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| Titre : | Etude et simulation d’un transistor VDMOS avec TCAD SILVACO | | Type de document : | theses et memoires | | Auteurs : | Ridha Houari, Auteur ; Mohamed Goudjil, Directeur de thèse | | Editeur : | Tizi Ouzou : UMMTO.FGEI | | Année de publication : | 2014 | | Importance : | 51 p. | | Présentation : | ill. | | Format : | 30 cm. | | Note générale : | Bibliogr. | | Langues : | Français | | Mots-clés : | VDMOSFET , la technologie de fabrication des CI , SILVACO TCAD . | | Résumé : | L’électronique de puissance constitue de différentes axes de recherche qui nous a
permet de les appliqué dans plusieurs système et différentes domaines. Au cours de ce
mémoire nous somme intéressées à l’étude géométriques et technologique des transistors
VDMOSFET de puissance , après avoir décrit l’état de l’art sur les transistors
MOSFETs. Ainsi après avoir décrit les différentes étapes élémentaires de fabrication des
circuits intégrés . ensuite , nous avons procédé a la simulation de transistor VDMOS
avec le logiciel SILVACO TCAD en utilisant ces deus simulateur ATHENA , ATLAS | | En ligne : | https://dl.ummto.dz/bitstream/handle/ummto/7405/HouariRidha.pdf?sequence=1&isAll [...] | | Format de la ressource électronique : | PDF | | Permalink : | ./index.php?lvl=notice_display&id=25432 |
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Etude et simulation d’un transistor VDMOS avec TCAD SILVACO (2014) 
