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Auteur Guendouz Fatma |
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Ajouter le résultat dans votre panier Faire une suggestion Affiner la recherche Interroger des sources externesEffet de la couche d'oxyde sur les paramétres du transistor MOSFET / Farida Nemmar (ép. Belhocine) (2002)
Titre : Effet de la couche d'oxyde sur les paramétres du transistor MOSFET Type de document : theses et memoires Auteurs : Farida Nemmar (ép. Belhocine) ; Guendouz Fatma ; Mohammed Said Belkaid, Directeur de thèse Editeur : Tizi Ouzou : UMMTO.FGEI Année de publication : 2002 Importance : 80p. Présentation : ill. Format : 30cm. Note générale : Bibliogr. Langues : Français Mots-clés : Semi conducteurs Jonction PN Transistor MOS Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=26400 Effet de la couche d'oxyde sur les paramétres du transistor MOSFET [theses et memoires] / Farida Nemmar (ép. Belhocine) ; Guendouz Fatma ; Mohammed Said Belkaid, Directeur de thèse . - Tizi Ouzou (Tizi Ouzou) : UMMTO.FGEI, 2002 . - 80p. : ill. ; 30cm.
Bibliogr.
Langues : Français
Mots-clés : Semi conducteurs Jonction PN Transistor MOS Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=26400 Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité ING.ELN.21-02/2 ING.ELN.21-02 Mémoires Salle d'Archives Ingénieur en Electronique Disponible ING.ELN.21-02/1 ING.ELN.21-02 Mémoires Salle d'Archives Ingénieur en Electronique Disponible Aucun avis, veuillez vous identifier pour ajouter le vôtre !

