Titre : | Utilisation de dioxyde d'étain SnO2 de Zinc ZnO comme couche antireflet pour une cellule solaire à base silicium. | Type de document : | theses et memoires | Auteurs : | Ali Hamroun ; Samir Ziani ; Farida Nemmar (ép. Belhocine), Directeur de thèse | Editeur : | Tizi Ouzou : UMMTO.FGEI | Année de publication : | 2015 | Importance : | 53 p. | Présentation : | ill. | Format : | 30 cm. | Note générale : | Bibliogr. | Langues : | Français | Mots-clés : | Photovoltaïque céllule solaire TCO Couche antireflet ZnO SnO2 simulation PC1D . | Résumé : | Au cours de ce travail, nous avons étudier l’utilisation des TCOs (Oxyde Transparents
Conducteur), (le dioxyde d’étain SnO2 et l’oxyde de zinc ZnO ) comme couche antireflet pour
une cellule solaire à base de silicium, aussi leurs bonne conductivité électrique combinée Ã
une transparence élevée nous permet de les utilisés comme électrode transparente. Afin
d’optimiser l’influence de ces couches, soit de SnO2 ou de ZnO sur les paramètres de la
cellule [Si(N++)-Si(P)], on a utilisé une simulation numérique à une dimension PC1D, on
tenant compte des variations de la réflexion, l’épaisseur et le dopage de ces couches. En effet
les résultats de la simulation montrent que ces paramètres jouent un rôle primordial dans les
performances de la cellule, d’après une comparaison entre les trois cellules [Si(N++)-Si(P)],
[SnO2 -Si(N++)-Si(P)], [ZnO-Si(N++)-Si(P)], l’utilisation de couche antireflet à la surface de la
cellule homo-jonction apporte une amélioration importante sur ces paramètres à savoir le
courant de court circuit (Icc) qui augmente de 0.0088 A et l’augmentation du rendement de
4.4 % pour la couche antireflet SnO2, et de 4.5 % pour la couche antireflet ZnO. Ces résultats
montrent aussi que la cellule [ ZnO-Si(N++)-Si(P) ] de (17.3 %) Ã un bon rendement que la
cellule [SnO2-Si(N++)-Si(P)] (17.2 %) . | En ligne : | https://dl.ummto.dz/bitstream/handle/ummto/6760/HamrounAli_ZianiS.pdf?sequence=1 [...] | Format de la ressource électronique : | PDF | Permalink : | ./index.php?lvl=notice_display&id=25575 |
Utilisation de dioxyde d'étain SnO2 de Zinc ZnO comme couche antireflet pour une cellule solaire à base silicium. [theses et memoires] / Ali Hamroun ; Samir Ziani ; Farida Nemmar (ép. Belhocine), Directeur de thèse . - Tizi Ouzou (Tizi Ouzou) : UMMTO.FGEI, 2015 . - 53 p. : ill. ; 30 cm. Bibliogr. Langues : Français Mots-clés : | Photovoltaïque céllule solaire TCO Couche antireflet ZnO SnO2 simulation PC1D . | Résumé : | Au cours de ce travail, nous avons étudier l’utilisation des TCOs (Oxyde Transparents
Conducteur), (le dioxyde d’étain SnO2 et l’oxyde de zinc ZnO ) comme couche antireflet pour
une cellule solaire à base de silicium, aussi leurs bonne conductivité électrique combinée Ã
une transparence élevée nous permet de les utilisés comme électrode transparente. Afin
d’optimiser l’influence de ces couches, soit de SnO2 ou de ZnO sur les paramètres de la
cellule [Si(N++)-Si(P)], on a utilisé une simulation numérique à une dimension PC1D, on
tenant compte des variations de la réflexion, l’épaisseur et le dopage de ces couches. En effet
les résultats de la simulation montrent que ces paramètres jouent un rôle primordial dans les
performances de la cellule, d’après une comparaison entre les trois cellules [Si(N++)-Si(P)],
[SnO2 -Si(N++)-Si(P)], [ZnO-Si(N++)-Si(P)], l’utilisation de couche antireflet à la surface de la
cellule homo-jonction apporte une amélioration importante sur ces paramètres à savoir le
courant de court circuit (Icc) qui augmente de 0.0088 A et l’augmentation du rendement de
4.4 % pour la couche antireflet SnO2, et de 4.5 % pour la couche antireflet ZnO. Ces résultats
montrent aussi que la cellule [ ZnO-Si(N++)-Si(P) ] de (17.3 %) Ã un bon rendement que la
cellule [SnO2-Si(N++)-Si(P)] (17.2 %) . | En ligne : | https://dl.ummto.dz/bitstream/handle/ummto/6760/HamrounAli_ZianiS.pdf?sequence=1 [...] | Format de la ressource électronique : | PDF | Permalink : | ./index.php?lvl=notice_display&id=25575 |
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