexe au cœur d'un procédé technologique de fabrication de micro et nano composants. Technologie pluridisciplinaire par excellence, la lithographie repousse sans cesse les limites de l'optique, de la chimie, de la mécanique, la micro et nano fluidique.
Cet ouvrage traite des technologies et procédés incontournables et principalement utilisés dans la fabrication industrielle de microprocesseurs et autres composants électroniques. Destinés aux ingénieurs et chercheurs novices, cet ouvrage permettra aux lecteurs plus expérimentés de parfaire leurs connaissances sur des techniques en constante évolution.Note de contenu :
Préface.
Les imagiciens.
L'alchimie de la représentation des origines à la nanosphère.
Introduction.
Enjeux de la lithographie.
Chapitre 1. La photolithographie.
Chapitre 2. Lithographie extrême ultraviolet.
Chapitre 3. Lithographie électronique.
Chapitre 4. L'écriture par faisceau d'ions focalisés.
Chapitre 5. L'optique des particules chargées.
Chapitre 6. Résines pour la lithographie.
Conclusion.
Bibliographie.
Index.Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=10972 Technologie de base en lightographie [texte imprime] / Stefan Landis, Directeur de publication, rédacteur en chef . - [S.l.] : Hermès Science Publications : [S.l.] : Lavoisier, cop. 2010 . - (VI-406-VI p.) : ill. ; 24 cm. - ((EGEM. Électronique et micro-électronique)) .
ISBN : 978-2-7462-2445-2
Bibliogr. en fin de chapitres. Index
Langues : Français
Mots-clés : Lithographie Photolithographie Rayonnement ultraviolet:applications industrielles Copolymères Plasmons Index. décimale : 62138152 Résumé :
Toujours plus vite, plus petit et à moindre coût. Tels sont les maîtres mots des technologies qui façonnent et façonneront le 'nano-monde'. La lithographie est aujourd'hui un outil complexe au cœur d'un procédé technologique de fabrication de micro et nano composants. Technologie pluridisciplinaire par excellence, la lithographie repousse sans cesse les limites de l'optique, de la chimie, de la mécanique, la micro et nano fluidique.
Cet ouvrage traite des technologies et procédés incontournables et principalement utilisés dans la fabrication industrielle de microprocesseurs et autres composants électroniques. Destinés aux ingénieurs et chercheurs novices, cet ouvrage permettra aux lecteurs plus expérimentés de parfaire leurs connaissances sur des techniques en constante évolution.Note de contenu :
Préface.
Les imagiciens.
L'alchimie de la représentation des origines à la nanosphère.
Introduction.
Enjeux de la lithographie.
Chapitre 1. La photolithographie.
Chapitre 2. Lithographie extrême ultraviolet.
Chapitre 3. Lithographie électronique.
Chapitre 4. L'écriture par faisceau d'ions focalisés.
Chapitre 5. L'optique des particules chargées.
Chapitre 6. Résines pour la lithographie.
Conclusion.
Bibliographie.
Index.Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=10972 Réservation
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité EG498/1 EG498 Livre Magasin d'Ouvrages / FGE Electronique générale Consultation sur place
Exclu du prêtEG498/2 EG498 Livre Magasin d'Ouvrages / FGE Electronique générale Disponible Aucun avis, veuillez vous identifier pour ajouter le vôtre !
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