[article] 
inElectronique > E1 [01/08/2008] . - 1-32p.

Titre :	Physique des dispositifs électroniques
Type de document :	texte imprime
Année de publication :	2008
Article en page(s) :	1-32p.
Langues :	Français
Mots-clés :	Mécanique quantique  mécanique statistique  matériaux semiconducteurs  composants: diode  transistor
Résumé :	1 - RAPPEL DES BASES DE LA PHYSIQUE ONDULATOIRE ET STATISTIQUE 1.1 - Mécanique ondulatoire et électron libre 1.2 - L’électron de l’atome d’hydrogène 1.3 - Mécanique statistique 2 - NOTIONS DE BANDES ET DE PORTEURS LIBRES DANS LES SOLIDES 2.1 - Systèmes cristallins et liaison cristalline 2.2 - Bandes d’énergie du monocristal 2.3 - Porteurs libres 3 - PROPRIÉTÉS ÉLECTRONIQUES DES MATÉRIAUX SEMICONDUCTEURS 3.1 - Concentrations des porteurs de charges 3.2 - Conductivité électrique 3.3 - Propriétés thermiques et thermoélectriques 3.4 - Caractéristiques des semiconducteurs usuels 4 - ÉMISSION ÉLECTRONIQUE 4.1 - Différents types d’émission 4.2 - Émission thermoélectrique 4.3 - Émission de champ et effet tunnel 4.4 - Émission secondaire 5 - COMPOSANTS DU TYPE DIODE 5.1 - Diode métal-semiconducteur 5.2 - Diode à jonction P-N 5.3 - Diodes à courant limité par la charge d’espace : PIP et NIN 6 - COMPOSANTS DU TYPE TRANSISTOR 6.1 - Transistor bipolaire 6.2 - Transistor à effet de champ 6.3 - Dispositifs à transfert de charge 6.4 - Thyristor 7 - COMPOSANTS POUR L’HYPERFRÉQUENCE 7.1 - Diode Schottky 7.2 - Diode Gunn 7.3 - Diode PIN 7.4 - Transistor à effet de champ à barrière métal-semiconducteur 7.5 - Transistor bipolaire à hétérojonction 7.6 - Transistor à effet de champ à hétérojonction 7.7 - Comparaison des performances des différents transistors hyperfréquences 7.8 - Transistor à effet tunnel résonnant 7.9 - Transistor balistique
Permalink :	./index.php?lvl=notice_display&id=37116

[article] Physique des dispositifs électroniques [texte imprime] . - 2008 . - 1-32p.
Langues : Français
in Electronique > E1 [01/08/2008] . - 1-32p.

Mots-clés :	Mécanique quantique  mécanique statistique  matériaux semiconducteurs  composants: diode  transistor
Résumé :	1 - RAPPEL DES BASES DE LA PHYSIQUE ONDULATOIRE ET STATISTIQUE 1.1 - Mécanique ondulatoire et électron libre 1.2 - L’électron de l’atome d’hydrogène 1.3 - Mécanique statistique 2 - NOTIONS DE BANDES ET DE PORTEURS LIBRES DANS LES SOLIDES 2.1 - Systèmes cristallins et liaison cristalline 2.2 - Bandes d’énergie du monocristal 2.3 - Porteurs libres 3 - PROPRIÉTÉS ÉLECTRONIQUES DES MATÉRIAUX SEMICONDUCTEURS 3.1 - Concentrations des porteurs de charges 3.2 - Conductivité électrique 3.3 - Propriétés thermiques et thermoélectriques 3.4 - Caractéristiques des semiconducteurs usuels 4 - ÉMISSION ÉLECTRONIQUE 4.1 - Différents types d’émission 4.2 - Émission thermoélectrique 4.3 - Émission de champ et effet tunnel 4.4 - Émission secondaire 5 - COMPOSANTS DU TYPE DIODE 5.1 - Diode métal-semiconducteur 5.2 - Diode à jonction P-N 5.3 - Diodes à courant limité par la charge d’espace : PIP et NIN 6 - COMPOSANTS DU TYPE TRANSISTOR 6.1 - Transistor bipolaire 6.2 - Transistor à effet de champ 6.3 - Dispositifs à transfert de charge 6.4 - Thyristor 7 - COMPOSANTS POUR L’HYPERFRÉQUENCE 7.1 - Diode Schottky 7.2 - Diode Gunn 7.3 - Diode PIN 7.4 - Transistor à effet de champ à barrière métal-semiconducteur 7.5 - Transistor bipolaire à hétérojonction 7.6 - Transistor à effet de champ à hétérojonction 7.7 - Comparaison des performances des différents transistors hyperfréquences 7.8 - Transistor à effet tunnel résonnant 7.9 - Transistor balistique
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Titre :	Physique des dispositifs électroniques
Type de document :	texte imprime
Année de publication :	2008
Article en page(s) :	1-32p.
Langues :	Français
Mots-clés :	Physique ondulatoire  électron libre  système cristallins  matériaux semiconducteur électroniques.
Résumé :	Ce chapitre s’adresse aux ingénieurs et scientifiques désireux d’acquérir les notions nécessaires de physique des solides pour avoir une meilleure compréhension des phénomènes physiques régissant les propriétés des composants électroniques. Pour éviter le double emploi avec les chapitres consacrés à l’optoélectronique, les propriétés optiques ou optoélectroniques des matériaux et composants n’y figurent pas. La première partie comprend une introduction des notions de mécanique quantique et de mécanique statistique 1 nécessaire à la présentation de la théorie des bandes 2, qui gouverne la notion d’électrons et de trous et les populations de ces deux types de porteurs dans les bandes de valence et de conduction. Une deuxième partie est relative à la présentation des propriétés électroniques des matériaux semiconducteurs 3, qui permettent de régir celles des composants, et aussi celles relatives à l’émission électronique 4 dont les principes sont utilisés dans les tubes électroniques d’émission de puissance. La partie suivante est consacrée à la présentation des composants du type diode 5 et du type transistor 6, en insistant surtout sur la nature physique du fonctionnement et les propriétés en basse fréquence, plutôt que sur les spécifications techniques globales présentées par les fabricants. Enfin, on a rassemblé dans le dernier paragraphe 7 les composants qui intéressent le domaine des hyperfréquences, en insistant sur les propriétés géométriques et physiques qui permettent d’y favoriser les performances recherchées.
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Langues : Français
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Mots-clés :	Physique ondulatoire  électron libre  système cristallins  matériaux semiconducteur électroniques.
Résumé :	Ce chapitre s’adresse aux ingénieurs et scientifiques désireux d’acquérir les notions nécessaires de physique des solides pour avoir une meilleure compréhension des phénomènes physiques régissant les propriétés des composants électroniques. Pour éviter le double emploi avec les chapitres consacrés à l’optoélectronique, les propriétés optiques ou optoélectroniques des matériaux et composants n’y figurent pas. La première partie comprend une introduction des notions de mécanique quantique et de mécanique statistique 1 nécessaire à la présentation de la théorie des bandes 2, qui gouverne la notion d’électrons et de trous et les populations de ces deux types de porteurs dans les bandes de valence et de conduction. Une deuxième partie est relative à la présentation des propriétés électroniques des matériaux semiconducteurs 3, qui permettent de régir celles des composants, et aussi celles relatives à l’émission électronique 4 dont les principes sont utilisés dans les tubes électroniques d’émission de puissance. La partie suivante est consacrée à la présentation des composants du type diode 5 et du type transistor 6, en insistant surtout sur la nature physique du fonctionnement et les propriétés en basse fréquence, plutôt que sur les spécifications techniques globales présentées par les fabricants. Enfin, on a rassemblé dans le dernier paragraphe 7 les composants qui intéressent le domaine des hyperfréquences, en insistant sur les propriétés géométriques et physiques qui permettent d’y favoriser les performances recherchées.
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