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Auteur Chertouk Mourad |
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Ajouter le résultat dans votre panier Faire une suggestion Affiner la recherche Interroger des sources externesConception et simulation d’un capteur de champ magnétique à effet Hall compatible avec la technologie CMOS / Lynda Bouchene (2018)
Titre : Conception et simulation d’un capteur de champ magnétique à effet Hall compatible avec la technologie CMOS Type de document : theses et memoires Auteurs : Lynda Bouchene ; Chertouk Mourad ; Farida Nemmar (ép. Belhocine), Directeur de thèse Editeur : Tizi-Ouzou : UMMTO F.G.E.I Année de publication : 2018 Importance : 47 p. Présentation : ill. Format : 30cm. Note générale : Bibliogr Langues : Français Mots-clés : Capteur Effet hall Simulateur Technologie CMOS Magnétomètres SILVACO Résumé : Le capteur de champ magnétique à effet hall fait partie des capteurs intégré, il permet la mesure de champ magnétique avec une grande résolution.
L’objectif principal de ce travail est de déterminé les paramètres de conception du capteur à effet hall pour une technologie de 1µmétre et une sensibilité de 13V/T, afin faire la conception et la simulation de ce dernier par le simulateur SILVACO et le dessin de masque sur logiciel CADENCE pour bien comprendre le comportement de ce capteur et son principe de fonctionnement. On a fait aussi une partie théorique contenant des généralités et de notions de base sur les capteurs de champ magnétique.
La conception et la simulation nous a permis de définir les différentes étapes de fabrication de capteur à effet hall.En ligne : https://dl.ummto.dz/bitstream/handle/ummto/6497/BoucheneLynda_ChertoukMourad.pdf [...] Format de la ressource électronique : Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=33687 Conception et simulation d’un capteur de champ magnétique à effet Hall compatible avec la technologie CMOS [theses et memoires] / Lynda Bouchene ; Chertouk Mourad ; Farida Nemmar (ép. Belhocine), Directeur de thèse . - Tizi-Ouzou (Tizi-Ouzou) : UMMTO F.G.E.I, 2018 . - 47 p. : ill. ; 30cm.
Bibliogr
Langues : Français
Mots-clés : Capteur Effet hall Simulateur Technologie CMOS Magnétomètres SILVACO Résumé : Le capteur de champ magnétique à effet hall fait partie des capteurs intégré, il permet la mesure de champ magnétique avec une grande résolution.
L’objectif principal de ce travail est de déterminé les paramètres de conception du capteur à effet hall pour une technologie de 1µmétre et une sensibilité de 13V/T, afin faire la conception et la simulation de ce dernier par le simulateur SILVACO et le dessin de masque sur logiciel CADENCE pour bien comprendre le comportement de ce capteur et son principe de fonctionnement. On a fait aussi une partie théorique contenant des généralités et de notions de base sur les capteurs de champ magnétique.
La conception et la simulation nous a permis de définir les différentes étapes de fabrication de capteur à effet hall.En ligne : https://dl.ummto.dz/bitstream/handle/ummto/6497/BoucheneLynda_ChertoukMourad.pdf [...] Format de la ressource électronique : Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=33687 Réservation
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