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45 résultat(s) recherche sur le mot-clé 'Semiconducteurs' 
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Partager le résultat de cette recherche Interroger des sources externes Faire une suggestionSemiconducteurs de puissance de la physique du solide aux applications / Pierre Aloïsi (2001)
Titre : Semiconducteurs de puissance de la physique du solide aux applications Type de document : texte imprime Auteurs : Pierre Aloïsi Editeur : Paris : Ellipses Année de publication : 2001 Collection : Technosup Importance : 317 p. Présentation : ill. Format : 26 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7298-0496-1 Note générale :
Bibliogr. en fin de chapitresLangues : Français Mots-clés : Semiconducteurs Diode Zéners Transistor bipolaire Thyristors MOS IGBT Circuits integrés Résumé : L'ouvrage présente un panorama des commutateurs de puissance à semi-conducteurs en s'attachant à apporter à leurs utilisateurs et futurs utilisateurs des réponses pratiques aux problèmes spécifiques de chaque matériel.
Partant des équations de la physique du solide et de l'image qu'on peut se faire du comportement des porteurs à l'intérieur des structures, l'auteur en déduit les lois de commande et de protection des composants, et il apporte des outils pour choisir le composant sûr et efficace dans une situation donnée.
Les différents semi conducteurs de puissance aujourd'hui largement utilisés sont ainsi étudiés : les diodes de commutation, les zéners, les transistors bipolaires, la famille des thyristors (dont le GTO ou le TRIAC), le mosfet, l'IGBT et les produits intégrés. Dans chaque cas des lois simples sont dégagées pour une utilisation efficace et fiable.
Puis sont analysées les violentes contraintes thermiques, mécaniques et électromagnétiques et leurs graves conséquences, pour aboutir enfin à l'établissement d'un diagnostic en cas de défaillance. venir des circuits intégrés - Smart discrète
Note de contenu :
• Chapitre I.
DIODES DE COMMUTATION – Quelques rappels de physique du solide - Les technologies d'aujourd'hui, limites et perspectives - Les problèmes thermiques - Applications
• Chapitre II.
ZÉNERS ET DIODES À AVALANCHE – Rappels théoriques - Fabrication - Caractéristiques dynamiques - Diode compensée en température - Régulation - Protection contre les surtensions - Suppresseur de transitoires
• Chapitre III.
TRANSISTOR BIPOLAIRE DE PUISSANCE – Rappels de quelques principes fondamentaux - Historique - Le Darlington - Le futur de la technologie bipolaire de puissance - Commandes de base - La protection - La mise en parallèle
• Chapitre IV.
THYRISTORS – Famille des thyristors - Modèles du fonctionnement - Caractéristiques statiques - Caractéristiques de commande - Caractéristiques dynamiques - Mise en série - Mise en parallèle - Le triac - Le thyristor asymétrique - Le GTO thyristor
• Chapitre V.
MOS DE PUISSANCE – Historique - Technologie - Caractéristiques - Aires de sécurité - L'irradiation du mosfet - Mise en- parallèle – Protection – Le mosfet de puissance dans l'automobile - Les structures mos dérivées - Avenir des mos de puissance
• Chapitre VI.
IGBT – Technologie des FIGBT - Caractéristiques électriques - Commande - Protections - Circuits d'aide a la commutation, snubber - Mise en parallèle - diodes de roue libre - Applications - Perspectives
• Chapitre VII.
CIRCUIT INTÉGRÉ DE PUISSANCE – Technologies horizontales et verticales - Fonctions parasites - Les hybrides - Comparaison des coûts - Avenir des circuits intégrés - Smart discrète
• Chapitre VIII.
RÉSISTANCE THERMIQUE – L'analyse thermique des composants de puissance - Réponse thermique à des impulsions de puissance - Impulsions longues - Vérification des hypothèses
• Chapitre IX.
LA FATIGUE THERMIQUE – Technologie des produits de puissance - Propagation de la chaleur - Les fatigues mécaniques - Utilisation des semi conducteurs de puissance
• Chapitre X.
LES CAUSES DE DÉFAILLANCE – L'aire des sécurité en direct FBSOA - L'Aire des sécurité en inverse RBSOA - L'avalanche - La fatigue thermique - Défauts divers - Les défauts de jeunessePermalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=9828 Semiconducteurs de puissance de la physique du solide aux applications [texte imprime] / Pierre Aloïsi . - Paris : Ellipses, 2001 . - 317 p. : ill. ; 26 cm. - (Technosup) .
ISBN : 978-2-7298-0496-1
Bibliogr. en fin de chapitres
Langues : Français
Mots-clés : Semiconducteurs Diode Zéners Transistor bipolaire Thyristors MOS IGBT Circuits integrés Résumé : L'ouvrage présente un panorama des commutateurs de puissance à semi-conducteurs en s'attachant à apporter à leurs utilisateurs et futurs utilisateurs des réponses pratiques aux problèmes spécifiques de chaque matériel.
Partant des équations de la physique du solide et de l'image qu'on peut se faire du comportement des porteurs à l'intérieur des structures, l'auteur en déduit les lois de commande et de protection des composants, et il apporte des outils pour choisir le composant sûr et efficace dans une situation donnée.
Les différents semi conducteurs de puissance aujourd'hui largement utilisés sont ainsi étudiés : les diodes de commutation, les zéners, les transistors bipolaires, la famille des thyristors (dont le GTO ou le TRIAC), le mosfet, l'IGBT et les produits intégrés. Dans chaque cas des lois simples sont dégagées pour une utilisation efficace et fiable.
Puis sont analysées les violentes contraintes thermiques, mécaniques et électromagnétiques et leurs graves conséquences, pour aboutir enfin à l'établissement d'un diagnostic en cas de défaillance. venir des circuits intégrés - Smart discrète
Note de contenu :
• Chapitre I.
DIODES DE COMMUTATION – Quelques rappels de physique du solide - Les technologies d'aujourd'hui, limites et perspectives - Les problèmes thermiques - Applications
• Chapitre II.
ZÉNERS ET DIODES À AVALANCHE – Rappels théoriques - Fabrication - Caractéristiques dynamiques - Diode compensée en température - Régulation - Protection contre les surtensions - Suppresseur de transitoires
• Chapitre III.
TRANSISTOR BIPOLAIRE DE PUISSANCE – Rappels de quelques principes fondamentaux - Historique - Le Darlington - Le futur de la technologie bipolaire de puissance - Commandes de base - La protection - La mise en parallèle
• Chapitre IV.
THYRISTORS – Famille des thyristors - Modèles du fonctionnement - Caractéristiques statiques - Caractéristiques de commande - Caractéristiques dynamiques - Mise en série - Mise en parallèle - Le triac - Le thyristor asymétrique - Le GTO thyristor
• Chapitre V.
MOS DE PUISSANCE – Historique - Technologie - Caractéristiques - Aires de sécurité - L'irradiation du mosfet - Mise en- parallèle – Protection – Le mosfet de puissance dans l'automobile - Les structures mos dérivées - Avenir des mos de puissance
• Chapitre VI.
IGBT – Technologie des FIGBT - Caractéristiques électriques - Commande - Protections - Circuits d'aide a la commutation, snubber - Mise en parallèle - diodes de roue libre - Applications - Perspectives
• Chapitre VII.
CIRCUIT INTÉGRÉ DE PUISSANCE – Technologies horizontales et verticales - Fonctions parasites - Les hybrides - Comparaison des coûts - Avenir des circuits intégrés - Smart discrète
• Chapitre VIII.
RÉSISTANCE THERMIQUE – L'analyse thermique des composants de puissance - Réponse thermique à des impulsions de puissance - Impulsions longues - Vérification des hypothèses
• Chapitre IX.
LA FATIGUE THERMIQUE – Technologie des produits de puissance - Propagation de la chaleur - Les fatigues mécaniques - Utilisation des semi conducteurs de puissance
• Chapitre X.
LES CAUSES DE DÉFAILLANCE – L'aire des sécurité en direct FBSOA - L'Aire des sécurité en inverse RBSOA - L'avalanche - La fatigue thermique - Défauts divers - Les défauts de jeunessePermalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=9828 Réservation
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Titre : Electronique de puissance : structures, fonctions de base principales applications ; cours et exercices résolus Type de document : texte imprime Auteurs : Guy Séguier ; Francis Labrique Robert Bousiére Mention d'édition : 8è éd. Editeur : Paris : Dunod Année de publication : 2004 Collection : Sciences Sup Importance : 409 p Présentation : ill. Format : 24 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-2-10-048500-0 Note générale : La couv. porte en plus : "2e cycle-master, école d'ingénieurs".
IndexLangues : Français Mots-clés : Electronique de puissance Convertisseurs Semiconducteurs Composants Signaux Grandeurs Hacheurs Onduleurs Redresseurs Gradateurs Index. décimale : 621317 Résumé :
L'électronique de puissance est la branche du génie électrique qui traite des modifications de la présentation de l'énergie électrique à l'aide de semiconducteurs fonctionnant en commutation. La première édition de cet ouvrage fut un événement car elle est considérée comme l'acte de naissance de l'électronique de puissance en tant que discipline à part entière. Le vocabulaire, les méthodes de calcul et de raisonnement, les principaux types de conversion y étaient définis. Depuis, l'électronique de puissance a connu un essor et une évolution considérables en raison de l'extension du domaine des applications, de l'apparition de nouveaux composants et de l'utilisation de l'informatique pour réaliser des commandes de plus en plus sophistiquées. Régulièrement mis à jour au cours des éditions successives, cet ouvrage essentiellement consacré à l'étude des structures des convertisseurs et à leurs applications industrielles a formé des générations d'étudiants en électronique. Ce cours, après des rappels sur les composants et sur les signaux, présente les quatre fonctions de base de l'électronique de puissance : les hacheurs, les onduleurs, les redresseurs, les gradateurs. Un chapitre est consacré également aux variateurs électroniques de vitesse. Cette huitième édition entièrement restructurée offre un plan adapté à la conception actuelle de l'enseignement de l'électronique de puissance tout en introduisant de nouvelles applications. Cet ouvrage de référence s'adresse plus particulièrement aux étudiants des 2e cycle/Master en génie électrique et aux élèves ingénieurs.Note de contenu :
Semiconducteurs de puissance, interrupteurs, commutations
Rappels sur les signaux de l'électronique de puissance
Les hacheurs
Les onduleurs
Les redresseurs
Les gradateurs
Les variateurs de vitesse
Autres convertisseurs
Autres applicationsPermalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=11491 Electronique de puissance : structures, fonctions de base principales applications ; cours et exercices résolus [texte imprime] / Guy Séguier ; Francis Labrique Robert Bousiére . - 8è éd. . - Paris : Dunod, 2004 . - 409 p : ill. ; 24 cm. - (Sciences Sup) .
ISBN : 978-2-10-048500-0
La couv. porte en plus : "2e cycle-master, école d'ingénieurs".
Index
Langues : Français
Mots-clés : Electronique de puissance Convertisseurs Semiconducteurs Composants Signaux Grandeurs Hacheurs Onduleurs Redresseurs Gradateurs Index. décimale : 621317 Résumé :
L'électronique de puissance est la branche du génie électrique qui traite des modifications de la présentation de l'énergie électrique à l'aide de semiconducteurs fonctionnant en commutation. La première édition de cet ouvrage fut un événement car elle est considérée comme l'acte de naissance de l'électronique de puissance en tant que discipline à part entière. Le vocabulaire, les méthodes de calcul et de raisonnement, les principaux types de conversion y étaient définis. Depuis, l'électronique de puissance a connu un essor et une évolution considérables en raison de l'extension du domaine des applications, de l'apparition de nouveaux composants et de l'utilisation de l'informatique pour réaliser des commandes de plus en plus sophistiquées. Régulièrement mis à jour au cours des éditions successives, cet ouvrage essentiellement consacré à l'étude des structures des convertisseurs et à leurs applications industrielles a formé des générations d'étudiants en électronique. Ce cours, après des rappels sur les composants et sur les signaux, présente les quatre fonctions de base de l'électronique de puissance : les hacheurs, les onduleurs, les redresseurs, les gradateurs. Un chapitre est consacré également aux variateurs électroniques de vitesse. Cette huitième édition entièrement restructurée offre un plan adapté à la conception actuelle de l'enseignement de l'électronique de puissance tout en introduisant de nouvelles applications. Cet ouvrage de référence s'adresse plus particulièrement aux étudiants des 2e cycle/Master en génie électrique et aux élèves ingénieurs.Note de contenu :
Semiconducteurs de puissance, interrupteurs, commutations
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Etude du fonctionnement d'une centrale éolienne de production de l'énergie électrique Koriche, N. Électronique industrielle Girard, Michel Machine électriques et réseaux industriels Poloujadoff, Michel Modélisation et simulation de la génératrice asynchrone auto-excitée, application à la conversion de l’énergie éolienne. Bara, Ghania Electronique de puissance Lasne, Luc Compatibilité électromagnétique .Tome1, Parasites et perturbations des électroniques Charoy, Alain Aucun avis, veuillez vous identifier pour ajouter le vôtre !
Composants à semiconducteurs pour hyperfréquences in Electronique, E2/11 ([01/11/2007])
Titre : Composants à semiconducteurs pour hyperfréquences Type de document : texte imprime Année de publication : 2007 Article en page(s) : 1-25p. Langues : Français Mots-clés : semiconducteurs composants: non linéaires diodes transistors. Résumé : Les composants semiconducteurs utilisés dans les systèmes hyperfréquences peuvent être divisés en quatre groupes : les composants discrets non linéaires, les composants discrets permettant la génération de puissance hyperfréquence, les composants discrets tripôles et les circuits intégrés monolithiques micro-ondes. Les principes physiques régissant le fonctionnement de ces divers composants sont précisés, ainsi qu’un état de l’art des performances obtenues à ce jour en laboratoire et en production de série. Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=37166
in Electronique > E2/11 [01/11/2007] . - 1-25p.[article] Composants à semiconducteurs pour hyperfréquences [texte imprime] . - 2007 . - 1-25p.
Langues : Français
in Electronique > E2/11 [01/11/2007] . - 1-25p.
Mots-clés : semiconducteurs composants: non linéaires diodes transistors. Résumé : Les composants semiconducteurs utilisés dans les systèmes hyperfréquences peuvent être divisés en quatre groupes : les composants discrets non linéaires, les composants discrets permettant la génération de puissance hyperfréquence, les composants discrets tripôles et les circuits intégrés monolithiques micro-ondes. Les principes physiques régissant le fonctionnement de ces divers composants sont précisés, ainsi qu’un état de l’art des performances obtenues à ce jour en laboratoire et en production de série. Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=37166 Exemplaires
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Titre : Cours d’électronique : les composants semiconducteurs Type de document : texte imprime Auteurs : Bernard Boittiaux Mention d'édition : 2e ed. Editeur : Paris : Tech. et doc. Année de publication : 1995 Importance : (XXI-295 p.) Présentation : ill., couv. ill. en coul. Format : 24 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7430-0086-8 Note générale :
Bibliogr. p. 295. IndexLangues : Français Mots-clés : Électronique Composants électroniques Semiconducteurs Index. décimale : 621.381 Résumé : Cet ouvrage est destiné à ceux qui, dans le domaine des composants de l'électronique, veulent acquérir les connaissances fondamentales nécessaires pour mieux comprendre, mieux utiliser, mieux s'adapter aux technologies à venir. Bernard Boittiaux - Docteur ès sciences physiques, Professeur à l'Ecole Universitaire d'Ingénieurs de Lille - expose donc les modélisations " classiques " des composants en faisant appel à un support mathématique aussi réduit que possible. Pour chaque type de structure, après une description des phénomènes physiques, un modèle est proposé. Celui©ci permet une approche quantitative des propriétés caractéristiques et des limites d'utilisation de la plupart des composants de l'électronique moderne (diode, transistors, JFET, MOS, LED, diode LASER...). Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=11050 Cours d’électronique : les composants semiconducteurs [texte imprime] / Bernard Boittiaux . - 2e ed. . - Paris : Tech. et doc., 1995 . - (XXI-295 p.) : ill., couv. ill. en coul. ; 24 cm.
ISBN : 978-2-7430-0086-8
Bibliogr. p. 295. Index
Langues : Français
Mots-clés : Électronique Composants électroniques Semiconducteurs Index. décimale : 621.381 Résumé : Cet ouvrage est destiné à ceux qui, dans le domaine des composants de l'électronique, veulent acquérir les connaissances fondamentales nécessaires pour mieux comprendre, mieux utiliser, mieux s'adapter aux technologies à venir. Bernard Boittiaux - Docteur ès sciences physiques, Professeur à l'Ecole Universitaire d'Ingénieurs de Lille - expose donc les modélisations " classiques " des composants en faisant appel à un support mathématique aussi réduit que possible. Pour chaque type de structure, après une description des phénomènes physiques, un modèle est proposé. Celui©ci permet une approche quantitative des propriétés caractéristiques et des limites d'utilisation de la plupart des composants de l'électronique moderne (diode, transistors, JFET, MOS, LED, diode LASER...). Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=11050 Réservation
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Microwave transistor amplifiers Gonzalez, Guillermo Aucun avis, veuillez vous identifier pour ajouter le vôtre !
Titre : Cours de physique des semiconducteurs Type de document : texte imprime Auteurs : Bernard Grehant Mention d'édition : 2e édition rev. et cor. Editeur : Paris : Eyrolles Année de publication : 1990, cop. 1990 Importance : (X-233 p.) Présentation : ill. Format : 24 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-2-212-09542-5 Note générale : La couv. porte en plus : "Ecoles d'ingénieurs. B.T.S., I.U.T" Langues : Français Mots-clés : Semiconducteurs Physique Conduction Jonction PN Transistor bipolaire Index. décimale : 537.622 Semi-conductivité Résumé :
Note de contenu : 1 Etat solide
2 Conduction dans les solides
3 Jonction PN
4 Compléments de physique appliquée à l'étude des jonctions
5 Jonction P+N. Jonctions en régime dynamique
6 Jonction PN, manipulation
7 Transistor bipolaire
9 Transistor mos et composants dérivés
10 Structures mos intégrées. Rétention et transfert de charges
11 Transistor mos, manipulation
Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=9680 Cours de physique des semiconducteurs [texte imprime] / Bernard Grehant . - 2e édition rev. et cor. . - Paris : Eyrolles, 1990, cop. 1990 . - (X-233 p.) : ill. ; 24 cm.
ISBN : 978-2-212-09542-5
La couv. porte en plus : "Ecoles d'ingénieurs. B.T.S., I.U.T"
Langues : Français
Mots-clés : Semiconducteurs Physique Conduction Jonction PN Transistor bipolaire Index. décimale : 537.622 Semi-conductivité Résumé :
Note de contenu : 1 Etat solide
2 Conduction dans les solides
3 Jonction PN
4 Compléments de physique appliquée à l'étude des jonctions
5 Jonction P+N. Jonctions en régime dynamique
6 Jonction PN, manipulation
7 Transistor bipolaire
9 Transistor mos et composants dérivés
10 Structures mos intégrées. Rétention et transfert de charges
11 Transistor mos, manipulation
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Physique des semiconducteurs et des composants électroniques Mathieu, Henry Les capteurs pour Arduino et Raspberry Pi Karvinen, Tero Les fondamentaux en électronique Rochette, Pierre Comprendre l'électronique par la simulation Dusausay, Serge Electronique de puissance Naudet, Claude Composants à semiconducteurs Bonnaund, Olivier Aucun avis, veuillez vous identifier pour ajouter le vôtre !
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