Titre : | Caractérisation large bande des lignes coplanaires | Type de document : | theses et memoires | Auteurs : | Abdenour Fettouchi ; Mahmoudi Sonia ; Dalila Hocine, Directeur de thèse | Editeur : | Tizi-Ouzou : U.M.M.T.O T.O | Année de publication : | 2019 | Importance : | 60 p. | Présentation : | ill. | Format : | 30 cm | Note générale : | Bibliogr. | Langues : | Français | Mots-clés : | Silicium poreux (PSi) Fréquences millimétriques Lignes coplanaires (CPW). | Résumé : | Le substrat en silicium poreux est très prometteur pour les circuits intégrés de communication sans-fil de prochaine génération nécessitant l'élimination des pertes en haute fréquence provenant du substrat silicium bulk. Dans ce travail, le substrat en silicium poreux (PSi) a été introduit. Grâce aux mesures des performances RF, le substrat PSi proposé a été comparé aux substrats à base de silicium bulk, à savoir, le silicium standard (std), le silicium sur isolant a haute résistivité (HR) et le silicium riche en pièges (TR). Des lignes CPW (coplanar waveguide) ont été intégrées sur le substrat mentionné et une caractérisation jusqu’aux fréquences millimétriques (60 GHz) a été effectuée. Le nouveau substrat PSi a montré une réduction de la permittivité relative effective du substrat à des valeurs aussi basse que 3,7 et
une augmentation considérable de la résistivité effective à des valeurs supérieures à 7 k? cm. | En ligne : | D:\CD THESES 2019\MAST.ELN\FETTOUCHI ABDENOUR; MAHMOUDI SONIA.PDF | Format de la ressource électronique : | PDF | Permalink : | ./index.php?lvl=notice_display&id=34829 |
Caractérisation large bande des lignes coplanaires [theses et memoires] / Abdenour Fettouchi ; Mahmoudi Sonia ; Dalila Hocine, Directeur de thèse . - Tizi-Ouzou (Tizi-Ouzou) : U.M.M.T.O T.O, 2019 . - 60 p. : ill. ; 30 cm. Bibliogr. Langues : Français Mots-clés : | Silicium poreux (PSi) Fréquences millimétriques Lignes coplanaires (CPW). | Résumé : | Le substrat en silicium poreux est très prometteur pour les circuits intégrés de communication sans-fil de prochaine génération nécessitant l'élimination des pertes en haute fréquence provenant du substrat silicium bulk. Dans ce travail, le substrat en silicium poreux (PSi) a été introduit. Grâce aux mesures des performances RF, le substrat PSi proposé a été comparé aux substrats à base de silicium bulk, à savoir, le silicium standard (std), le silicium sur isolant a haute résistivité (HR) et le silicium riche en pièges (TR). Des lignes CPW (coplanar waveguide) ont été intégrées sur le substrat mentionné et une caractérisation jusqu’aux fréquences millimétriques (60 GHz) a été effectuée. Le nouveau substrat PSi a montré une réduction de la permittivité relative effective du substrat à des valeurs aussi basse que 3,7 et
une augmentation considérable de la résistivité effective à des valeurs supérieures à 7 k? cm. | En ligne : | D:\CD THESES 2019\MAST.ELN\FETTOUCHI ABDENOUR; MAHMOUDI SONIA.PDF | Format de la ressource électronique : | PDF | Permalink : | ./index.php?lvl=notice_display&id=34829 |
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