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Auteur Dalila Hocine |
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Titre : Caractérisation electrique de diode schottky à base de l'AlGaAs Type de document : theses et memoires Auteurs : Brahim Aliouane ; Gharnou Massinissa ; Dalila Hocine, Directeur de thèse Editeur : Tizi-Ouzou : UMMTO F.G.E.I Année de publication : 2018 Importance : 60 p. Présentation : ill. Format : 30cm. Note générale : Bibliogr Langues : Français Mots-clés : Diode Schottky Semi-conducteurs caractérisation optimisation. Résumé : L’objectif principal de notre travail est d’étudier les caractéristiques d’une diode Schottky AlGaAs référenciée NU1362 à travers les caractérisations électriques et structurales en utilisant les équipements nécessaires disponibles dans la salle de
caractérisation au sein du CDTA.
Une étude approfondie incluant les notions de base sur les semiconducteurs en général et les diodes Schottky en particulier a été présenté dans le but de mieux comprendre leur comportement, fonctionnement ainsi que les phénomènes influençant leurs caractéristiques.
La caractérisation expérimentale des diodes Schottky et l’extraction de leurs paramètres nous ont permis d’étudier l’influence de la température, de la fréquence et de la surface sur leur comportement et caractéristiques électriques I(V) et C(V).
Les expériences et les résultats de caractérisation présentés dans ce mémoire démontrent l’efficacité des mesures I(V) et C(V) et pourront être utilisés comme une base de départ pour optimiser les performances des diodes Schottky.En ligne : https://dl.ummto.dz/bitstream/handle/ummto/6698/AliouaneBrahim_GharnouMassinissa [...] Format de la ressource électronique : Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=33643 Caractérisation electrique de diode schottky à base de l'AlGaAs [theses et memoires] / Brahim Aliouane ; Gharnou Massinissa ; Dalila Hocine, Directeur de thèse . - Tizi-Ouzou (Tizi-Ouzou) : UMMTO F.G.E.I, 2018 . - 60 p. : ill. ; 30cm.
Bibliogr
Langues : Français
Mots-clés : Diode Schottky Semi-conducteurs caractérisation optimisation. Résumé : L’objectif principal de notre travail est d’étudier les caractéristiques d’une diode Schottky AlGaAs référenciée NU1362 à travers les caractérisations électriques et structurales en utilisant les équipements nécessaires disponibles dans la salle de
caractérisation au sein du CDTA.
Une étude approfondie incluant les notions de base sur les semiconducteurs en général et les diodes Schottky en particulier a été présenté dans le but de mieux comprendre leur comportement, fonctionnement ainsi que les phénomènes influençant leurs caractéristiques.
La caractérisation expérimentale des diodes Schottky et l’extraction de leurs paramètres nous ont permis d’étudier l’influence de la température, de la fréquence et de la surface sur leur comportement et caractéristiques électriques I(V) et C(V).
Les expériences et les résultats de caractérisation présentés dans ce mémoire démontrent l’efficacité des mesures I(V) et C(V) et pourront être utilisés comme une base de départ pour optimiser les performances des diodes Schottky.En ligne : https://dl.ummto.dz/bitstream/handle/ummto/6698/AliouaneBrahim_GharnouMassinissa [...] Format de la ressource électronique : Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=33643 Réservation
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAST.ELN.07-18/1 MAST.ELN.07-18 Mémoires Magasin de Thèses et Mémoires / FGE Master en Electronique Disponible MAST.ELN.07-18/2 MAST.ELN.07-18 Mémoires Magasin de Thèses et Mémoires / FGE Master en Electronique Disponible Aucun avis, veuillez vous identifier pour ajouter le vôtre !
Titre : Caractérisation large bande des lignes coplanaires Type de document : theses et memoires Auteurs : Abdenour Fettouchi ; Mahmoudi Sonia ; Dalila Hocine, Directeur de thèse Editeur : Tizi-Ouzou : U.M.M.T.O T.O Année de publication : 2019 Importance : 60 p. Présentation : ill. Format : 30 cm Note générale : Bibliogr. Langues : Français Mots-clés : Silicium poreux (PSi) Fréquences millimétriques Lignes coplanaires (CPW). Résumé : Le substrat en silicium poreux est très prometteur pour les circuits intégrés de communication sans-fil de prochaine génération nécessitant l'élimination des pertes en haute fréquence provenant du substrat silicium bulk. Dans ce travail, le substrat en silicium poreux (PSi) a été introduit. Grâce aux mesures des performances RF, le substrat PSi proposé a été comparé aux substrats à base de silicium bulk, à savoir, le silicium standard (std), le silicium sur isolant a haute résistivité (HR) et le silicium riche en pièges (TR). Des lignes CPW (coplanar waveguide) ont été intégrées sur le substrat mentionné et une caractérisation jusqu’aux fréquences millimétriques (60 GHz) a été effectuée. Le nouveau substrat PSi a montré une réduction de la permittivité relative effective du substrat à des valeurs aussi basse que 3,7 et
une augmentation considérable de la résistivité effective à des valeurs supérieures à 7 k? cm.En ligne : D:\CD THESES 2019\MAST.ELN\FETTOUCHI ABDENOUR; MAHMOUDI SONIA.PDF Format de la ressource électronique : Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=34829 Caractérisation large bande des lignes coplanaires [theses et memoires] / Abdenour Fettouchi ; Mahmoudi Sonia ; Dalila Hocine, Directeur de thèse . - Tizi-Ouzou (Tizi-Ouzou) : U.M.M.T.O T.O, 2019 . - 60 p. : ill. ; 30 cm.
Bibliogr.
Langues : Français
Mots-clés : Silicium poreux (PSi) Fréquences millimétriques Lignes coplanaires (CPW). Résumé : Le substrat en silicium poreux est très prometteur pour les circuits intégrés de communication sans-fil de prochaine génération nécessitant l'élimination des pertes en haute fréquence provenant du substrat silicium bulk. Dans ce travail, le substrat en silicium poreux (PSi) a été introduit. Grâce aux mesures des performances RF, le substrat PSi proposé a été comparé aux substrats à base de silicium bulk, à savoir, le silicium standard (std), le silicium sur isolant a haute résistivité (HR) et le silicium riche en pièges (TR). Des lignes CPW (coplanar waveguide) ont été intégrées sur le substrat mentionné et une caractérisation jusqu’aux fréquences millimétriques (60 GHz) a été effectuée. Le nouveau substrat PSi a montré une réduction de la permittivité relative effective du substrat à des valeurs aussi basse que 3,7 et
une augmentation considérable de la résistivité effective à des valeurs supérieures à 7 k? cm.En ligne : D:\CD THESES 2019\MAST.ELN\FETTOUCHI ABDENOUR; MAHMOUDI SONIA.PDF Format de la ressource électronique : Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=34829 Réservation
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAST.ELN.54-19/1 MAST.ELN.54-19 Mémoires Magasin de Thèses et Mémoires / FGE Master en Electronique Disponible Aucun avis, veuillez vous identifier pour ajouter le vôtre !
Comparaison des paramètres électriques des cellules solaires à base de Cuivre et Argent / Samira Termoul (2022)
Titre : Comparaison des paramètres électriques des cellules solaires à base de Cuivre et Argent Type de document : theses et memoires Auteurs : Samira Termoul, Auteur ; Cylia Arezki, Auteur ; Dalila Hocine, Directeur de thèse Editeur : TIZI-OUZOU : FGEI.UMMTO Année de publication : 2022 Importance : 42 p. Présentation : ill. Format : 30 cm. Note générale : Bibliogr. Langues : Français Mots-clés : Cellule solaire Contact avant (Ag et Cu) Électrochimie Sérigraphie Couche barrière Paramètre électrique Python Cuivre Argent. Résumé : La présente thèse s'est donc focalisée sur la comparaison des paramètres électriques des cellules solaires fabriquées avec des contacts en cuivre et en argent. Ces paramètres sont des indicateurs clés de la qualité de la jonction et du contact métal-semi-conducteur. Pour ce faire, des dépôts électrochimiques de cuivre et de nickel ont été réalisés. Le processus a débuté par le dépôt d'une couche d'accroche de nickel sur le substrat, nécessitant un chauffage à 60°C. Ensuite, un recuit a été effectué pour stabiliser cette couche, avant de procéder au dépôt de cuivre à température ambiante. Les paramètres électriques des cellules solaires ont été mesurés de diverses manières après leur fabrication. Les mesures au simulateur solaire et Suns-Voc ont été effectuées pour obtenir les paramètres intrinsèques de la cellule. Enfin, une simulation théorique à l'aide de Python a été réalisée en introduisant les paramètres obtenus par Suns-Voc. Diplôme : Master Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=36911 Comparaison des paramètres électriques des cellules solaires à base de Cuivre et Argent [theses et memoires] / Samira Termoul, Auteur ; Cylia Arezki, Auteur ; Dalila Hocine, Directeur de thèse . - TIZI-OUZOU (TIZI-OUZOU) : FGEI.UMMTO, 2022 . - 42 p. : ill. ; 30 cm.
Bibliogr.
Langues : Français
Mots-clés : Cellule solaire Contact avant (Ag et Cu) Électrochimie Sérigraphie Couche barrière Paramètre électrique Python Cuivre Argent. Résumé : La présente thèse s'est donc focalisée sur la comparaison des paramètres électriques des cellules solaires fabriquées avec des contacts en cuivre et en argent. Ces paramètres sont des indicateurs clés de la qualité de la jonction et du contact métal-semi-conducteur. Pour ce faire, des dépôts électrochimiques de cuivre et de nickel ont été réalisés. Le processus a débuté par le dépôt d'une couche d'accroche de nickel sur le substrat, nécessitant un chauffage à 60°C. Ensuite, un recuit a été effectué pour stabiliser cette couche, avant de procéder au dépôt de cuivre à température ambiante. Les paramètres électriques des cellules solaires ont été mesurés de diverses manières après leur fabrication. Les mesures au simulateur solaire et Suns-Voc ont été effectuées pour obtenir les paramètres intrinsèques de la cellule. Enfin, une simulation théorique à l'aide de Python a été réalisée en introduisant les paramètres obtenus par Suns-Voc. Diplôme : Master Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=36911 Réservation
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAST.ELN.87-22/1 MAST.ELN.87-22 Mémoires Magasin de Thèses et Mémoires / FGE Master en Electronique Disponible Aucun avis, veuillez vous identifier pour ajouter le vôtre !
Comparaison des performances d'une inductance en bande millimétrique sur substrats silicium standard et poreux / Lydia Chana (2020)
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Titre : Comparaison des performances d'une inductance en bande millimétrique sur substrats silicium standard et poreux Type de document : theses et memoires Auteurs : Lydia Chana ; Debiane Sara ; Dalila Hocine, Directeur de thèse Editeur : Tizi.Ouzou : U.M.M.T.O Année de publication : 2020 Importance : 68 p. Présentation : ill. Format : 30 cm. Note générale : Bibliogr. Langues : Français Mots-clés : Inductance Radiofréquence (RF) Silicium poreux (PSi) Systèmes sans fil Inductances planaires Réseau vectoriel. Résumé : La technologie SOI (Silicon-on-Insulator), au vue de sa maturité et ses avantages par rapport à ceux de la technologie silicium Bulk, est considérée très prometteuse pour répondre aux exigences accrues du marché des télécommunications sans fil en termes de faible coût, compatibilité CMOS, faibles pertes du substrat et capacité de fabrication des systèmes sur puce à faible consommation de puissance. Ainsi, les substrats à base du silicium de haute qualité et les composants RF de haute performance sont très demandés. Le substrat en silicium poreux (PSi) est très prometteur pour les circuits intégrés de communication sans-fil de prochaine génération nécessitant l'élimination des pertes en haute fréquence provenant du substrat silicium massif. C’est dans ce contexte que le travail vise à démontrer l’applicabilité du substrat silicium poreux PSi pour la conception des circuits RF fonctionnant en bande millimétrique, une inductance sera intégrée. Une comparaison entre les performances de cette inductance en bande millimétrique en terme de paramètres S et de facteur de qualité sur les substrats étudiés sera faite. En ligne : D:\CD THESES 2020\RETARDATAIRES\CHANA LYDIA; DEBIANE SARA.PDF Format de la ressource électronique : Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=35779 Comparaison des performances d'une inductance en bande millimétrique sur substrats silicium standard et poreux [theses et memoires] / Lydia Chana ; Debiane Sara ; Dalila Hocine, Directeur de thèse . - Tizi.Ouzou (Tizi.Ouzou) : U.M.M.T.O, 2020 . - 68 p. : ill. ; 30 cm.
Bibliogr.
Langues : Français
Mots-clés : Inductance Radiofréquence (RF) Silicium poreux (PSi) Systèmes sans fil Inductances planaires Réseau vectoriel. Résumé : La technologie SOI (Silicon-on-Insulator), au vue de sa maturité et ses avantages par rapport à ceux de la technologie silicium Bulk, est considérée très prometteuse pour répondre aux exigences accrues du marché des télécommunications sans fil en termes de faible coût, compatibilité CMOS, faibles pertes du substrat et capacité de fabrication des systèmes sur puce à faible consommation de puissance. Ainsi, les substrats à base du silicium de haute qualité et les composants RF de haute performance sont très demandés. Le substrat en silicium poreux (PSi) est très prometteur pour les circuits intégrés de communication sans-fil de prochaine génération nécessitant l'élimination des pertes en haute fréquence provenant du substrat silicium massif. C’est dans ce contexte que le travail vise à démontrer l’applicabilité du substrat silicium poreux PSi pour la conception des circuits RF fonctionnant en bande millimétrique, une inductance sera intégrée. Une comparaison entre les performances de cette inductance en bande millimétrique en terme de paramètres S et de facteur de qualité sur les substrats étudiés sera faite. En ligne : D:\CD THESES 2020\RETARDATAIRES\CHANA LYDIA; DEBIANE SARA.PDF Format de la ressource électronique : Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=35779 Réservation
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAST.ELN.180-20/1 MAST.ELN.180-20 Mémoires Magasin de Thèses et Mémoires / FGE Master en Electrotechnique Disponible Aucun avis, veuillez vous identifier pour ajouter le vôtre !
Contribution à l’étude des performances d’un système photovoltaïque de puissance connecté au réseau électrique / Karima Amara (2020)
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Titre : Contribution à l’étude des performances d’un système photovoltaïque de puissance connecté au réseau électrique Type de document : theses et memoires Auteurs : Karima Amara ; Dalila Hocine, Directeur de thèse Editeur : Tizi.Ouzou : U.M.M.T.O Année de publication : 2020 Importance : 97 p. Présentation : ill. Format : 30 cm. Note générale : Bibliogr. Langues : Français Mots-clés : Générateur photovoltaïque MPPT OSGM ANFIS Convertisseur (DC-DC) Convertisseur (DC-AC) Réseau électrique Photovoltaïque. Résumé : Les performances des systèmes PV connectés au réseau électrique dépendent des conditions météorologiques (ensoleillement et température). Le développement des stratégies de maximisation de puissance est indispensable pour permettre un fonctionnement optimal de ces systèmes PV. Plusieurs méthodes conventionnelles de poursuite de la position du point de puissance maximale ou MPPT (Maximum Power Point Tracking) sont rapportées dans la littérature ; parmi lesquelles : Perturb and Observe (P&O), Hill Climbing (HC), Incremental Conductance (Inc-Cond). Cependant, Ces méthodes ne sont pas robustes dans le cas de variations rapides de la température et de l'irradiation solaire, ce qui occasionne une dégradation des performances du système PV. Or l'efficacité d'une commande MPPT se traduit par son efficacité de suivre rapidement et avec précision le point de puissance maximale MPP vis-à -vis les variations des conditions climatiques avec une perte d'énergie négligeable. Notre contribution consiste en le développement de nouvelles techniques d'optimisation des commandes MPPT à base de : "Système d'inférence adaptative neuro-flou", appelé ANFIS (adaptive neuro-fuzzy inference system) et "la méthode du gradient optimisé" appelé OSGM (Optimized Steepest Gradient Method). Ces méthodes intelligentes sont utiles pour l'étude et l'optimisation des performances du système PV connecté au réseau. Elles présentent l'avantage d'une modélisation facile et fiable des modules PV dans des conditions de fonctionnement réelle et un meilleur contrôle du système PV avec de faibles pertes d'énergie. En ligne : D:\CD THESES 2020\RETARDATAIRES\AMARA KARIMA.PDF Format de la ressource électronique : Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=36121 Contribution à l’étude des performances d’un système photovoltaïque de puissance connecté au réseau électrique [theses et memoires] / Karima Amara ; Dalila Hocine, Directeur de thèse . - Tizi.Ouzou (Tizi.Ouzou) : U.M.M.T.O, 2020 . - 97 p. : ill. ; 30 cm.
Bibliogr.
Langues : Français
Mots-clés : Générateur photovoltaïque MPPT OSGM ANFIS Convertisseur (DC-DC) Convertisseur (DC-AC) Réseau électrique Photovoltaïque. Résumé : Les performances des systèmes PV connectés au réseau électrique dépendent des conditions météorologiques (ensoleillement et température). Le développement des stratégies de maximisation de puissance est indispensable pour permettre un fonctionnement optimal de ces systèmes PV. Plusieurs méthodes conventionnelles de poursuite de la position du point de puissance maximale ou MPPT (Maximum Power Point Tracking) sont rapportées dans la littérature ; parmi lesquelles : Perturb and Observe (P&O), Hill Climbing (HC), Incremental Conductance (Inc-Cond). Cependant, Ces méthodes ne sont pas robustes dans le cas de variations rapides de la température et de l'irradiation solaire, ce qui occasionne une dégradation des performances du système PV. Or l'efficacité d'une commande MPPT se traduit par son efficacité de suivre rapidement et avec précision le point de puissance maximale MPP vis-à -vis les variations des conditions climatiques avec une perte d'énergie négligeable. Notre contribution consiste en le développement de nouvelles techniques d'optimisation des commandes MPPT à base de : "Système d'inférence adaptative neuro-flou", appelé ANFIS (adaptive neuro-fuzzy inference system) et "la méthode du gradient optimisé" appelé OSGM (Optimized Steepest Gradient Method). Ces méthodes intelligentes sont utiles pour l'étude et l'optimisation des performances du système PV connecté au réseau. Elles présentent l'avantage d'une modélisation facile et fiable des modules PV dans des conditions de fonctionnement réelle et un meilleur contrôle du système PV avec de faibles pertes d'énergie. En ligne : D:\CD THESES 2020\RETARDATAIRES\AMARA KARIMA.PDF Format de la ressource électronique : Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=36121 Réservation
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité DOC.ELN.12-20/1 DOC.ELN.12-20 Thèses Magasin de Thèses et Mémoires / FGE Doctorat en Electronique Disponible Aucun avis, veuillez vous identifier pour ajouter le vôtre !
Effet des paramètres de diffusion par source préforme sur la qualité de FSF dans les cellules solaires n-PERT / Samira Hamidi (2020)
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PermalinkEffet de la résistivité sur les performances d’un filtre en bande millimétrique / Mokrani Rabah (2022)
PermalinkEffet de la température sur les performances des cellules solaires à base d’arséniure de gallium GaAs. / Rima Iouelhadjen (2017)
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PermalinkPermalinkEtude comparative des effets des revêtements antireflets à base de l’ITO et ZnO sur les performances photovoltaïques des cellules solaires de type a-Si / Chahira Lekhal (2016)
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PermalinkEtude comparative entre l'éclairage public classique et l'éclairage public solaire photovoltaïque. / Hana Oukaci (2023)
PermalinkEtude de l’effet de la température et de la durée de diffusion du phosphore à partir des couches PSG sur la jonction PN. / Saliha Mekious (2023)
PermalinkEtude de l’effet de la température et de l’éclairement sur les performances des modules photovoltaïques à base de silicium amorphe. / Thileli Djellout (2017)
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PermalinkEtude d’une installation photovoltaïque pour l’alimentation en électricité d’un centre enfûteur de GPL (NAFTAL). / Djamila Djidja (2012)
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PermalinkPermalinkPermalinkEtude et optimisation du séchage et de l'insolation de la résine photosensible pour le dépôt sélectif de contact au cuivre / Dalila Sitayeb (2019)
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PermalinkEtude et simulation d’une cellule photovoltaïque en couches minces à base d’oxydes métalliques ZnO-Cu2O» / Celia Tilikete (2019)
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PermalinkPermalinkEtude et simulation des cellules solaires à hétérojonctions de type ITO/Si. / Ouafa Moussaoui (2016)
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