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[article] | Titre : | Diodes laser pour les télécommunications optiques | | Type de document : | texte imprime | | Année de publication : | 2008 | | Article en page(s) : | 1-12p. | | Note générale : | bibiogr. | | Langues : | Français | | Mots-clés : | Diodes laser Boîtes quantiques Semi-conductrices | | Résumé : | Les diodes laser commercialisées actuellement sont élaborées à partir de puits quantiques, couches minces semi-conductrices d’épaisseur nanométrique. De nombreuses études sont aujourd’hui consacrées aux boîtes quantiques semi-conductrices, nanostructures capables de confiner les électrons à l’échelle du nanomètre dans toutes les directions de l’espace. Leurs caractéristiques supérieures à celles des diodes à puits quantique, notamment une réduction de la densité de courant de seuil et une plus grande stabilité en température, en font d’excellents candidats pour le marché des télécommunications optiques. | | Note de contenu : | INTRODUCTION
1 - DIODES LASER
1.1 - Contexte économique et technologique
1.2 - Principe de fonctionnement
1.3 - Principales caractéristiques
2 - BOÎTES QUANTIQUES AUTOASSEMBLÉES
2.1 - Effet du confinement électronique sur la densité d’états
2.2 - Avantages d’une densité d’états discrète
2.3 - Caractéristiques des boîtes quantiques de InAs
3 - LASERS À BOÎTES QUANTIQUES DE INAS/GAAS ÉMETTANT À 1 300 NM
3.1 - Émission laser depuis l’état excité
3.2 - Effet de l’augmentation de la densité des boîtes quantiques
4 - CONCLUSION | | Permalink : | ./index.php?lvl=notice_display&id=37025 |
in Electronique > E1/6 [01/08/2008] . - 1-12p.
[article] Diodes laser pour les télécommunications optiques [texte imprime] . - 2008 . - 1-12p. bibiogr. Langues : Français in Electronique > E1/6 [01/08/2008] . - 1-12p. | Mots-clés : | Diodes laser Boîtes quantiques Semi-conductrices | | Résumé : | Les diodes laser commercialisées actuellement sont élaborées à partir de puits quantiques, couches minces semi-conductrices d’épaisseur nanométrique. De nombreuses études sont aujourd’hui consacrées aux boîtes quantiques semi-conductrices, nanostructures capables de confiner les électrons à l’échelle du nanomètre dans toutes les directions de l’espace. Leurs caractéristiques supérieures à celles des diodes à puits quantique, notamment une réduction de la densité de courant de seuil et une plus grande stabilité en température, en font d’excellents candidats pour le marché des télécommunications optiques. | | Note de contenu : | INTRODUCTION
1 - DIODES LASER
1.1 - Contexte économique et technologique
1.2 - Principe de fonctionnement
1.3 - Principales caractéristiques
2 - BOÎTES QUANTIQUES AUTOASSEMBLÉES
2.1 - Effet du confinement électronique sur la densité d’états
2.2 - Avantages d’une densité d’états discrète
2.3 - Caractéristiques des boîtes quantiques de InAs
3 - LASERS À BOÎTES QUANTIQUES DE INAS/GAAS ÉMETTANT À 1 300 NM
3.1 - Émission laser depuis l’état excité
3.2 - Effet de l’augmentation de la densité des boîtes quantiques
4 - CONCLUSION | | Permalink : | ./index.php?lvl=notice_display&id=37025 |
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Diodes laser pour les télécommunications optiques in Electronique, E1/6 ([01/08/2008])
