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| Titre : | Simulation sous le logiciel LTspice d’un convertisseur Buck en utilisant un MOSFET à base de nitrure de galium (GaN) | | Type de document : | theses et memoires | | Auteurs : | Hacéne M'zali, Auteur ; Ourida Ourahmoune, Directeur de thèse | | Editeur : | Tizi-Ouzou : UMMTO F.G.E.I | | Année de publication : | 2024 | | Importance : | 75 p | | Présentation : | ill. | | Format : | PDF | | Note générale : | Bibliogr. | | Langues : | Français | | Mots-clés : | Convertisseur Buck Rendement Pertes de commutation Efficacité énergétique Haute fréquence Electronique de puissance. | | Résumé : | Ce mémoire porte sur l’étude et la simulation des transistors de puissance à base de nitrure de gallium (GaN), en comparaison avec les dispositifs traditionnels en silicium (Si).
Après avoir présenté les propriétés physiques et électroniques du Si, du SiC et du GaN, l’accent a été mis sur les architectures des MOSFET GaN (HEMT, e-mode et d-mode), leurs procédés de fabrication ainsi que leurs performances.
Une simulation comparative d’un convertisseur abaisseur (Buck) utilisant un MOSFET Si (IRF530) et un MOSFET GaN (EPC2001C) a été réalisée sous LTspice. Les résultats ont montré que le composant GaN offre un rendement supérieur (97,4 % contre 95,2 % pour le Si), une ondulation de sortie réduite et une meilleure stabilité en tension.
Ces atouts confirment la pertinence du GaN pour les applications modernes exigeant haute fréquence, compacité et efficacité énergétique, notamment dans les énergies renouvelables, les télécommunications et la mobilité électrique.
| | Diplôme : | Master | | Permalink : | ./index.php?lvl=notice_display&id=37947 |
Simulation sous le logiciel LTspice d’un convertisseur Buck en utilisant un MOSFET à base de nitrure de galium (GaN) [theses et memoires] / Hacéne M'zali, Auteur ; Ourida Ourahmoune, Directeur de thèse . - Tizi-Ouzou (Tizi-Ouzou) : UMMTO F.G.E.I, 2024 . - 75 p : ill. ; PDF. Bibliogr. Langues : Français | Mots-clés : | Convertisseur Buck Rendement Pertes de commutation Efficacité énergétique Haute fréquence Electronique de puissance. | | Résumé : | Ce mémoire porte sur l’étude et la simulation des transistors de puissance à base de nitrure de gallium (GaN), en comparaison avec les dispositifs traditionnels en silicium (Si).
Après avoir présenté les propriétés physiques et électroniques du Si, du SiC et du GaN, l’accent a été mis sur les architectures des MOSFET GaN (HEMT, e-mode et d-mode), leurs procédés de fabrication ainsi que leurs performances.
Une simulation comparative d’un convertisseur abaisseur (Buck) utilisant un MOSFET Si (IRF530) et un MOSFET GaN (EPC2001C) a été réalisée sous LTspice. Les résultats ont montré que le composant GaN offre un rendement supérieur (97,4 % contre 95,2 % pour le Si), une ondulation de sortie réduite et une meilleure stabilité en tension.
Ces atouts confirment la pertinence du GaN pour les applications modernes exigeant haute fréquence, compacité et efficacité énergétique, notamment dans les énergies renouvelables, les télécommunications et la mobilité électrique.
| | Diplôme : | Master | | Permalink : | ./index.php?lvl=notice_display&id=37947 |
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Simulation sous le logiciel LTspice d’un convertisseur Buck en utilisant un MOSFET à base de nitrure de galium (GaN) (2024)
