Caractérisation des dispositifs MOS par la technique capacité-tension C(V) en utilisant la méthode conventionnelle. [theses et memoires] /
Meriem Saidani ;
Ferrat Kamilia ;
Farida Nemmar, Directeur de thèse . -
Tizi-Ouzou (Tizi-Ouzou) : U.M.M.T.O T.O, 2019 . - 61 p. : ill. ; 30 cm.
Bibliogr.
Langues : Français
| Mots-clés : | MOS Technique (C-V) Quasi statique Labview Capacité MOS Technologie CMOS |
| Résumé : | L'évolution de la microélectronique, notamment le concept (MORE then MOORE) et (MORE MOORE) conduit a l'introduction des nouvelles structure et de nouveaux matériaux dans la fabrication des dispositifs a semi-conducteurs. Cela complique d'avantage la caractérisation des dispositifs fabriques et selon la feuille de route de l'industrie microélectronique les caractérisations existant ne pouvant pas suivre les spécifications et les exigences de cette feuille de route. Par exemple la quantification des pièges a l'interface par la technique capacité-tension (C-V) est altéré par la dispersion des caractéristiques c-v due au :
Capacité et résistances parasites due au contact.
Courant de fuit qui traverse l'oxyde de grille.
Présence d'une densité élevée de charge dans l'oxyde. |
| En ligne : | D:\CD THESES 2019\MAST.ELN\SAIDANI MERIEM; FERRAT KAMILIA.PDF |
| Format de la ressource électronique : | PDF |
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Caractérisation des dispositifs MOS par la technique capacité-tension C(V) en utilisant la méthode conventionnelle. (2019) 
