[article] 
inElectronique > E1 [01/08/2008] . - 1-32p.

Titre :	Physique des dispositifs électroniques
Type de document :	texte imprime
Année de publication :	2008
Article en page(s) :	1-32p.
Langues :	Français
Mots-clés :	Mécanique quantique  mécanique statistique  matériaux semiconducteurs  composants: diode  transistor
Résumé :	1 - RAPPEL DES BASES DE LA PHYSIQUE ONDULATOIRE ET STATISTIQUE 1.1 - Mécanique ondulatoire et électron libre 1.2 - L’électron de l’atome d’hydrogène 1.3 - Mécanique statistique 2 - NOTIONS DE BANDES ET DE PORTEURS LIBRES DANS LES SOLIDES 2.1 - Systèmes cristallins et liaison cristalline 2.2 - Bandes d’énergie du monocristal 2.3 - Porteurs libres 3 - PROPRIÉTÉS ÉLECTRONIQUES DES MATÉRIAUX SEMICONDUCTEURS 3.1 - Concentrations des porteurs de charges 3.2 - Conductivité électrique 3.3 - Propriétés thermiques et thermoélectriques 3.4 - Caractéristiques des semiconducteurs usuels 4 - ÉMISSION ÉLECTRONIQUE 4.1 - Différents types d’émission 4.2 - Émission thermoélectrique 4.3 - Émission de champ et effet tunnel 4.4 - Émission secondaire 5 - COMPOSANTS DU TYPE DIODE 5.1 - Diode métal-semiconducteur 5.2 - Diode à jonction P-N 5.3 - Diodes à courant limité par la charge d’espace : PIP et NIN 6 - COMPOSANTS DU TYPE TRANSISTOR 6.1 - Transistor bipolaire 6.2 - Transistor à effet de champ 6.3 - Dispositifs à transfert de charge 6.4 - Thyristor 7 - COMPOSANTS POUR L’HYPERFRÉQUENCE 7.1 - Diode Schottky 7.2 - Diode Gunn 7.3 - Diode PIN 7.4 - Transistor à effet de champ à barrière métal-semiconducteur 7.5 - Transistor bipolaire à hétérojonction 7.6 - Transistor à effet de champ à hétérojonction 7.7 - Comparaison des performances des différents transistors hyperfréquences 7.8 - Transistor à effet tunnel résonnant 7.9 - Transistor balistique
Permalink :	./index.php?lvl=notice_display&id=37116

[article] Physique des dispositifs électroniques [texte imprime] . - 2008 . - 1-32p.
Langues : Français
in Electronique > E1 [01/08/2008] . - 1-32p.

Mots-clés :	Mécanique quantique  mécanique statistique  matériaux semiconducteurs  composants: diode  transistor
Résumé :	1 - RAPPEL DES BASES DE LA PHYSIQUE ONDULATOIRE ET STATISTIQUE 1.1 - Mécanique ondulatoire et électron libre 1.2 - L’électron de l’atome d’hydrogène 1.3 - Mécanique statistique 2 - NOTIONS DE BANDES ET DE PORTEURS LIBRES DANS LES SOLIDES 2.1 - Systèmes cristallins et liaison cristalline 2.2 - Bandes d’énergie du monocristal 2.3 - Porteurs libres 3 - PROPRIÉTÉS ÉLECTRONIQUES DES MATÉRIAUX SEMICONDUCTEURS 3.1 - Concentrations des porteurs de charges 3.2 - Conductivité électrique 3.3 - Propriétés thermiques et thermoélectriques 3.4 - Caractéristiques des semiconducteurs usuels 4 - ÉMISSION ÉLECTRONIQUE 4.1 - Différents types d’émission 4.2 - Émission thermoélectrique 4.3 - Émission de champ et effet tunnel 4.4 - Émission secondaire 5 - COMPOSANTS DU TYPE DIODE 5.1 - Diode métal-semiconducteur 5.2 - Diode à jonction P-N 5.3 - Diodes à courant limité par la charge d’espace : PIP et NIN 6 - COMPOSANTS DU TYPE TRANSISTOR 6.1 - Transistor bipolaire 6.2 - Transistor à effet de champ 6.3 - Dispositifs à transfert de charge 6.4 - Thyristor 7 - COMPOSANTS POUR L’HYPERFRÉQUENCE 7.1 - Diode Schottky 7.2 - Diode Gunn 7.3 - Diode PIN 7.4 - Transistor à effet de champ à barrière métal-semiconducteur 7.5 - Transistor bipolaire à hétérojonction 7.6 - Transistor à effet de champ à hétérojonction 7.7 - Comparaison des performances des différents transistors hyperfréquences 7.8 - Transistor à effet tunnel résonnant 7.9 - Transistor balistique
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