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| Titre : | Comparaison des performances d'une inductance en bande millimétrique sur substrats silicium standard et poreux | | Type de document : | theses et memoires | | Auteurs : | Lydia Chana ; Debiane Sara ; Dalila Hocine, Directeur de thèse | | Editeur : | Tizi.Ouzou : U.M.M.T.O | | Année de publication : | 2020 | | Importance : | 68 p. | | Présentation : | ill. | | Format : | 30 cm. | | Note générale : | Bibliogr. | | Langues : | Français | | Mots-clés : | Inductance Radiofréquence (RF) Silicium poreux (PSi) Systèmes sans fil Inductances planaires Réseau vectoriel. | | Résumé : | La technologie SOI (Silicon-on-Insulator), au vue de sa maturité et ses avantages par rapport à ceux de la technologie silicium Bulk, est considérée très prometteuse pour répondre aux exigences accrues du marché des télécommunications sans fil en termes de faible coût, compatibilité CMOS, faibles pertes du substrat et capacité de fabrication des systèmes sur puce à faible consommation de puissance. Ainsi, les substrats à base du silicium de haute qualité et les composants RF de haute performance sont très demandés. Le substrat en silicium poreux (PSi) est très prometteur pour les circuits intégrés de communication sans-fil de prochaine génération nécessitant l'élimination des pertes en haute fréquence provenant du substrat silicium massif. C’est dans ce contexte que le travail vise à démontrer l’applicabilité du substrat silicium poreux PSi pour la conception des circuits RF fonctionnant en bande millimétrique, une inductance sera intégrée. Une comparaison entre les performances de cette inductance en bande millimétrique en terme de paramètres S et de facteur de qualité sur les substrats étudiés sera faite. | | En ligne : | D:\CD THESES 2020\RETARDATAIRES\CHANA LYDIA; DEBIANE SARA.PDF | | Format de la ressource électronique : | PDF | | Permalink : | ./index.php?lvl=notice_display&id=35779 |
Comparaison des performances d'une inductance en bande millimétrique sur substrats silicium standard et poreux [theses et memoires] / Lydia Chana ; Debiane Sara ; Dalila Hocine, Directeur de thèse . - Tizi.Ouzou (Tizi.Ouzou) : U.M.M.T.O, 2020 . - 68 p. : ill. ; 30 cm. Bibliogr. Langues : Français | Mots-clés : | Inductance Radiofréquence (RF) Silicium poreux (PSi) Systèmes sans fil Inductances planaires Réseau vectoriel. | | Résumé : | La technologie SOI (Silicon-on-Insulator), au vue de sa maturité et ses avantages par rapport à ceux de la technologie silicium Bulk, est considérée très prometteuse pour répondre aux exigences accrues du marché des télécommunications sans fil en termes de faible coût, compatibilité CMOS, faibles pertes du substrat et capacité de fabrication des systèmes sur puce à faible consommation de puissance. Ainsi, les substrats à base du silicium de haute qualité et les composants RF de haute performance sont très demandés. Le substrat en silicium poreux (PSi) est très prometteur pour les circuits intégrés de communication sans-fil de prochaine génération nécessitant l'élimination des pertes en haute fréquence provenant du substrat silicium massif. C’est dans ce contexte que le travail vise à démontrer l’applicabilité du substrat silicium poreux PSi pour la conception des circuits RF fonctionnant en bande millimétrique, une inductance sera intégrée. Une comparaison entre les performances de cette inductance en bande millimétrique en terme de paramètres S et de facteur de qualité sur les substrats étudiés sera faite. | | En ligne : | D:\CD THESES 2020\RETARDATAIRES\CHANA LYDIA; DEBIANE SARA.PDF | | Format de la ressource électronique : | PDF | | Permalink : | ./index.php?lvl=notice_display&id=35779 |
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