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| Titre : | Détection et amplification d'un signal optique ranan sur des couches ultraminces de semi- conducteurs lamellaires de GaSe et InSe. | | Type de document : | theses et memoires | | Auteurs : | lounes Amara ; Mohammed Said Belkaid, Directeur de thèse | | Editeur : | Tizi Ouzou : UMMTO.FGEI | | Année de publication : | 2012 | | Importance : | 131 p. | | Présentation : | ill. | | Format : | 30 cm. | | Note générale : | Bibliogr. | | Langues : | Français | | Mots-clés : | Signal Raman optique Lamellaires semi-conducteurs GaSe et InSe Détection et amplification Spectre Raman Système hétérostructures
usité (GaSe / SiO2 / Ag) | | Résumé : | La compréhension des théories Raman et photoluminescence ainsi que leurs mises en pratiques
on mit en évidence les caractéristiques vibratoires et électroniques des lamellaires semiconducteurs
en couches minces de GaSe et InSe . Ce qui a permis leur évolution vers une bonne
qualité pour des épaisseurs supérieure à 500 A° par comparaison avec leurs massifs.
Puis, on a démontré par la théorie et l’expérience la linéarité de l’intensité Raman avec
l’épaisseur de l’échantillon. On a conclu à l’impossibilité de mettre en évidence les spectres
Raman des couches ultra-minces d’épaisseurs inférieures à 500 A°.
Ce qui nous a amené a imaginé le système hétérostructure (GaSe / SiO2 / Ag ) pour
amplifier et détecter le signal optique. Ce qui s’est avéré réalisable pour une géométrie
optique (Incidence presque rasante) où le coefficient d’absorption est assez grand et ce
pour des couches ultra-mince de GaSe d’épaisseur e = 450 A°.
L’analyse des spectres Raman de, ces couches ultra-minces par rapport aux spectres des
couches minces et massives de GaSe étudiées le confirme. En effet, on y retrouve les
raies de vibrations Raman obtenues par les mêmes géométries optiques avec des analyses
répétitives sur deux échantillons différents.
Il est, alors, possible d’appliquer ce système d’amplification, pour augmenter l’absorption
optique d’une certaine onde monochromatique dans une diode photovoltaïque au silicium
ou tout autre semi-conducteur afin d’y augmenter la conduction électrique.
Mots clés utilisés : Signal Raman optique -- Lamellaires semi-conducteurs GaSe et InSe-- | | En ligne : | https://dl.ummto.dz/bitstream/handle/ummto/569/Amara%20loun%c3%a9s.PDF?sequence= [...] | | Format de la ressource électronique : | PDF | | Permalink : | ./index.php?lvl=notice_display&id=24787 |
Détection et amplification d'un signal optique ranan sur des couches ultraminces de semi- conducteurs lamellaires de GaSe et InSe. [theses et memoires] / lounes Amara ; Mohammed Said Belkaid, Directeur de thèse . - Tizi Ouzou (Tizi Ouzou) : UMMTO.FGEI, 2012 . - 131 p. : ill. ; 30 cm. Bibliogr. Langues : Français | Mots-clés : | Signal Raman optique Lamellaires semi-conducteurs GaSe et InSe Détection et amplification Spectre Raman Système hétérostructures
usité (GaSe / SiO2 / Ag) | | Résumé : | La compréhension des théories Raman et photoluminescence ainsi que leurs mises en pratiques
on mit en évidence les caractéristiques vibratoires et électroniques des lamellaires semiconducteurs
en couches minces de GaSe et InSe . Ce qui a permis leur évolution vers une bonne
qualité pour des épaisseurs supérieure à 500 A° par comparaison avec leurs massifs.
Puis, on a démontré par la théorie et l’expérience la linéarité de l’intensité Raman avec
l’épaisseur de l’échantillon. On a conclu à l’impossibilité de mettre en évidence les spectres
Raman des couches ultra-minces d’épaisseurs inférieures à 500 A°.
Ce qui nous a amené a imaginé le système hétérostructure (GaSe / SiO2 / Ag ) pour
amplifier et détecter le signal optique. Ce qui s’est avéré réalisable pour une géométrie
optique (Incidence presque rasante) où le coefficient d’absorption est assez grand et ce
pour des couches ultra-mince de GaSe d’épaisseur e = 450 A°.
L’analyse des spectres Raman de, ces couches ultra-minces par rapport aux spectres des
couches minces et massives de GaSe étudiées le confirme. En effet, on y retrouve les
raies de vibrations Raman obtenues par les mêmes géométries optiques avec des analyses
répétitives sur deux échantillons différents.
Il est, alors, possible d’appliquer ce système d’amplification, pour augmenter l’absorption
optique d’une certaine onde monochromatique dans une diode photovoltaïque au silicium
ou tout autre semi-conducteur afin d’y augmenter la conduction électrique.
Mots clés utilisés : Signal Raman optique -- Lamellaires semi-conducteurs GaSe et InSe-- | | En ligne : | https://dl.ummto.dz/bitstream/handle/ummto/569/Amara%20loun%c3%a9s.PDF?sequence= [...] | | Format de la ressource électronique : | PDF | | Permalink : | ./index.php?lvl=notice_display&id=24787 |
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Détection et amplification d'un signal optique ranan sur des couches ultraminces de semi- conducteurs lamellaires de GaSe et InSe. (2012) 
