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Auteur Slimane Tazibt |
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Alliage à base de silicium et de fer / Ftennen (2007)
Titre : Alliage à base de silicium et de fer : Etude de méthodes d'élaboration de B-Fe Si 2 et application en optoélectronique Type de document : theses et memoires Auteurs : Ftennen ; Slimane Tazibt, Directeur de thèse Editeur : Tizi Ouzou : UMMTO.FGEI Année de publication : 2007 Importance : 82 p. Présentation : ill. Format : 30 cm. Note générale : Bibliogr. Langues : Français Mots-clés : Alliages Méthodes d'élaboration de B-feSi2 PLD. Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=26024 Alliage à base de silicium et de fer : Etude de méthodes d'élaboration de B-Fe Si 2 et application en optoélectronique [theses et memoires] / Ftennen ; Slimane Tazibt, Directeur de thèse . - Tizi Ouzou (Tizi Ouzou) : UMMTO.FGEI, 2007 . - 82 p. : ill. ; 30 cm.
Bibliogr.
Langues : Français
Mots-clés : Alliages Méthodes d'élaboration de B-feSi2 PLD. Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=26024 Réservation
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité ING.ELN.11-07/2 ING.ELN.11-07 Mémoires Magasin de Thèses et Mémoires / FGE Ingénieur en Electronique Disponible ING.ELN.11-07/1 ING.ELN.11-07 Mémoires Magasin de Thèses et Mémoires / FGE Ingénieur en Electronique Disponible Aucun avis, veuillez vous identifier pour ajouter le vôtre !
Titre : Canal de transmission optique : étude des éléments de la chaîne de transmission et de leurs bruits respectifs. Type de document : theses et memoires Auteurs : Sofiane Rekai ; Sbargoud Mohamed ; Slimane Tazibt, Directeur de thèse Editeur : Tizi Ouzou : UMMTO.FGEI Année de publication : 2014 Importance : 59 p. Présentation : ill. Format : 30 cm. Note générale : Bibliogr. Langues : Français Mots-clés : Laser, Diode Laser (LD), Diode Electroluminescente (LED), Amplification Optique
(EDFA), Emission Spontanée Amplifiée (ASE), Photodiode, Photodiode PIN, PDA, Bruits, Facteur
de bruit.Résumé : Le présent travail a porté sur l’étude d’un canal de transmission tout optique. Ce dernier,
étant bruité, est constitué globalement d'un émetteur optique (LD, LED, etc…), d'un canal de
transmission par fibre optique, doué ou non d'un amplificateur optique (EDFA) et d'un récepteur
optique (photodiode, photodiode PIN, PDA, etc…). Par ailleurs, l’objectif recherché est de
déterminer le facteur de bruit du canal optique, fonction des bruits inhérents à de chaque élément
dudit canal.En ligne : https://dl.ummto.dz/bitstream/handle/ummto/6399/RekaiSofiane_SbargoudM.pdf?seque [...] Format de la ressource électronique : Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=25381 Canal de transmission optique : étude des éléments de la chaîne de transmission et de leurs bruits respectifs. [theses et memoires] / Sofiane Rekai ; Sbargoud Mohamed ; Slimane Tazibt, Directeur de thèse . - Tizi Ouzou (Tizi Ouzou) : UMMTO.FGEI, 2014 . - 59 p. : ill. ; 30 cm.
Bibliogr.
Langues : Français
Mots-clés : Laser, Diode Laser (LD), Diode Electroluminescente (LED), Amplification Optique
(EDFA), Emission Spontanée Amplifiée (ASE), Photodiode, Photodiode PIN, PDA, Bruits, Facteur
de bruit.Résumé : Le présent travail a porté sur l’étude d’un canal de transmission tout optique. Ce dernier,
étant bruité, est constitué globalement d'un émetteur optique (LD, LED, etc…), d'un canal de
transmission par fibre optique, doué ou non d'un amplificateur optique (EDFA) et d'un récepteur
optique (photodiode, photodiode PIN, PDA, etc…). Par ailleurs, l’objectif recherché est de
déterminer le facteur de bruit du canal optique, fonction des bruits inhérents à de chaque élément
dudit canal.En ligne : https://dl.ummto.dz/bitstream/handle/ummto/6399/RekaiSofiane_SbargoudM.pdf?seque [...] Format de la ressource électronique : Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=25381 Réservation
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAST.ELN.37-14/2 MAST.ELN.37-14 Mémoires Magasin de Thèses et Mémoires / FGE Master en Electronique Disponible MAST.ELN.37-14/1 MAST.ELN.37-14 Mémoires Magasin de Thèses et Mémoires / FGE Master en Electronique Disponible Les abonnés qui ont emprunté ce document ont également emprunté :
Transmissions sur fibres optiques technologie générale Surmatsu, Yasuharu Synthèse d’un observateur fractionnaire à mode glissant pour l’estimation de défauts Ammour, Aghilas Les télécommunications par fibres optiques Joindot, Iréne Communications sur fibres optiques Pierre, Lecoy Démarrez avec Arduino Banzi, Massimo Conception et réalisation d’un système de vote électronique Soutenu le 09-03-2021 Seddiki, Karim Aucun avis, veuillez vous identifier pour ajouter le vôtre !
Caractérisation de défauts volumiques dans les métaux par voie acoustique / Slimane Tazibt (1996)
Titre : Caractérisation de défauts volumiques dans les métaux par voie acoustique Type de document : theses et memoires Auteurs : Slimane Tazibt ; Benchaala, Directeur de thèse Editeur : Tizi Ouzou : UMMTO.FGEI Année de publication : 1996 Importance : 153p. Présentation : ill. Format : 30 cm. Note générale : Bibliogr. Langues : Français Mots-clés : Ondes ultrasons Méthode de dimensionnement Procedures experimentales Théorie de la diffraction Méthode de spectre Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=24855 Caractérisation de défauts volumiques dans les métaux par voie acoustique [theses et memoires] / Slimane Tazibt ; Benchaala, Directeur de thèse . - Tizi Ouzou (Tizi Ouzou) : UMMTO.FGEI, 1996 . - 153p. : ill. ; 30 cm.
Bibliogr.
Langues : Français
Mots-clés : Ondes ultrasons Méthode de dimensionnement Procedures experimentales Théorie de la diffraction Méthode de spectre Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=24855 Réservation
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAG.ELN.50-96/2 MAG.ELN.50-96 Mémoires Magasin de Thèses et Mémoires / FGE Magister en Electronique Disponible MAG.ELN.50-96/1 MAG.ELN.50-96 Mémoires Magasin de Thèses et Mémoires / FGE Magister en Electronique Disponible Aucun avis, veuillez vous identifier pour ajouter le vôtre !
Titre : Dephaseurs electro-optique, magneto-optique, deflecteur acousto-optique : application à la modulation optique de phase et d'amplitude Type de document : theses et memoires Auteurs : Mohamed Kebri ; Hellel El Kadi ; Slimane Tazibt, Directeur de thèse Editeur : Tizi Ouzou : UMMTO.FGEI Année de publication : 2011 Importance : 75p. Présentation : ill. Format : 30 cm. Note générale : Bibliogr. Langues : Français Mots-clés : Rotateur Effet électro optique Effet magnéto optique Effet acousto optique Modulation
d’amplitude Modulation de phase.Résumé : Le monde des télécommunications a connu une importante évolution depuis la mise au point
du télégraphe (sur câble électrique) en 1837 par Samuel Morse et l'invention du téléphone en
1875 par Alexander Graham Bell. En effet, grâce à la théorie de l'électromagnétisme de James
Clerck Maxwell qui prédit l'existence des ondes radio en 1864, Heinrich Hertz a prouvé
expérimentalement l'existence de ces ondes en 1887. Par la suite, Olivier James a établi une
communication sans fil sur une distance de 140 mètres en 1894 et Guglielmo Marconi a
effectué la première transmission transatlantique en 1901. Un grand pas a été effectué durant
les deux derniers siècles avec le développement des systèmes de transmission sur câbles et sur
ondes hertziennes, mais la qualité et le débit de la transmission sont restés toujours d'une
grande importance. L'idée de se servir de la lumière dans la communication remonte aux feux
de bois utilisés par les Grecs et les Perses ainsi qu'aux torches enflammées utilisées par les
Romains. En 1958, et avec l'invention du laser, l'idée d'utiliser l'optique surgit de nouveau. Le
laser (ligt amplification by stymulated émission of radiation) pouvait remplir dans le domaine
lumineux le même rôle que l'oscillateur radioélectrique dans le cas des ondes hertziennes.
La fonction de modulation optique est l’un des outilles qui permet de satisfaire cette
évolution. Son rôle revient à modifier les caractéristiques de la lumière en fonction d’un
signal de commande. Elle peut être de type analogique ou numérique
Ce mémoire est composé de quatre chapitres. Le premier s’intéresse à l’étude de la
modulation directe qui consiste à moduler en amplitude directement le courant injecté dans
un laser à semi-conducteur. Cette méthode connait beaucoup d’avantages, par mes eux les
faibles coûts. Mais aussi quelque faiblesse. Le majeur inconvénient c’est la faible puissance
ainsi qu’un débit maximum qui ne dépasse pas les 10 Gb/s. Pour remédier ces problèmes, On
passe à l’étude des modulations externes (électro-optique, magnéto-optique et acoustooptique).
Le deuxième chapitre est consacré à l’étude de la modulation à effet électro-optique qui
consiste à modifie ellipsoïde des indices du milieu sous l’effet d’un champ électrique quasi
statique.
Suivie d’un troisième chapitre qui est consacré à l’étude de la modulation acousto-optique
qui est basé sur la condition de Bragg et leurs influences sur le milieu. Nous avons vu aussi
pour la modulation acousto-optique, comment la propagation d’une onde acoustique est
capable de provoquer un déplacement inhomogène des atomes d’un cristal, c’est à dire
l’apparition d’un champ de déformation. Nous avons ensuite indiqué comment ce champ de
déformation crée une modulation de l’indice de réfraction du milieu.
On termine par un quatrième chapitre qui est consacré à l’étude de la modulation à l’effet
magnéto-optique. Cette méthode est basée sur l’utilisation des modes propres à savoir la
polarisation circulaire droite et la polarisation circulaire gauche dont les indices de réfraction
sont déférentsEn ligne : https://dl.ummto.dz/bitstream/handle/ummto/6269/KebriMohamed.pdf?sequence=1&isAl [...] Format de la ressource électronique : Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=25059 Dephaseurs electro-optique, magneto-optique, deflecteur acousto-optique : application à la modulation optique de phase et d'amplitude [theses et memoires] / Mohamed Kebri ; Hellel El Kadi ; Slimane Tazibt, Directeur de thèse . - Tizi Ouzou (Tizi Ouzou) : UMMTO.FGEI, 2011 . - 75p. : ill. ; 30 cm.
Bibliogr.
Langues : Français
Mots-clés : Rotateur Effet électro optique Effet magnéto optique Effet acousto optique Modulation
d’amplitude Modulation de phase.Résumé : Le monde des télécommunications a connu une importante évolution depuis la mise au point
du télégraphe (sur câble électrique) en 1837 par Samuel Morse et l'invention du téléphone en
1875 par Alexander Graham Bell. En effet, grâce à la théorie de l'électromagnétisme de James
Clerck Maxwell qui prédit l'existence des ondes radio en 1864, Heinrich Hertz a prouvé
expérimentalement l'existence de ces ondes en 1887. Par la suite, Olivier James a établi une
communication sans fil sur une distance de 140 mètres en 1894 et Guglielmo Marconi a
effectué la première transmission transatlantique en 1901. Un grand pas a été effectué durant
les deux derniers siècles avec le développement des systèmes de transmission sur câbles et sur
ondes hertziennes, mais la qualité et le débit de la transmission sont restés toujours d'une
grande importance. L'idée de se servir de la lumière dans la communication remonte aux feux
de bois utilisés par les Grecs et les Perses ainsi qu'aux torches enflammées utilisées par les
Romains. En 1958, et avec l'invention du laser, l'idée d'utiliser l'optique surgit de nouveau. Le
laser (ligt amplification by stymulated émission of radiation) pouvait remplir dans le domaine
lumineux le même rôle que l'oscillateur radioélectrique dans le cas des ondes hertziennes.
La fonction de modulation optique est l’un des outilles qui permet de satisfaire cette
évolution. Son rôle revient à modifier les caractéristiques de la lumière en fonction d’un
signal de commande. Elle peut être de type analogique ou numérique
Ce mémoire est composé de quatre chapitres. Le premier s’intéresse à l’étude de la
modulation directe qui consiste à moduler en amplitude directement le courant injecté dans
un laser à semi-conducteur. Cette méthode connait beaucoup d’avantages, par mes eux les
faibles coûts. Mais aussi quelque faiblesse. Le majeur inconvénient c’est la faible puissance
ainsi qu’un débit maximum qui ne dépasse pas les 10 Gb/s. Pour remédier ces problèmes, On
passe à l’étude des modulations externes (électro-optique, magnéto-optique et acoustooptique).
Le deuxième chapitre est consacré à l’étude de la modulation à effet électro-optique qui
consiste à modifie ellipsoïde des indices du milieu sous l’effet d’un champ électrique quasi
statique.
Suivie d’un troisième chapitre qui est consacré à l’étude de la modulation acousto-optique
qui est basé sur la condition de Bragg et leurs influences sur le milieu. Nous avons vu aussi
pour la modulation acousto-optique, comment la propagation d’une onde acoustique est
capable de provoquer un déplacement inhomogène des atomes d’un cristal, c’est à dire
l’apparition d’un champ de déformation. Nous avons ensuite indiqué comment ce champ de
déformation crée une modulation de l’indice de réfraction du milieu.
On termine par un quatrième chapitre qui est consacré à l’étude de la modulation à l’effet
magnéto-optique. Cette méthode est basée sur l’utilisation des modes propres à savoir la
polarisation circulaire droite et la polarisation circulaire gauche dont les indices de réfraction
sont déférentsEn ligne : https://dl.ummto.dz/bitstream/handle/ummto/6269/KebriMohamed.pdf?sequence=1&isAl [...] Format de la ressource électronique : Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=25059 Réservation
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAST.ELN.11-11/2 MAST.ELN.11-11 Mémoires Magasin de Thèses et Mémoires / FGE Master en Electronique Disponible MAST.ELN.11-11/1 MAST.ELN.11-11 Mémoires Magasin de Thèses et Mémoires / FGE Master en Electronique Disponible Aucun avis, veuillez vous identifier pour ajouter le vôtre !
Titre : Diodes lasers à Homojonction et à Hétérojonctions : Etude comparative. Type de document : theses et memoires Auteurs : Hamida Bekri, Auteur ; Dimes Kahina, Auteur ; Slimane Tazibt, Directeur de thèse Editeur : Tizi Ouzou : UMMTO.FGEI Année de publication : 2011 Importance : 88p. Présentation : ill. Format : 30 cm. Note générale : bibliogr. Langues : Français Mots-clés : Jonction PN Homojonction Héterojoncion Résumé : Un grand nombre de systèmes électroniques doivent leurs performances actuelles au développement de l’optoélectronique, et en particulier, à l’amélioration des caractéristiques des diodes laser. En effet, la diode laser (DL) est le composant de base de nombreux systèmes tels que le disque compact, le vidéodisque, l’imprimante laser, les télécommunications par fibres optiques ou spatiales et le pompage de laser solide.
La première description théorique des diodes laser à semi-conducteur est celle de Basov en 1961. Les premières réalisations (DL à base d’Arsenic de Gallium fonctionnant à 0,8 m) ont été décrites en 1962. La durée de vie des premières DL est limitée. L’introduction d’une structure utilisant une double-hétérojonction a permis une réduction considérable du courant de seuil. Les doubles hétérojonctions assurent en effet le confinement des électrons et des trous dans la région active. De plus, elles permettent à cette région de guider également les ondes optiques. Une durée de vie importante des diodes laser a été obtenue grâce à une adaptation précise des mailles cristallines des différentes couches. La réalisation des puits quantiques (QW pour Quantum Wells) peut se faire à l’aide de deux techniques de croissance, à savoir i) l’épitaxie par jet moléculaire (MBE), ii) les dépôts en phase vapeur (CVD) utilisant des composés organométalliques. Ces techniques permettent de réal couches minces d’environ 10 nm. On note que cette grandeur est inférieure au libre parcours moyen des électrons et des trous.
Des diodes fonctionnant dans le visible (0,65 m) à température ambiante ont été réalisées ces dernières années. En régime continu, la plus grande longueur obtenue à l’aide d’une DL à double hétérojonction, utilisant des SC binaires III-V, est de 3,2 m.
Les diodes laser (DL) ont l’avantage d’êtres légèrement moins chers que les lasers à cavité (à solive, à liquide et à gaz) toutefois, cette technologie étant récente notamment dans le médical par exemple, les prix restent élevés. Cependant Les spécialistes prévoient, une diminution progressive des prix dans les années à venir.
On peut résumer en quatre points (structure électronique, structure optique, matériau, technologie) les grandes directions de recherche qui ont permis aux DL d’être les dispositifs exceptionnels que l’on connait aujourd’hui :
-L’optimisation du gain par électron transporté: d’abord dans une double hétérostructure, puis dans un puits quantique, voir un puits quantique contraint, la contrainte permettant de
modifier les structures de bandes dans le puits quantique pour optimiser la densité d’état vers un meilleur gain optique.
-L’optimisation du guide d’onde de la lumière: dans une double hétérostructure ou dans des structures à confinement séparé.
-La qualité du matériau et l’amélioration des techniques de croissance: pour obtenir des matériaux sans défauts et pour éviter les pertes non radiatives, La comparaison entre les différents matériaux possibles peut être intéressante. Par exemple, les études ont montré que les matériaux sans aluminium présentent une meilleure résistance à la dégradation catastrophique des diodes lasers à haute puissances.
-La qualité de la technologie: elle permet de réaliser des guides d’onde latéraux gravés, des contacts ohmiques de bonne qualité entre les contacts métalliques et les couches semi-conductrices dopées pour éviter toute résistance série (source de dissipation thermique néfaste). La qualité des clivages et de dépôt de miroirs optimisés sont également tout un art, déterminant les taux de recombinaison de surface. Enfin, la brasure des structures sur un bon dissipateur thermique conditionne énormément la température de la jonction des diodes laser en fonctionnement, et donc finalement les puissances que les diodes laser peuvent fournir.
Ces quatre grands points sont aujourd’hui autant de domaines de recherche pour une communauté très large.
En ce qui concerne leurs limitations, n’oublions pas que les diodes laser sont des diodes de faible énergie, si on les compare aux diodes lasers de puissance par exemple. Cette faible énergie s’explique naturellement par la compacité du dispositif et la puissance limitée qu’il peut supporter dans un volume si faible d’une part, et d’autre part par un temps de vie radiative court et donc une incapacité à stocker de l’énergie.
Les diodes lasers sont encore loin d’avoir démontré toute l’étendue de leurs possibilités. Des principales perspectives mènent des recherches et de nombreuses espérances d’améliorations et d’extension dont lesquelles on peut distinguer :
-La conquête de nouvelles gammes spectrales: le bleu, par exemple, fait l’objet d’une recherche très intense pour les applications de stockage de l’information (la plus courte longueur d’onde permet d’accroitre la densité de stockage).par exemple le disque blu-ray ou Blu-Ray Disc (B-RD) exploite un rayon laser bleu-violet d’une longueur d’onde de 405nm
-Plus de puissance, plus de brillanEn ligne : https://dl.ummto.dz/bitstream/handle/ummto/8257/BekriHamida.pdf?sequence=1&isAll [...] Format de la ressource électronique : Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=26786 Diodes lasers à Homojonction et à Hétérojonctions : Etude comparative. [theses et memoires] / Hamida Bekri, Auteur ; Dimes Kahina, Auteur ; Slimane Tazibt, Directeur de thèse . - Tizi Ouzou (Tizi Ouzou) : UMMTO.FGEI, 2011 . - 88p. : ill. ; 30 cm.
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Langues : Français
Mots-clés : Jonction PN Homojonction Héterojoncion Résumé : Un grand nombre de systèmes électroniques doivent leurs performances actuelles au développement de l’optoélectronique, et en particulier, à l’amélioration des caractéristiques des diodes laser. En effet, la diode laser (DL) est le composant de base de nombreux systèmes tels que le disque compact, le vidéodisque, l’imprimante laser, les télécommunications par fibres optiques ou spatiales et le pompage de laser solide.
La première description théorique des diodes laser à semi-conducteur est celle de Basov en 1961. Les premières réalisations (DL à base d’Arsenic de Gallium fonctionnant à 0,8 m) ont été décrites en 1962. La durée de vie des premières DL est limitée. L’introduction d’une structure utilisant une double-hétérojonction a permis une réduction considérable du courant de seuil. Les doubles hétérojonctions assurent en effet le confinement des électrons et des trous dans la région active. De plus, elles permettent à cette région de guider également les ondes optiques. Une durée de vie importante des diodes laser a été obtenue grâce à une adaptation précise des mailles cristallines des différentes couches. La réalisation des puits quantiques (QW pour Quantum Wells) peut se faire à l’aide de deux techniques de croissance, à savoir i) l’épitaxie par jet moléculaire (MBE), ii) les dépôts en phase vapeur (CVD) utilisant des composés organométalliques. Ces techniques permettent de réal couches minces d’environ 10 nm. On note que cette grandeur est inférieure au libre parcours moyen des électrons et des trous.
Des diodes fonctionnant dans le visible (0,65 m) à température ambiante ont été réalisées ces dernières années. En régime continu, la plus grande longueur obtenue à l’aide d’une DL à double hétérojonction, utilisant des SC binaires III-V, est de 3,2 m.
Les diodes laser (DL) ont l’avantage d’êtres légèrement moins chers que les lasers à cavité (à solive, à liquide et à gaz) toutefois, cette technologie étant récente notamment dans le médical par exemple, les prix restent élevés. Cependant Les spécialistes prévoient, une diminution progressive des prix dans les années à venir.
On peut résumer en quatre points (structure électronique, structure optique, matériau, technologie) les grandes directions de recherche qui ont permis aux DL d’être les dispositifs exceptionnels que l’on connait aujourd’hui :
-L’optimisation du gain par électron transporté: d’abord dans une double hétérostructure, puis dans un puits quantique, voir un puits quantique contraint, la contrainte permettant de
modifier les structures de bandes dans le puits quantique pour optimiser la densité d’état vers un meilleur gain optique.
-L’optimisation du guide d’onde de la lumière: dans une double hétérostructure ou dans des structures à confinement séparé.
-La qualité du matériau et l’amélioration des techniques de croissance: pour obtenir des matériaux sans défauts et pour éviter les pertes non radiatives, La comparaison entre les différents matériaux possibles peut être intéressante. Par exemple, les études ont montré que les matériaux sans aluminium présentent une meilleure résistance à la dégradation catastrophique des diodes lasers à haute puissances.
-La qualité de la technologie: elle permet de réaliser des guides d’onde latéraux gravés, des contacts ohmiques de bonne qualité entre les contacts métalliques et les couches semi-conductrices dopées pour éviter toute résistance série (source de dissipation thermique néfaste). La qualité des clivages et de dépôt de miroirs optimisés sont également tout un art, déterminant les taux de recombinaison de surface. Enfin, la brasure des structures sur un bon dissipateur thermique conditionne énormément la température de la jonction des diodes laser en fonctionnement, et donc finalement les puissances que les diodes laser peuvent fournir.
Ces quatre grands points sont aujourd’hui autant de domaines de recherche pour une communauté très large.
En ce qui concerne leurs limitations, n’oublions pas que les diodes laser sont des diodes de faible énergie, si on les compare aux diodes lasers de puissance par exemple. Cette faible énergie s’explique naturellement par la compacité du dispositif et la puissance limitée qu’il peut supporter dans un volume si faible d’une part, et d’autre part par un temps de vie radiative court et donc une incapacité à stocker de l’énergie.
Les diodes lasers sont encore loin d’avoir démontré toute l’étendue de leurs possibilités. Des principales perspectives mènent des recherches et de nombreuses espérances d’améliorations et d’extension dont lesquelles on peut distinguer :
-La conquête de nouvelles gammes spectrales: le bleu, par exemple, fait l’objet d’une recherche très intense pour les applications de stockage de l’information (la plus courte longueur d’onde permet d’accroitre la densité de stockage).par exemple le disque blu-ray ou Blu-Ray Disc (B-RD) exploite un rayon laser bleu-violet d’une longueur d’onde de 405nm
-Plus de puissance, plus de brillanEn ligne : https://dl.ummto.dz/bitstream/handle/ummto/8257/BekriHamida.pdf?sequence=1&isAll [...] Format de la ressource électronique : Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=26786 Réservation
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Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité ING.ELN.16-11/2 ING.ELN.16-11 Mémoires Magasin de Thèses et Mémoires / FGE Ingénieur en Electronique Disponible ING.ELN.16-11/1 ING.ELN.16-11 Mémoires Magasin de Thèses et Mémoires / FGE Ingénieur en Electronique Disponible Les abonnés qui ont emprunté ce document ont également emprunté :
Automatisation d’un banc de caractérisation sur traceur de courbe programmable Tektronix 370A Amrani, Nassim La Technologie SOI (Silicon On Insulator) « SOI DG MOSFET Arib, Belkacem Le Laser Bretenaker, Fabien Mise en oeuvre de la sécurité d’un réseau d’entreprise en utilisant les ACLs Amrar, Salim Les télécommunications par fibres optiques Joindot, Iréne Physique des semiconducteurs et des composants électroniques Mathieu, Henry Aucun avis, veuillez vous identifier pour ajouter le vôtre !
PermalinkPermalinkPermalinkEtude des caractérisation d'une fibre optique dans une liaison entre deux P.C. réalisation / Assitan Macalou (2006)
PermalinkEtude comparative entre la photodiode PN et la photodiode PIN / Ahmed Ameziane (2003)
Permalinketude d'une diode laser à boucle hétérojonctions / Mokrane Osmani (2002)
PermalinkEtude d'une diode laser double heterojonction / Karim Oudiai (2000)
PermalinkEtude d'une diode laser à double hétérojonction / Fariza Larabi (2007)
PermalinkPermalinkPermalinkEtude des hétérostructures à appliquées aux diodes lasers à puits et à cascade quantiques. / Walid Oulagha (2012)
PermalinkEtude des méthodes d'élaboration du application au thyristor et JFET / Taous Chalali (2006)
PermalinkEtude des méthodes d'élaboration du carbure de silicium / Mokrane Haniche (2004)
PermalinkPermalinkEtude d'un photo-transistor à double hétérojonction / Fariza Amnache (2003)
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