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39 résultat(s) recherche sur le mot-clé 'Transistor' 
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Partager le résultat de cette recherche Interroger des sources externes Faire une suggestionEtude de la fiabilité transistor MOSFT / Chahrazed Massaid (2023)
Titre : Etude de la fiabilité transistor MOSFT Type de document : theses et memoires Auteurs : Chahrazed Massaid, Auteur ; Ouiza Boussoum, Directeur de thèse Editeur : Tizi-Ouzou : UMMTO F.G.E.I Année de publication : 2023 Importance : 32p. Présentation : ill. Format : 30 cm. Note générale : Bibliogr. Langues : Français Mots-clés : Transistor MOSFET NBTL PBTI SIO_2 SI MTBF Transistor bipolaire MOSFT. Résumé : Ce mémoire propose étude de fiabilité transistor MOSFET, on a explore en profondeur les concepts fondamentaux de fiabilité et de défaillance dans des systèmes, en mettant particulièrement l’accent sur le taux de défiance précoce ou de jeunesse les comment le transistor MOSFET évolué avec le temps. Les différents types de transistors MOSFET et leurs caractéristiques distinctives et leurs applications spécifiques.
Nous analysons leurs conditions de conduction.
L’analyse approfondie de la fiabilité des transistors.
L’oxyde des silicium garantir la fiabilité et la performance des transistors .Diplôme : Master Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=37490 Etude de la fiabilité transistor MOSFT [theses et memoires] / Chahrazed Massaid, Auteur ; Ouiza Boussoum, Directeur de thèse . - Tizi-Ouzou (Tizi-Ouzou) : UMMTO F.G.E.I, 2023 . - 32p. : ill. ; 30 cm.
Bibliogr.
Langues : Français
Mots-clés : Transistor MOSFET NBTL PBTI SIO_2 SI MTBF Transistor bipolaire MOSFT. Résumé : Ce mémoire propose étude de fiabilité transistor MOSFET, on a explore en profondeur les concepts fondamentaux de fiabilité et de défaillance dans des systèmes, en mettant particulièrement l’accent sur le taux de défiance précoce ou de jeunesse les comment le transistor MOSFET évolué avec le temps. Les différents types de transistors MOSFET et leurs caractéristiques distinctives et leurs applications spécifiques.
Nous analysons leurs conditions de conduction.
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L’oxyde des silicium garantir la fiabilité et la performance des transistors .Diplôme : Master Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=37490 Réservation
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAST.ELN.32-23/1 MAST.ELN.32-23 CD Magasin de Thèses et Mémoires / FGE Master en Electronique Disponible Aucun avis, veuillez vous identifier pour ajouter le vôtre !
Caractérisation et simulation d’un transistor bipolaire à hétérojonction (Si/SiGe) en hautes fréquences. / Mustapha Baghdadi (2017)
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Titre : Caractérisation et simulation d’un transistor bipolaire à hétérojonction (Si/SiGe) en hautes fréquences. Type de document : theses et memoires Auteurs : Mustapha Baghdadi ; Arezki Benfdila, Directeur de thèse Editeur : Tizi Ouzou : UMMTO.FGEI Année de publication : 2017 Importance : 67 p. Présentation : ill Format : 30 cm Note générale : Bibliogr Langues : Français Mots-clés : BJT HBT Hyperfréquences Atlas SILVACO Transistor Résumé : Ce travail a pour objet la présentation des deux grandes familles de transistors :
Le transistor bipolaire, transistor bipolaire à hétérojonction.
Et consiste en la présentation des différents types de transistor, tels que le transistor bipolaire et en particulier les HBT (transistor bipolaire à hétérojonction), L’utilisation de l’hétérojonction a permis de dépasser les limites du transistor(Les limitations fréquentielles du BJT).En ligne : https://dl.ummto.dz/bitstream/handle/ummto/7657/BaghdadiMustapha.pdf?sequence=1& [...] Format de la ressource électronique : Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=32634 Caractérisation et simulation d’un transistor bipolaire à hétérojonction (Si/SiGe) en hautes fréquences. [theses et memoires] / Mustapha Baghdadi ; Arezki Benfdila, Directeur de thèse . - Tizi Ouzou (Tizi Ouzou) : UMMTO.FGEI, 2017 . - 67 p. : ill ; 30 cm.
Bibliogr
Langues : Français
Mots-clés : BJT HBT Hyperfréquences Atlas SILVACO Transistor Résumé : Ce travail a pour objet la présentation des deux grandes familles de transistors :
Le transistor bipolaire, transistor bipolaire à hétérojonction.
Et consiste en la présentation des différents types de transistor, tels que le transistor bipolaire et en particulier les HBT (transistor bipolaire à hétérojonction), L’utilisation de l’hétérojonction a permis de dépasser les limites du transistor(Les limitations fréquentielles du BJT).En ligne : https://dl.ummto.dz/bitstream/handle/ummto/7657/BaghdadiMustapha.pdf?sequence=1& [...] Format de la ressource électronique : Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=32634 Réservation
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAST.AUTO.78-17/1 MAST.AUTO.78-17 Mémoires Magasin de Thèses et Mémoires / FGE Master en Automatique Disponible MAST.AUTO.78-17/2 MAST.AUTO.78-17 Mémoires Magasin de Thèses et Mémoires / FGE Master en Automatique Disponible Aucun avis, veuillez vous identifier pour ajouter le vôtre !
Titre : Etude et réalisation d'un identificateur - testeur de transistor Type de document : theses et memoires Auteurs : Abdellah Aissaoui ; Youcef Attaf, Directeur de thèse Editeur : Tizi Ouzou : UMMTO.FGEI Année de publication : 2008 Importance : 45 p. Présentation : ill. Format : 30 cm. Note générale : Bibliogr. Langues : Français Mots-clés : PIC Fonctionnement du testeur Transistor Circuit imprimé . En ligne : D:\TH.DEUA.ELN.2008\AISSAOUI.ABDELLAH.PDF Format de la ressource électronique : Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=27788 Etude et réalisation d'un identificateur - testeur de transistor [theses et memoires] / Abdellah Aissaoui ; Youcef Attaf, Directeur de thèse . - Tizi Ouzou (Tizi Ouzou) : UMMTO.FGEI, 2008 . - 45 p. : ill. ; 30 cm.
Bibliogr.
Langues : Français
Mots-clés : PIC Fonctionnement du testeur Transistor Circuit imprimé . En ligne : D:\TH.DEUA.ELN.2008\AISSAOUI.ABDELLAH.PDF Format de la ressource électronique : Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=27788 Réservation
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité DEUA.ELN.51-08/2 DEUA.ELN.51-08 Mémoires Magasin de Thèses et Mémoires / FGE Diplôme d'Etudes Universitaires Appliquées en Electronique Disponible DEUA.ELN.51-08/1 DEUA.ELN.51-08 Mémoires Magasin de Thèses et Mémoires / FGE Diplôme d'Etudes Universitaires Appliquées en Electronique Disponible Aucun avis, veuillez vous identifier pour ajouter le vôtre !
Extraction des paramétre électriques et physiques d'un transistor NMOS par la technique de pompage de charge à deux niveaux / A. Ameur (2002)
Titre : Extraction des paramétre électriques et physiques d'un transistor NMOS par la technique de pompage de charge à deux niveaux Type de document : theses et memoires Auteurs : A. Ameur ; Mezoued A.K. ; Abdelhamid El Kechai, Directeur de thèse Editeur : Tizi Ouzou : UMMTO.FGEI Année de publication : 2002 Importance : 62p. Présentation : ill. Format : 30cm. Note générale : Bibliogr. Langues : Français Mots-clés : Transistor Structure MOS Pompage de charge. Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=27465 Extraction des paramétre électriques et physiques d'un transistor NMOS par la technique de pompage de charge à deux niveaux [theses et memoires] / A. Ameur ; Mezoued A.K. ; Abdelhamid El Kechai, Directeur de thèse . - Tizi Ouzou (Tizi Ouzou) : UMMTO.FGEI, 2002 . - 62p. : ill. ; 30cm.
Bibliogr.
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Mots-clés : Transistor Structure MOS Pompage de charge. Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=27465 Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité ING.ELN.09-02/2 ING.ELN.09-02 Mémoires Salle d'Archives Ingénieur en Electronique Disponible ING.ELN.09-02/1 ING.ELN.09-02 Mémoires Salle d'Archives Ingénieur en Electronique Disponible Aucun avis, veuillez vous identifier pour ajouter le vôtre !
Modélisation électronique simplifier d'un transistor IGBT. / Amir Hamza Silhadi (2007)
Titre : Modélisation électronique simplifier d'un transistor IGBT. Type de document : theses et memoires Auteurs : Amir Hamza Silhadi ; Ould larbi Abd- Elghani ; Kache noura, Directeur de thèse Editeur : Tizi Ouzou : UMMTO.FGEI Année de publication : 2007 Importance : 61 p. Présentation : ill. Format : 30 cm. Note générale : Bibliogr. Langues : Français Mots-clés : Convertisseurs Semi conducteurs Transistor Modélisation IGBT Simulation . Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=26076 Modélisation électronique simplifier d'un transistor IGBT. [theses et memoires] / Amir Hamza Silhadi ; Ould larbi Abd- Elghani ; Kache noura, Directeur de thèse . - Tizi Ouzou (Tizi Ouzou) : UMMTO.FGEI, 2007 . - 61 p. : ill. ; 30 cm.
Bibliogr.
Langues : Français
Mots-clés : Convertisseurs Semi conducteurs Transistor Modélisation IGBT Simulation . Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=26076 Réservation
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité ING.ETH.11-07/2 ING.ETH.11-07 Mémoires Magasin de Thèses et Mémoires / FGE Ingénieur en Electrotechnique Disponible ING.ETH.11-07/1 ING.ETH.11-07 Mémoires Magasin de Thèses et Mémoires / FGE Ingénieur en Electrotechnique Disponible Aucun avis, veuillez vous identifier pour ajouter le vôtre !
PermalinkApprendre l'électronique par l'expérimentation et la simulation / Pascal Mayeux (2006)
PermalinkPermalinkIdentification de microstructure des pièges dans les dispositifs MOS par la spectroscopie paramagnétique de spin / Sofiane Oubraham (2018)
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PermalinkPermalinkPhysique des dispositifs électroniques in Electronique, E1 ([01/08/2008])
PermalinkPermalinkPermalinkPermalinkConception et réalisation d'un logiciel d'aide à la conception de circuits électroniques / Fethi Ouallouche (2000)
PermalinkConception et réalisation d'un thermomètre digital / Farid Arabi (2001)
PermalinkContribution à la mise en équations d’ une cellule de commutation à base d’ un MOSFET / Said Temer (2018)
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PermalinkElectricité & électromagnétisme / Joseph Cipriani (1997)
PermalinkElectronique / Gérard Fournet (1970)
PermalinkElectronique non linéaire / CH. Masselot (1975)
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