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| Titre : | Simulation des caractéristiques électriques d’un transistor MOSFET sous MATLAB-SIMULINK | | Type de document : | theses et memoires | | Auteurs : | Zina Keddache ; Mennas Souad ; Ourida Ourahmoun, Directeur de thèse | | Editeur : | Tizi-Ouzou : U.M.M.T.O | | Année de publication : | 2021 | | Importance : | 65 p. | | Présentation : | ill. | | Format : | 24cm. | | Note générale : | Bibliog | | Langues : | Français | | Mots-clés : | Semiconducteur Transistor à effet de champ Transistor MOSFET Matlab-simulink | | Résumé : | Le fondement actuel de l'industrie des circuits intégrés est de réduire la démence dans les dispositifs électroniques actifs tels que les MOSFET. Les paramètres physique et géométriques des composants, tels que le profil de dopage de la région active, la mobilité des porteurs de charge, la longueur de canal, peuvent être améliorés pour des performances élevées.
Dans ce travail, différents types de transistors à effet de champ sont introduites. Par conséquent, cette étude explorera les propriétés physiques des semi-conducteurs telles que l'énergie de la bande interdite, la mobilité des porteurs. Cette section se terminera par une introduction au transistor MOSFET et à son fonctionnement et ces différents types et leurs caractéristiques statique et dynamique.
L'étude des propriétés statique des composants MOSFET nous a permis de définir un ensemble d'équation qui régissant le comportement de la région active et de déterminer les paramètres physiques et géométrique impliqué dans le fonctionnement du modèle de transistor proposé.
Enfin, la validité des différents résultats obtenus dans l'étude théorique doit être vérifiée en simulant les principaux paramètres caractérisant ce composant. | | En ligne : | D:\CD THESES 2021\MAST ELN\KEDDACHE ZINA; MENNAS SOUAD.PDF | | Format de la ressource électronique : | PDF | | Permalink : | ./index.php?lvl=notice_display&id=36508 |
Simulation des caractéristiques électriques d’un transistor MOSFET sous MATLAB-SIMULINK [theses et memoires] / Zina Keddache ; Mennas Souad ; Ourida Ourahmoun, Directeur de thèse . - Tizi-Ouzou (Tizi-Ouzou) : U.M.M.T.O, 2021 . - 65 p. : ill. ; 24cm. Bibliog Langues : Français | Mots-clés : | Semiconducteur Transistor à effet de champ Transistor MOSFET Matlab-simulink | | Résumé : | Le fondement actuel de l'industrie des circuits intégrés est de réduire la démence dans les dispositifs électroniques actifs tels que les MOSFET. Les paramètres physique et géométriques des composants, tels que le profil de dopage de la région active, la mobilité des porteurs de charge, la longueur de canal, peuvent être améliorés pour des performances élevées.
Dans ce travail, différents types de transistors à effet de champ sont introduites. Par conséquent, cette étude explorera les propriétés physiques des semi-conducteurs telles que l'énergie de la bande interdite, la mobilité des porteurs. Cette section se terminera par une introduction au transistor MOSFET et à son fonctionnement et ces différents types et leurs caractéristiques statique et dynamique.
L'étude des propriétés statique des composants MOSFET nous a permis de définir un ensemble d'équation qui régissant le comportement de la région active et de déterminer les paramètres physiques et géométrique impliqué dans le fonctionnement du modèle de transistor proposé.
Enfin, la validité des différents résultats obtenus dans l'étude théorique doit être vérifiée en simulant les principaux paramètres caractérisant ce composant. | | En ligne : | D:\CD THESES 2021\MAST ELN\KEDDACHE ZINA; MENNAS SOUAD.PDF | | Format de la ressource électronique : | PDF | | Permalink : | ./index.php?lvl=notice_display&id=36508 |
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Simulation des caractéristiques électriques d’un transistor MOSFET sous MATLAB-SIMULINK (2021) 
