Titre : | Etude des Chalcogénures de métaux de transition (MoS2, WS2, MoSe2, WSe2) en couches minces pour des applications photovoltaïques | Type de document : | theses et memoires | Auteurs : | Kamel Bouguerrouma ; Rezki Ziani, Directeur de thèse | Editeur : | Tizi Ouzou : UMMTO.FGEI | Année de publication : | 2016 | Importance : | 89 p. | Présentation : | ill. | Format : | 30 cm. | Note générale : | Bibliogr. | Langues : | Français | Mots-clés : | Semi-conducteurs Chalcogénures Couches minces Photovoltaïque Métaux de transition MoS2 WS2 MoSe2 WSe2. | Résumé : | Cette thèse a pour objet l’étude des propriétés électroniques et structurales des chalcogénures de métaux de transition MX2 (MoS2, WS2, MoSe2, WSe2) sous forme de couches minces pour des applications photovaltaiques.
Nous nous sommes tout d’abord intéressés à l’étude de ces matériaux sous leurs formes monocristallines (massive), nanoparticules et nanotubes. Nous avons montré que tous ces matériaux présentent des caractéristiques optiques et électroniques très intéressantes qui les rendent attractifs pour des applications photovoltaïques. Ils sont des semi-conducteurs lamellaires caractérisés par une bande d’énergie interdite indirecte et des transitions directes avec un coefficient d’absorption très important.
Nous avons présentés aussi les différentes techniques de leurs élaborations et caractérisation sous forme de couches minces.
Nous nous sommes ensuite intéressés aux couches minces de ces matériaux. Nous avons étudié l’influence du confinement quantique sur leurs structures électroniques. Leur principale caractéristique est la variation du gap électronique en fonction de l’épaisseur des couches. Ils deviennent tous des semi-conducteurs à gap direct sous forme de monocouches. L’étude spectroscopique Raman et photoluminescence ont permis la détermination des différentes propriétés optiques et optoélectroniques de ces matériaux. | En ligne : | https://dl.ummto.dz/bitstream/handle/ummto/433/Bouguerrouma%20k..pdf?sequence=1& [...] | Format de la ressource électronique : | PDF | Permalink : | ./index.php?lvl=notice_display&id=24987 |
Etude des Chalcogénures de métaux de transition (MoS2, WS2, MoSe2, WSe2) en couches minces pour des applications photovoltaïques [theses et memoires] / Kamel Bouguerrouma ; Rezki Ziani, Directeur de thèse . - Tizi Ouzou (Tizi Ouzou) : UMMTO.FGEI, 2016 . - 89 p. : ill. ; 30 cm. Bibliogr. Langues : Français Mots-clés : | Semi-conducteurs Chalcogénures Couches minces Photovoltaïque Métaux de transition MoS2 WS2 MoSe2 WSe2. | Résumé : | Cette thèse a pour objet l’étude des propriétés électroniques et structurales des chalcogénures de métaux de transition MX2 (MoS2, WS2, MoSe2, WSe2) sous forme de couches minces pour des applications photovaltaiques.
Nous nous sommes tout d’abord intéressés à l’étude de ces matériaux sous leurs formes monocristallines (massive), nanoparticules et nanotubes. Nous avons montré que tous ces matériaux présentent des caractéristiques optiques et électroniques très intéressantes qui les rendent attractifs pour des applications photovoltaïques. Ils sont des semi-conducteurs lamellaires caractérisés par une bande d’énergie interdite indirecte et des transitions directes avec un coefficient d’absorption très important.
Nous avons présentés aussi les différentes techniques de leurs élaborations et caractérisation sous forme de couches minces.
Nous nous sommes ensuite intéressés aux couches minces de ces matériaux. Nous avons étudié l’influence du confinement quantique sur leurs structures électroniques. Leur principale caractéristique est la variation du gap électronique en fonction de l’épaisseur des couches. Ils deviennent tous des semi-conducteurs à gap direct sous forme de monocouches. L’étude spectroscopique Raman et photoluminescence ont permis la détermination des différentes propriétés optiques et optoélectroniques de ces matériaux. | En ligne : | https://dl.ummto.dz/bitstream/handle/ummto/433/Bouguerrouma%20k..pdf?sequence=1& [...] | Format de la ressource électronique : | PDF | Permalink : | ./index.php?lvl=notice_display&id=24987 |
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