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Titre : Dispositif de l'électronique de puissance.Vol.1 Type de document : texte imprime Auteurs : Jacques Arnould, Auteur ; Merle, Pierre, Auteur Editeur : Paris : Hermès Année de publication : impr. 1992 Collection : Traité des nouvelles technologies électroniques Importance : 482 p. Présentation : ill. Format : 24 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-2-86601-306-6 Note générale : Bibliogr. p. [469]-470. Glossaire. Index Langues : Français Mots-clés : Composants électroniques Électronique de puissance Index. décimale : 621.317 Résumé : Fruit de la longue expérience des auteurs, cet ouvrage fait volontairement appel plus à l'intuition et au raisonnement physique qu'à de longs développements mathématiques. Les approximations sont la règle. Les concepteurs et utilisateurs concernés par les dispositifs de l'électronique de puissance et leur mise en oeuvre dans les circuits y trouveront une meilleure compréhension des composants élémentaires. Note de contenu :
Chapitre 1. Généralités
1.1 Historique
1.2 Electronique de puissance. Définitions et domaines d'application
1.3 Semiconducteurs
1.4 Dispositifs
1.5 Silicium
1.6 Prises de contact
1.7 Problèmes thermiques
Chapitre 2. La charge, le métal et le silicium
2.1 Introduction
2.2 Mécanismes de conduction dans les semiconducteurs
2.3 Evacuations des charges, approche des régimes transitoires
2.4 Schottky. Contact métal-semiconducteur. Tenue en tension
Chapitre 3. Diodes
3.1 Généralités
3.2 Tenue en tension statique, mécanismes physiques mis en jeu
3.3 Tenue en courant permanent
3.4 Transitoires
Chapitre 4. Transistors à effet de champ à grille isolée unipolaire
4.1 Généralités sur les transistors à effet de champ
4.2 Effet de champ
4.3 Conception technologique
4.4 Tenue en tension statique
4.5 Tenue en courant permanent
4.6 Transitoires
4.7 ComplémentsPermalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=11444 Dispositif de l'électronique de puissance.Vol.1 [texte imprime] / Jacques Arnould, Auteur ; Merle, Pierre, Auteur . - Paris : Hermès, impr. 1992 . - 482 p. : ill. ; 24 cm. - (Traité des nouvelles technologies électroniques) .
ISBN : 978-2-86601-306-6
Bibliogr. p. [469]-470. Glossaire. Index
Langues : Français
Mots-clés : Composants électroniques Électronique de puissance Index. décimale : 621.317 Résumé : Fruit de la longue expérience des auteurs, cet ouvrage fait volontairement appel plus à l'intuition et au raisonnement physique qu'à de longs développements mathématiques. Les approximations sont la règle. Les concepteurs et utilisateurs concernés par les dispositifs de l'électronique de puissance et leur mise en oeuvre dans les circuits y trouveront une meilleure compréhension des composants élémentaires. Note de contenu :
Chapitre 1. Généralités
1.1 Historique
1.2 Electronique de puissance. Définitions et domaines d'application
1.3 Semiconducteurs
1.4 Dispositifs
1.5 Silicium
1.6 Prises de contact
1.7 Problèmes thermiques
Chapitre 2. La charge, le métal et le silicium
2.1 Introduction
2.2 Mécanismes de conduction dans les semiconducteurs
2.3 Evacuations des charges, approche des régimes transitoires
2.4 Schottky. Contact métal-semiconducteur. Tenue en tension
Chapitre 3. Diodes
3.1 Généralités
3.2 Tenue en tension statique, mécanismes physiques mis en jeu
3.3 Tenue en courant permanent
3.4 Transitoires
Chapitre 4. Transistors à effet de champ à grille isolée unipolaire
4.1 Généralités sur les transistors à effet de champ
4.2 Effet de champ
4.3 Conception technologique
4.4 Tenue en tension statique
4.5 Tenue en courant permanent
4.6 Transitoires
4.7 ComplémentsPermalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=11444 Réservation
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Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité EP32/V1/1 EP32/V1 Livre Magasin d'Ouvrages / FGE Electronique de puissance Consultation sur place
Exclu du prêtEP32/V1/2 EP32/V1 Livre Magasin d'Ouvrages / FGE Electronique de puissance Disponible EP32/V1/3 EP32/V1 Livre Magasin d'Ouvrages / FGE Electronique de puissance Disponible EP32/V1/4 EP32/V1 Livre Magasin d'Ouvrages / FGE Electronique de puissance Disponible EP32/V1/5 EP32/V1 Livre Magasin d'Ouvrages / FGE Electronique de puissance Disponible Aucun avis, veuillez vous identifier pour ajouter le vôtre !
Titre : Dispositif de l'électronique de puissance.Vol.2 Type de document : texte imprime Auteurs : Jacques Arnould, Auteur ; Merle, Pierre, Auteur Editeur : Paris : Hermès Année de publication : impr. 1992 Collection : Traité des nouvelles technologies électroniques Importance : 552 p. Présentation : ill. Format : 24 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-2-86601-308-0 Note générale : Bibliogr. p. [535]-539. Glossaire. Index Langues : Français Mots-clés : Électronique de puissance Composants électroniques Électronique industrielle Index. décimale : 621.317 Note de contenu : Chapitre 5. Transistor à jonction bipolaire
5.1 Généralités
5.2 Tenue en tension statique
5.3 Tenue en courant permanent
5.4 Transitoires
5.5 Interactions tension-courant
5.6 Darlington
Chapitre 6. Thyristor
6.1 Généralités
6.2 Tenue en tension statique et en température
6.3 Résistance négative et filamentation
6.4 Tenue en courant permanent
6.5 Transitoires. Thyristor un seul étage
6.6 Amélioration des thyristors classiques
6.7 Thyristor ouvrable par la gachette
6.8 TRIAC
6.9 Parentèle thyristor
Chapitre 7. Transistor à grille bipolaire
7.1 Généralités. Comparaison TEC oxyde uni- et bipolaire
7.2 Tenue en tension statique
7.3 Tenue en courant permanent
7.4 Transitoires
7.5 Surcharges. Courts-circuits
7.6 Parentèle TGB
7.7 TEC jonction
Chapitre 8. Conclusions
8.1 Philosophie de la physique des DEP
8.2 Philosophie de la conception des DEP
8.3 Perspectives et réalitésPermalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=11445 Dispositif de l'électronique de puissance.Vol.2 [texte imprime] / Jacques Arnould, Auteur ; Merle, Pierre, Auteur . - Paris : Hermès, impr. 1992 . - 552 p. : ill. ; 24 cm. - (Traité des nouvelles technologies électroniques) .
ISBN : 978-2-86601-308-0
Bibliogr. p. [535]-539. Glossaire. Index
Langues : Français
Mots-clés : Électronique de puissance Composants électroniques Électronique industrielle Index. décimale : 621.317 Note de contenu : Chapitre 5. Transistor à jonction bipolaire
5.1 Généralités
5.2 Tenue en tension statique
5.3 Tenue en courant permanent
5.4 Transitoires
5.5 Interactions tension-courant
5.6 Darlington
Chapitre 6. Thyristor
6.1 Généralités
6.2 Tenue en tension statique et en température
6.3 Résistance négative et filamentation
6.4 Tenue en courant permanent
6.5 Transitoires. Thyristor un seul étage
6.6 Amélioration des thyristors classiques
6.7 Thyristor ouvrable par la gachette
6.8 TRIAC
6.9 Parentèle thyristor
Chapitre 7. Transistor à grille bipolaire
7.1 Généralités. Comparaison TEC oxyde uni- et bipolaire
7.2 Tenue en tension statique
7.3 Tenue en courant permanent
7.4 Transitoires
7.5 Surcharges. Courts-circuits
7.6 Parentèle TGB
7.7 TEC jonction
Chapitre 8. Conclusions
8.1 Philosophie de la physique des DEP
8.2 Philosophie de la conception des DEP
8.3 Perspectives et réalitésPermalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=11445 Réservation
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité EP32/V2/1 EP32/V2 Livre Magasin d'Ouvrages / FGE Electronique de puissance Consultation sur place
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