Titre :	Etude et caractérisation des transistors VDMOS de puissance sous contrainte BTS.
Type de document :	theses et memoires
Auteurs :	ALI Guenoun, Auteur ; Mohamed Goudjil, Directeur de thèse
Editeur :	Tizi Ouzou : UMMTO.FGEI
Année de publication :	2014
Importance :	61p.
Présentation :	ill.
Format :	30 cm.
Note générale :	Bibliogr.
Langues :	Français
Mots-clés :	MOSFET  VDMOSFET  Contrainte BTS  Caractérisation  Dégradation  NBTI/PBTI.
Résumé :	Les transistors de puissance constituent un axe de recherche très fertile et permet être appliqué dans plusieurs système et différentes domaines. Au cours de ce mémoire nous somme intéressées à l’étude et caractérisation des transistors VDMOSFETs de puissance sous contrainte BTS. Après avoir décrit l’état de l’art sur les transistors MOSFETs. Ainsi une étude sur leur fiabilité, nous avons procédé l’étude des différentes paramètres électriques du transistor VDMOS BS108 en utilisant la technique I(V), avec l’appareille Tektronix A370 et un logiciel LabVIEW pour faire un Banc de mesure adéquat, dans le but d’étudier la dégradation NBTI et PBTI à température ambiante.
En ligne :	https://dl.ummto.dz/bitstream/handle/ummto/7309/GuenounALI.pdf?sequence=1&isAllo [...]
Format de la ressource électronique :	PDF
Permalink :	./index.php?lvl=notice_display&id=25420

Etude et caractérisation des transistors VDMOS de puissance sous contrainte BTS. [theses et memoires] / ALI Guenoun, Auteur ; Mohamed Goudjil, Directeur de thèse . - Tizi Ouzou (Tizi Ouzou) : UMMTO.FGEI, 2014 . - 61p. : ill. ; 30 cm.
Bibliogr.
Langues : Français

Mots-clés :	MOSFET  VDMOSFET  Contrainte BTS  Caractérisation  Dégradation  NBTI/PBTI.
Résumé :	Les transistors de puissance constituent un axe de recherche très fertile et permet être appliqué dans plusieurs système et différentes domaines. Au cours de ce mémoire nous somme intéressées à l’étude et caractérisation des transistors VDMOSFETs de puissance sous contrainte BTS. Après avoir décrit l’état de l’art sur les transistors MOSFETs. Ainsi une étude sur leur fiabilité, nous avons procédé l’étude des différentes paramètres électriques du transistor VDMOS BS108 en utilisant la technique I(V), avec l’appareille Tektronix A370 et un logiciel LabVIEW pour faire un Banc de mesure adéquat, dans le but d’étudier la dégradation NBTI et PBTI à température ambiante.
En ligne :	https://dl.ummto.dz/bitstream/handle/ummto/7309/GuenounALI.pdf?sequence=1&isAllo [...]
Format de la ressource électronique :	PDF
Permalink :	./index.php?lvl=notice_display&id=25420