Titre :	VLSI Fabrication principles silicon and gallium arsenide
Type de document :	texte imprime
Auteurs :	Ghandhi, Sorab Khushro
Mention d'édition :	2e èd.
Editeur :	New York : John Wiley & Sons
Année de publication :	cop. 1994
Importance :	(XI-834 p.)
Présentation :	ill.
Format :	25 cm
ISBN/ISSN/EAN :	978-0-471-58005-8
Note générale :	Bibliogr. en fin de chapitres. Index
Langues :	Anglais
Mots-clés :	Semiconducteurs à l'arséniure de gallium  Circuits intégrés à très grande échelle  Silicone  Arséniure de gallium  Silicon  Gallium arsenide  Integrated circuits:very large scale integration
Résumé :	Fully updated with the latest technologies, this edition covers the fundamental principles underlying fabrication processes for semiconductor devices along with integrated circuits made from silicon and gallium arsenide. Stresses fabrication criteria for such circuits as CMOS, bipolar, MOS, FET, etc. These diverse technologies are introduced separately and then consolidated into complete circuits. An Instructor′s Manual presenting detailed solutions to all the problems in the book is available from the Wiley editorial department.
Note de contenu :
En ligne :	https://www.amazon.fr/VLSI-Fabrication-Principles-Silicon-Arsenide/dp/0471580058 [...]
Permalink :	./index.php?lvl=notice_display&id=9734

VLSI Fabrication principles silicon and gallium arsenide [texte imprime] / Ghandhi, Sorab Khushro  . -  2e èd. . - New York : John Wiley & Sons, cop. 1994 . - (XI-834 p.) : ill. ; 25 cm.
ISBN : 978-0-471-58005-8
Bibliogr. en fin de chapitres. Index
Langues : Anglais

Mots-clés :	Semiconducteurs à l'arséniure de gallium  Circuits intégrés à très grande échelle  Silicone  Arséniure de gallium  Silicon  Gallium arsenide  Integrated circuits:very large scale integration
Résumé :	Fully updated with the latest technologies, this edition covers the fundamental principles underlying fabrication processes for semiconductor devices along with integrated circuits made from silicon and gallium arsenide. Stresses fabrication criteria for such circuits as CMOS, bipolar, MOS, FET, etc. These diverse technologies are introduced separately and then consolidated into complete circuits. An Instructor′s Manual presenting detailed solutions to all the problems in the book is available from the Wiley editorial department.
Note de contenu :
En ligne :	https://www.amazon.fr/VLSI-Fabrication-Principles-Silicon-Arsenide/dp/0471580058 [...]
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