A partir de cette page vous pouvez :
author
| Retourner au premier écran avec les étagères virtuelles... |
Détail de l'auteur
Auteur Ridha Houari |
Documents disponibles écrits par cet auteur
Ajouter le résultat dans votre panier Faire une suggestion Affiner la recherche Interroger des sources externesEtude et simulation d’un transistor VDMOS avec TCAD SILVACO / Ridha Houari (2014)
Titre : Etude et simulation d’un transistor VDMOS avec TCAD SILVACO Type de document : theses et memoires Auteurs : Ridha Houari, Auteur ; Mohamed Goudjil, Directeur de thèse Editeur : Tizi Ouzou : UMMTO.FGEI Année de publication : 2014 Importance : 51 p. Présentation : ill. Format : 30 cm. Note générale : Bibliogr. Langues : Français Mots-clés : VDMOSFET , la technologie de fabrication des CI , SILVACO TCAD . Résumé : L’électronique de puissance constitue de différentes axes de recherche qui nous a
permet de les appliqué dans plusieurs système et différentes domaines. Au cours de ce
mémoire nous somme intéressées à l’étude géométriques et technologique des transistors
VDMOSFET de puissance , après avoir décrit l’état de l’art sur les transistors
MOSFETs. Ainsi après avoir décrit les différentes étapes élémentaires de fabrication des
circuits intégrés . ensuite , nous avons procédé a la simulation de transistor VDMOS
avec le logiciel SILVACO TCAD en utilisant ces deus simulateur ATHENA , ATLASEn ligne : https://dl.ummto.dz/bitstream/handle/ummto/7405/HouariRidha.pdf?sequence=1&isAll [...] Format de la ressource électronique : Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=25432 Etude et simulation d’un transistor VDMOS avec TCAD SILVACO [theses et memoires] / Ridha Houari, Auteur ; Mohamed Goudjil, Directeur de thèse . - Tizi Ouzou (Tizi Ouzou) : UMMTO.FGEI, 2014 . - 51 p. : ill. ; 30 cm.
Bibliogr.
Langues : Français
Mots-clés : VDMOSFET , la technologie de fabrication des CI , SILVACO TCAD . Résumé : L’électronique de puissance constitue de différentes axes de recherche qui nous a
permet de les appliqué dans plusieurs système et différentes domaines. Au cours de ce
mémoire nous somme intéressées à l’étude géométriques et technologique des transistors
VDMOSFET de puissance , après avoir décrit l’état de l’art sur les transistors
MOSFETs. Ainsi après avoir décrit les différentes étapes élémentaires de fabrication des
circuits intégrés . ensuite , nous avons procédé a la simulation de transistor VDMOS
avec le logiciel SILVACO TCAD en utilisant ces deus simulateur ATHENA , ATLASEn ligne : https://dl.ummto.dz/bitstream/handle/ummto/7405/HouariRidha.pdf?sequence=1&isAll [...] Format de la ressource électronique : Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=25432 Réservation
Réserver ce document
Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAST.AUTO.39-14/2 MAST.AUTO.39-14 Mémoires Magasin de Thèses et Mémoires / FGE Master en Automatique Disponible MAST.AUTO.39-14/1 MAST.AUTO.39-14 Mémoires Magasin de Thèses et Mémoires / FGE Master en Automatique Disponible Les abonnés qui ont emprunté ce document ont également emprunté :
Physique des semiconducteurs et des composants électroniques Mathieu, Henry Aucun avis, veuillez vous identifier pour ajouter le vôtre !
