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Auteur Kahina Yermeche |
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Ajouter le résultat dans votre panier Faire une suggestion Affiner la recherche Interroger des sources externesCaracterisation de transistor mosfet submicronique / Kahina Yermeche (2014)
Titre : Caracterisation de transistor mosfet submicronique Type de document : theses et memoires Auteurs : Kahina Yermeche, Auteur ; Ahcène Lakhlef, Directeur de thèse Editeur : Tizi Ouzou : UMMTO.FGEI Année de publication : 2014 Importance : 60 p. Présentation : ill. Format : 30 cm. Note générale : Bibliogr. Langues : Français Mots-clés : MOSFET Effets de canaux courts Extraction des paramètres Ionisation par impact Effets des
porteurs chauds.Résumé : L’objet de notre travail est relatif à une analyse prospective de l’évolution des effets de canal
court compte tenu de l’avancée des technologies induite par la miniaturisation,
particulièrement pour des transistors MOS de longueur submicronique. Nous introduisons les
effets liés à la réduction des dimensions; Les effets de canaux courts ont été étudiés. Les effets
des porteurs chauds ont été également analysés. Nous représentons l'extraction des paramètres
électriques à l’aide de la technique de mesure I (V) qui prend en compte le deuxième facteur
d’atténuation de la mobilité et de la tension de seuil. Ainsi que les solutions technologiques
qui ont été proposées pour contrer les effets de canaux courts et de porteurs chauds.
___________________________________________________________________________En ligne : https://dl.ummto.dz/bitstream/handle/ummto/7441/YermecheKahina.pdf?sequence=1&is [...] Format de la ressource électronique : Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=25907 Caracterisation de transistor mosfet submicronique [theses et memoires] / Kahina Yermeche, Auteur ; Ahcène Lakhlef, Directeur de thèse . - Tizi Ouzou (Tizi Ouzou) : UMMTO.FGEI, 2014 . - 60 p. : ill. ; 30 cm.
Bibliogr.
Langues : Français
Mots-clés : MOSFET Effets de canaux courts Extraction des paramètres Ionisation par impact Effets des
porteurs chauds.Résumé : L’objet de notre travail est relatif à une analyse prospective de l’évolution des effets de canal
court compte tenu de l’avancée des technologies induite par la miniaturisation,
particulièrement pour des transistors MOS de longueur submicronique. Nous introduisons les
effets liés à la réduction des dimensions; Les effets de canaux courts ont été étudiés. Les effets
des porteurs chauds ont été également analysés. Nous représentons l'extraction des paramètres
électriques à l’aide de la technique de mesure I (V) qui prend en compte le deuxième facteur
d’atténuation de la mobilité et de la tension de seuil. Ainsi que les solutions technologiques
qui ont été proposées pour contrer les effets de canaux courts et de porteurs chauds.
___________________________________________________________________________En ligne : https://dl.ummto.dz/bitstream/handle/ummto/7441/YermecheKahina.pdf?sequence=1&is [...] Format de la ressource électronique : Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=25907 Réservation
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