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| Titre : | Caractérisation de Dispositifs MOSFETs Fortement Submicronique par les techniques Courants Tensions I(V) | | Type de document : | theses et memoires | | Auteurs : | Ahcène Lakhlef ; Arezki Benfdila, Directeur de thèse | | Editeur : | Tizi Ouzou : UMMTO.FGEI | | Année de publication : | 2016 | | Importance : | 104 p. | | Présentation : | ill. | | Format : | 30 cm. | | Note générale : | Bibliogr. | | Langues : | Français | | Mots-clés : | Courant de drain Caractérisation FDSOI Mobilité du canal Capacité grille canal Charge du canal Extraction de paramètres | | Résumé : | Au cours de cette these, une premiere partie est reservee aux mesures des caracteristique I(V), C(V) en regime statique et pompage de charge, ont ete effectues sur differentes technologies 180 nm totalement silicium, 45 nm a oxyde nitrure avec un canal dope retrograde (poches) et les transistors 32 nm realises sur substrat SOI. Cette technologie FDSOI utilise de nouveaux materiaux, constituee d'une grille metallique a base du TiN et d'un oxyde de grille haute permittivite (Hk ) de type oxyde de hafnium (HfO2. La caracterisation de l'ensemble de ces trois technologies au laboratoire IMEP Grenoble et leurs caracteristiques ont ete exploitees pour montrer l'evolution en performances de chaque technologie. Ces performances ont ete explorees en utilisant les techniques d'extraction des parametres electriques et geometriques.
Les parametres extraient des caracteristiques experimentes des MOSFETs sont : la tension de seuil Vth, mobilite a faible champ µ0, les coefficients d'attenuation de la mobilite ƒÆ1 et ƒÆ2, les resistances series RSD ainsi que les longueurs effectives Leff.
Dans la deuxieme partie l'interet reside dans le developpement d4un modele analytique unifie du courant de drain. L'expression analytique du modele engendre tous les regimes de fonctionnement de TMOS notamment les zones sous le seuil, inversions faible et forte par rapport a la tension de commande de grille Vgs, ainsi que l'union des deux zones de
fonctionnement lineaire et sature par rapport a la tension Vds.
L'expression du modele analytique developpe dans cette these a permet son utilisation a l'extraction de tous les parametres electriques et physiques, ce qui enrichit le domaine de la caracterisation des MOSFETs en nanotechnologies.
Il est attendu en perspective d'introduire d'autres parametres pour generaliser le modele a d'autres courants constituant les MOSFETs en technologie avancee. | | En ligne : | https://dl.ummto.dz/bitstream/handle/ummto/1342/LAKHLEF%20AHCENE.pdf?sequence=1& [...] | | Format de la ressource électronique : | PDF | | Permalink : | ./index.php?lvl=notice_display&id=24707 |
Caractérisation de Dispositifs MOSFETs Fortement Submicronique par les techniques Courants Tensions I(V) [theses et memoires] / Ahcène Lakhlef ; Arezki Benfdila, Directeur de thèse . - Tizi Ouzou (Tizi Ouzou) : UMMTO.FGEI, 2016 . - 104 p. : ill. ; 30 cm. Bibliogr. Langues : Français | Mots-clés : | Courant de drain Caractérisation FDSOI Mobilité du canal Capacité grille canal Charge du canal Extraction de paramètres | | Résumé : | Au cours de cette these, une premiere partie est reservee aux mesures des caracteristique I(V), C(V) en regime statique et pompage de charge, ont ete effectues sur differentes technologies 180 nm totalement silicium, 45 nm a oxyde nitrure avec un canal dope retrograde (poches) et les transistors 32 nm realises sur substrat SOI. Cette technologie FDSOI utilise de nouveaux materiaux, constituee d'une grille metallique a base du TiN et d'un oxyde de grille haute permittivite (Hk ) de type oxyde de hafnium (HfO2. La caracterisation de l'ensemble de ces trois technologies au laboratoire IMEP Grenoble et leurs caracteristiques ont ete exploitees pour montrer l'evolution en performances de chaque technologie. Ces performances ont ete explorees en utilisant les techniques d'extraction des parametres electriques et geometriques.
Les parametres extraient des caracteristiques experimentes des MOSFETs sont : la tension de seuil Vth, mobilite a faible champ µ0, les coefficients d'attenuation de la mobilite ƒÆ1 et ƒÆ2, les resistances series RSD ainsi que les longueurs effectives Leff.
Dans la deuxieme partie l'interet reside dans le developpement d4un modele analytique unifie du courant de drain. L'expression analytique du modele engendre tous les regimes de fonctionnement de TMOS notamment les zones sous le seuil, inversions faible et forte par rapport a la tension de commande de grille Vgs, ainsi que l'union des deux zones de
fonctionnement lineaire et sature par rapport a la tension Vds.
L'expression du modele analytique developpe dans cette these a permet son utilisation a l'extraction de tous les parametres electriques et physiques, ce qui enrichit le domaine de la caracterisation des MOSFETs en nanotechnologies.
Il est attendu en perspective d'introduire d'autres parametres pour generaliser le modele a d'autres courants constituant les MOSFETs en technologie avancee. | | En ligne : | https://dl.ummto.dz/bitstream/handle/ummto/1342/LAKHLEF%20AHCENE.pdf?sequence=1& [...] | | Format de la ressource électronique : | PDF | | Permalink : | ./index.php?lvl=notice_display&id=24707 |
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Caractérisation de Dispositifs MOSFETs Fortement Submicronique par les techniques Courants Tensions I(V) (2016) 
