[article] 
inElectronique > E2/1 [01/11/2007] . - 1-24p.

Titre :	Technologie silicium sur isolant (SOI)
Type de document :	texte imprime
Année de publication :	2007
Article en page(s) :	1-24p.
Langues :	Français
Mots-clés :	Silicium SOI: Avantages  Caractérisation  Transistor MOS/ SOI: nanoélectronique.
Résumé :	Dans cet article, l'état de l'art et les perspectives des technologies SOI sont présentés. La synthèse des matériaux et les avantages essentiels des circuits SOI sont tout d'abord exposés. Les méthodes de caractérisation et les mécanismes physiques qui régissent le fonctionnement des transistors MOS sur SOI sont détaillés. Le SOI ayant un fort potentiel pour repousser les frontières de la nanoélectronique, les avantages des transistors les plus prometteurs, incluant les canaux alternatifs, les dispositifs multi-grilles, les nanofils et les composants à effet tunnel, sont passés en revue.
Permalink :	./index.php?lvl=notice_display&id=37126

[article] Technologie silicium sur isolant (SOI) [texte imprime] . - 2007 . - 1-24p.
Langues : Français
in Electronique > E2/1 [01/11/2007] . - 1-24p.

Mots-clés :	Silicium SOI: Avantages  Caractérisation  Transistor MOS/ SOI: nanoélectronique.
Résumé :	Dans cet article, l'état de l'art et les perspectives des technologies SOI sont présentés. La synthèse des matériaux et les avantages essentiels des circuits SOI sont tout d'abord exposés. Les méthodes de caractérisation et les mécanismes physiques qui régissent le fonctionnement des transistors MOS sur SOI sont détaillés. Le SOI ayant un fort potentiel pour repousser les frontières de la nanoélectronique, les avantages des transistors les plus prometteurs, incluant les canaux alternatifs, les dispositifs multi-grilles, les nanofils et les composants à effet tunnel, sont passés en revue.
Permalink :	./index.php?lvl=notice_display&id=37126