|
| Titre : | Diélectriques ferroélectriques intégrés sur silicium | | Type de document : | texte imprime | | Auteurs : | Emmanuel Defay, Directeur de publication, rédacteur en chef | | Editeur : | Paris : Hermès Science publications-Lavoisier | | Année de publication : | 2011 | | Collection : | Traité EGEM, Série électronique et micro-électronique | | Importance : | 455 p. | | Présentation : | ill., fig., graph. | | Format : | 24 cm | | ISBN/ISSN/EAN : | 978-2-7462-2562-6 | | Note générale : |
Notes bibliogr. Index | | Langues : | Français | | Mots-clés : | Matériaux piézoélectriques Diélectriques Résonateurs électriques Couches minces ferroélectriques | | Index. décimale : | 621.381 | | Résumé : | Ce livre est dédié à l'intégration des matériaux diélectriques ferroélectriques dans la technologie silicium. Il s'agit principalement de matériaux issus de la famille des matériaux pérovskites qui présentent des propriétés électriques remarquables : permittivité diélectrique très élevée, effet mémoire (ferroélectricité), piézoélectricité, électrostriction.
Bien que ces matériaux soient bien maitrisés à l'état de céramique, les couches minces et notamment celles sur le silicium, le sont beaucoup moins. Ces dix dernières années ont vu une progression technologique sans précédent quant à l'intégration de ces matériaux diélectriques sur le silicium et notamment pour les microsystèmes.
Cet ouvrage est ainsi dédié à la description de ces matériaux à travers un traitement thermodynamique particulièrement développé pour le cas des couches minces, les technologies mises en jeu pour arriver à les synthétiser, les caractérisations spécifiques utilisées et finalement, la description de plusieurs réalisations technologies abouties. | | Note de contenu : | Préface.
-Chapitre 1.
L'approche thermodynamique.
-Chapitre 2.
Effet des contraintes sur les couches minces.
-Chapitre 3.
Technologies de dépôts et mise en forme.
-Chapitre 4.
Analyse par diffraction des rayons X de films minces polycristallins.
-Chapitre 5.
Caractérisation physico-chimique et électrique.
- Chapitre 6.
Caractérisation radio-fréquence.
-Chapitre 7.
Courants de fuite dans les condensateurs PZT.
-Chapitre 8.
Capacités intégrées.
-Chapitre 9.
Fiabilité des condensateurs PZT.
-Chapitre 10.
Capacités variables ferroélectriques.
-Chapitre 11.
Mémoires ferroélectriques FRAM : principe, limitations, innovations et applications.
Index. | | Permalink : | ./index.php?lvl=notice_display&id=13112 |
Diélectriques ferroélectriques intégrés sur silicium [texte imprime] / Emmanuel Defay, Directeur de publication, rédacteur en chef . - Paris : Hermès Science publications-Lavoisier, 2011 . - 455 p. : ill., fig., graph. ; 24 cm. - ( Traité EGEM, Série électronique et micro-électronique) . ISBN : 978-2-7462-2562-6
Notes bibliogr. Index Langues : Français | Mots-clés : | Matériaux piézoélectriques Diélectriques Résonateurs électriques Couches minces ferroélectriques | | Index. décimale : | 621.381 | | Résumé : | Ce livre est dédié à l'intégration des matériaux diélectriques ferroélectriques dans la technologie silicium. Il s'agit principalement de matériaux issus de la famille des matériaux pérovskites qui présentent des propriétés électriques remarquables : permittivité diélectrique très élevée, effet mémoire (ferroélectricité), piézoélectricité, électrostriction.
Bien que ces matériaux soient bien maitrisés à l'état de céramique, les couches minces et notamment celles sur le silicium, le sont beaucoup moins. Ces dix dernières années ont vu une progression technologique sans précédent quant à l'intégration de ces matériaux diélectriques sur le silicium et notamment pour les microsystèmes.
Cet ouvrage est ainsi dédié à la description de ces matériaux à travers un traitement thermodynamique particulièrement développé pour le cas des couches minces, les technologies mises en jeu pour arriver à les synthétiser, les caractérisations spécifiques utilisées et finalement, la description de plusieurs réalisations technologies abouties. | | Note de contenu : | Préface.
-Chapitre 1.
L'approche thermodynamique.
-Chapitre 2.
Effet des contraintes sur les couches minces.
-Chapitre 3.
Technologies de dépôts et mise en forme.
-Chapitre 4.
Analyse par diffraction des rayons X de films minces polycristallins.
-Chapitre 5.
Caractérisation physico-chimique et électrique.
- Chapitre 6.
Caractérisation radio-fréquence.
-Chapitre 7.
Courants de fuite dans les condensateurs PZT.
-Chapitre 8.
Capacités intégrées.
-Chapitre 9.
Fiabilité des condensateurs PZT.
-Chapitre 10.
Capacités variables ferroélectriques.
-Chapitre 11.
Mémoires ferroélectriques FRAM : principe, limitations, innovations et applications.
Index. | | Permalink : | ./index.php?lvl=notice_display&id=13112 |
|  |
Ajouter le résultat dans votre panier Faire une suggestion Affiner la recherche Interroger des sources externesDiélectriques ferroélectriques intégrés sur silicium / Emmanuel Defay (2011)
