Titre :	Etude et réalisation des couches minces de ZnO pour application photovoltaïque
Type de document :	theses et memoires
Auteurs :	Mourad Othmane cherif, Auteur ; Farida Nemmar (ép. Belhocine), Directeur de thèse
Editeur :	Tizi Ouzou : UMMTO.FGEI
Année de publication :	2011
Importance :	74 p.
Présentation :	ill.
Format :	30 cm.
Note générale :	bibliogr.
Langues :	Français
Mots-clés :	TCO  APCVD. Couches minces de Zno  Photovoltaique  Oxydes transparents et conducteurs (TCO), Technique de dépôt APCVD, cellules
Résumé :	Résumé Le travail présenté dans ce mémoire porte sur la réalisation et l’étude des propriétés de couches minces d’oxyde de zinc (ZnO). Ce dernier est un semi-conducteur de type n à gap direct d’environ 3,3 eV, ce qui permet de le classer parmi les semi-conducteurs à large bande interdite. Il présente des caractéristiques intéressantes, permettant son utilisation dans les dispositifs à conversion photovoltaïque de l’énergie solaire. Pour réaliser ces dépôts, nous avons utilisé la technique de déposition en phase vapeur à pression atmosphérique (APCVD). Cette technique présente l’avantage de s’effectuer sous air, ce qui réduit le cout de sa mise en oeuvre relativement aux techniques qui utilisent du vide.
En ligne :	https://dl.ummto.dz/bitstream/handle/ummto/8352/OtmanecherifMourad.pdf?sequence= [...]
Format de la ressource électronique :	PDF
Permalink :	./index.php?lvl=notice_display&id=27239

Etude et réalisation des couches minces de ZnO pour application photovoltaïque [theses et memoires] / Mourad Othmane cherif, Auteur ; Farida Nemmar (ép. Belhocine), Directeur de thèse . - Tizi Ouzou (Tizi Ouzou) : UMMTO.FGEI, 2011 . - 74 p. : ill. ; 30 cm.
bibliogr.
Langues : Français

Mots-clés :	TCO  APCVD. Couches minces de Zno  Photovoltaique  Oxydes transparents et conducteurs (TCO), Technique de dépôt APCVD, cellules
Résumé :	Résumé Le travail présenté dans ce mémoire porte sur la réalisation et l’étude des propriétés de couches minces d’oxyde de zinc (ZnO). Ce dernier est un semi-conducteur de type n à gap direct d’environ 3,3 eV, ce qui permet de le classer parmi les semi-conducteurs à large bande interdite. Il présente des caractéristiques intéressantes, permettant son utilisation dans les dispositifs à conversion photovoltaïque de l’énergie solaire. Pour réaliser ces dépôts, nous avons utilisé la technique de déposition en phase vapeur à pression atmosphérique (APCVD). Cette technique présente l’avantage de s’effectuer sous air, ce qui réduit le cout de sa mise en oeuvre relativement aux techniques qui utilisent du vide.
En ligne :	https://dl.ummto.dz/bitstream/handle/ummto/8352/OtmanecherifMourad.pdf?sequence= [...]
Format de la ressource électronique :	PDF
Permalink :	./index.php?lvl=notice_display&id=27239