Titre :	Caracterisation de transistor mosfet submicronique
Type de document :	theses et memoires
Auteurs :	Kahina Yermeche, Auteur ; Ahcène Lakhlef, Directeur de thèse
Editeur :	Tizi Ouzou : UMMTO.FGEI
Année de publication :	2014
Importance :	60 p.
Présentation :	ill.
Format :	30 cm.
Note générale :	Bibliogr.
Langues :	Français
Mots-clés :	MOSFET  Effets de canaux courts  Extraction des paramètres  Ionisation par impact  Effets des porteurs chauds.
Résumé :	L’objet de notre travail est relatif à une analyse prospective de l’évolution des effets de canal court compte tenu de l’avancée des technologies induite par la miniaturisation, particulièrement pour des transistors MOS de longueur submicronique. Nous introduisons les effets liés à la réduction des dimensions; Les effets de canaux courts ont été étudiés. Les effets des porteurs chauds ont été également analysés. Nous représentons l'extraction des paramètres électriques à l’aide de la technique de mesure I (V) qui prend en compte le deuxième facteur d’atténuation de la mobilité et de la tension de seuil. Ainsi que les solutions technologiques qui ont été proposées pour contrer les effets de canaux courts et de porteurs chauds. ___________________________________________________________________________
En ligne :	https://dl.ummto.dz/bitstream/handle/ummto/7441/YermecheKahina.pdf?sequence=1&is [...]
Format de la ressource électronique :	PDF
Permalink :	./index.php?lvl=notice_display&id=25907

Caracterisation de transistor mosfet submicronique [theses et memoires] / Kahina Yermeche, Auteur ; Ahcène Lakhlef, Directeur de thèse . - Tizi Ouzou (Tizi Ouzou) : UMMTO.FGEI, 2014 . - 60 p. : ill. ; 30 cm.
Bibliogr.
Langues : Français

Mots-clés :	MOSFET  Effets de canaux courts  Extraction des paramètres  Ionisation par impact  Effets des porteurs chauds.
Résumé :	L’objet de notre travail est relatif à une analyse prospective de l’évolution des effets de canal court compte tenu de l’avancée des technologies induite par la miniaturisation, particulièrement pour des transistors MOS de longueur submicronique. Nous introduisons les effets liés à la réduction des dimensions; Les effets de canaux courts ont été étudiés. Les effets des porteurs chauds ont été également analysés. Nous représentons l'extraction des paramètres électriques à l’aide de la technique de mesure I (V) qui prend en compte le deuxième facteur d’atténuation de la mobilité et de la tension de seuil. Ainsi que les solutions technologiques qui ont été proposées pour contrer les effets de canaux courts et de porteurs chauds. ___________________________________________________________________________
En ligne :	https://dl.ummto.dz/bitstream/handle/ummto/7441/YermecheKahina.pdf?sequence=1&is [...]
Format de la ressource électronique :	PDF
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