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75 résultat(s) recherche sur le mot-clé 'Transistors' 
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Partager le résultat de cette recherche Interroger des sources externes Faire une suggestionLes Transistors / Joseph Blot (DL 1995, cop. 1995)
Titre : Les Transistors : éléments, d'intégration des circuits analogiques Type de document : texte imprime Auteurs : Joseph Blot Editeur : Paris : Dunod Année de publication : DL 1995, cop. 1995 Importance : (X-373 p.) Présentation : ill., couv. ill. en coul. Format : 26 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-2-10-002639-5 Note générale : La couv. porte en plus : "écoles d'ingénieurs, 2e cycle universitaire". - Autre tirage : 2002. - La couv. porte en plus : "écoles d'ingénieurs, 2e cycle universitaire Langues : Français Mots-clés : Semiconducteurs Circuits intégrés:problèmes et exercices Amplificateurs à transistors Transistors à effet de champ Transistors bipolaires Circuits intégrés Transistors Transistors:problèmes et exercices Index. décimale : 621.381 Résumé : Une moitié de cet ouvrage est réservé à la présentation des composants discrets : diodes, transistors à effets de champ et transistors bipolaires. L'autre moitié est consacrée à la résolution d'exercices : les sujets du chapitre 2 illustrent le cours sur les transistors à effet de champ, ceux du chapitre 3 permettent d'assimiler la théorie relative au fonctionnement du transistor bipolaire.
Les notions traitées dans les trois premiers chapitres figurent dans les programmes des premiers cycles d'études supérieures scientifiques. Pour les aborder, il suffit de bien maîtriser la loi d'Ohm et les théorèmes de transformation des réseaux électriques.
Le chapitre 4 consacré à la résolution d'une trentaine de sujets est orienté vers l'analyse des structures d'intégration des circuits analogiques qui interviennent, notamment, dans la réalisation des amplificateurs opérationnels. Ces notions concernent particulièrement les étudiants des seconds cycles à orientation EEA.
Les quelques sujets de manipulations proposés à la fin de l'ouvrage concrétisent de façon claire les principaux résultats du cours et mettent en exergue un grand nombre des exercices présentés dans cet ouvrage.Note de contenu :
Chapitre 1. Semiconducteurs et jonctions
1.1 Introduction
1.2Les diodes à semiconducteurs
1.3 Symboles graphiques et conditionnement
Chapitre 2. Le transistor à effet de champ
2.1 Introduction
2.2 le FET à jonction ou JFET
2.3 Les FET à grille isolée (IGFET ou MOS)
2.4 Polarisation
2.5 Le FET comme cellule amplificatrice
2.6 Les interrupteurs à FET
2.7 Process 50 n-channel JFET
2.8 Exercices
Chapitre 3. Le transistor bipolaire
3.1 Introduction
3.2 Techniques de fabrication
3.3 Principe de fonctionnement
3.4 Transistor bipolaire en commutation
3.5 Polarisation
3.6 Amplificateur à transistor bipolaire
3.7 Caractéristiques du CA3086
3.8 Le transistor bipolaire, polarisation et étude en petits signaux : exercices
Chapitre 4. Associations de transistors et éléments d'intégration : exercices
4.1 Introduction
4.2 Combinaisons de type cascode
4.3 Combinaisons de type darlington
4.4 La structure push-pull
4.5 Charges actives
4.6 Cellule différentielle
4.7 Liaisons directes et translation de tension
4.8 Exercices de synthèse
4.9 Travaux pratiques
Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=10912 Les Transistors : éléments, d'intégration des circuits analogiques [texte imprime] / Joseph Blot . - Paris : Dunod, DL 1995, cop. 1995 . - (X-373 p.) : ill., couv. ill. en coul. ; 26 cm.
ISBN : 978-2-10-002639-5
La couv. porte en plus : "écoles d'ingénieurs, 2e cycle universitaire". - Autre tirage : 2002. - La couv. porte en plus : "écoles d'ingénieurs, 2e cycle universitaire
Langues : Français
Mots-clés : Semiconducteurs Circuits intégrés:problèmes et exercices Amplificateurs à transistors Transistors à effet de champ Transistors bipolaires Circuits intégrés Transistors Transistors:problèmes et exercices Index. décimale : 621.381 Résumé : Une moitié de cet ouvrage est réservé à la présentation des composants discrets : diodes, transistors à effets de champ et transistors bipolaires. L'autre moitié est consacrée à la résolution d'exercices : les sujets du chapitre 2 illustrent le cours sur les transistors à effet de champ, ceux du chapitre 3 permettent d'assimiler la théorie relative au fonctionnement du transistor bipolaire.
Les notions traitées dans les trois premiers chapitres figurent dans les programmes des premiers cycles d'études supérieures scientifiques. Pour les aborder, il suffit de bien maîtriser la loi d'Ohm et les théorèmes de transformation des réseaux électriques.
Le chapitre 4 consacré à la résolution d'une trentaine de sujets est orienté vers l'analyse des structures d'intégration des circuits analogiques qui interviennent, notamment, dans la réalisation des amplificateurs opérationnels. Ces notions concernent particulièrement les étudiants des seconds cycles à orientation EEA.
Les quelques sujets de manipulations proposés à la fin de l'ouvrage concrétisent de façon claire les principaux résultats du cours et mettent en exergue un grand nombre des exercices présentés dans cet ouvrage.Note de contenu :
Chapitre 1. Semiconducteurs et jonctions
1.1 Introduction
1.2Les diodes à semiconducteurs
1.3 Symboles graphiques et conditionnement
Chapitre 2. Le transistor à effet de champ
2.1 Introduction
2.2 le FET à jonction ou JFET
2.3 Les FET à grille isolée (IGFET ou MOS)
2.4 Polarisation
2.5 Le FET comme cellule amplificatrice
2.6 Les interrupteurs à FET
2.7 Process 50 n-channel JFET
2.8 Exercices
Chapitre 3. Le transistor bipolaire
3.1 Introduction
3.2 Techniques de fabrication
3.3 Principe de fonctionnement
3.4 Transistor bipolaire en commutation
3.5 Polarisation
3.6 Amplificateur à transistor bipolaire
3.7 Caractéristiques du CA3086
3.8 Le transistor bipolaire, polarisation et étude en petits signaux : exercices
Chapitre 4. Associations de transistors et éléments d'intégration : exercices
4.1 Introduction
4.2 Combinaisons de type cascode
4.3 Combinaisons de type darlington
4.4 La structure push-pull
4.5 Charges actives
4.6 Cellule différentielle
4.7 Liaisons directes et translation de tension
4.8 Exercices de synthèse
4.9 Travaux pratiques
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Électronique Choisy, Gilles Moteurs électriques pour la robotique Mayé, Pierre Optoélectronique Taffano, Zeno 123 PIC microcontroller experiments for the evil genius Predko, Myke Comprendre l'électronique [Texte imprimé] Herben, Jean Automatique industrielle en 20 fiches Boujat, Gérard Aucun avis, veuillez vous identifier pour ajouter le vôtre !
Titre : Semiconducteurs : transistors Type de document : texte imprime Auteurs : Marcel Mounic Editeur : Paris : Foucher Année de publication : 1970 Importance : 238 p. Présentation : ill. Format : 22 cm Langues : Français Mots-clés : Semi-conducteurs Transistors Haute fréquence Sécurité logique Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=9725 Semiconducteurs : transistors [texte imprime] / Marcel Mounic . - Paris : Foucher, 1970 . - 238 p. : ill. ; 22 cm.
Langues : Français
Mots-clés : Semi-conducteurs Transistors Haute fréquence Sécurité logique Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=9725 Réservation
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Titre : Transistors. fascicule 1 : problèmes avec solutions Type de document : texte imprime Auteurs : Marcel Mounic Editeur : Paris : Ed. Foucher Année de publication : 1969 Importance : 140 p. Présentation : ill. Format : 18 cm Langues : Français Mots-clés : Transistors Condensateur Commutation Index. décimale : 621.381 Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=10588 Transistors. fascicule 1 : problèmes avec solutions [texte imprime] / Marcel Mounic . - Paris : Ed. Foucher, 1969 . - 140 p. : ill. ; 18 cm.
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Titre : Composants à semiconducteurs : de la physique du solide aux transistors Type de document : texte imprime Auteurs : Olivier Bonnaund Editeur : Paris : Ellipses Année de publication : DL 2006, cop. 2006 Importance : (VIII-241 p.) Présentation : ill. Format : 26 cm. ISBN/ISSN/EAN : 2-7298-2804-2 Note générale :
Niveau C : Compléments (approfondissement, spécialisation), Ecoles d'ingénieurs, Master. - Autre(s) tirage(s) : 2010. - Ecoles d'ingénieurs, Master
Bibliogr. p. [239]-241. IndexLangues : Français Mots-clés : Semi conducteurs Microélectronique Physique de l'état solide Transistors Index. décimale : 621.381 3 Résumé :
"Cours de base à Supélec, l'ouvrage enrichira les connaissances de tout étudiant, ingénieur ou enseignant en EEA, en expliquant clairement les principes et le fonctionnement des composants microélectroniques, qui sont les "briques" constituantes des circuits intégrés et des cartes de tous les systèmes électroniques. Dans une première partie orientée "physique du solide" et focalisée sur les matériaux semi conducteurs, il expose les mécanismes de base de la conduction. Puis, dans une seconde partie orientés "dispositifs", il décrit et explique le fonctionnement des principaux composants élémentaires de la microélectronique : diodes, transistors bipolaires, transistors MOS et é effet de champ à jonction... L'approche proposée se démarque des ouvrages classiques, en débutant par une sensibilisation aux phénomènes physiques avant d'en établir le formalisme. De nombreux exemples, exercices et problèmes corrigés confortent l'aspect pratique de l'ouvrage." (source : 4ème de couverture)
Note de contenu :
Chapitre I- Éléments de cristallographie
1. Introduction aux réseaux cristallins
2. Réseaux cristallins
3. Réseau réciproque
4. Zone de Brillouin
5. Diffraction dans un cristal
6. Représentation du cristal de solicium
Chapitre II- Electrons dans un cristal
1. Potentiel d'un électron dans un cristal
2. Modèle de l'électron libre dans un cristal. Modèle de Sommerfeld
3. Modèle de l'électron quasi-libre dans un cristal
4. Conclusion sur les diagrammes d'énergie
Chapitre III- Notions de statistique, systèmes de particules
1. Pression et énergie d'une molécule dans un gaz parfait
2. Distribution d'énergie des molécules dans un gaz parfait
3. Distribution de Maxwell
4. Fonctions de distribution de Fermi-Dirac
Chapitre IV- Introduction à la physique du semi conducteur
1. Bandes d'énergie
2. Porteurs de charge
3. Semi conducteur extrinsèque
Génération - recombinaison - durée de vie des porteurs
Chapitre V- Phénomènes de transport
1. Conductivité - dérive dans un champs électrique
2. Diffusion des porteurs
3. Densités d ecourant totales dans un semiconducteur
4. Relation d'Einstein
5. Equations de continuité
6. Equation de Poisson
7. Densités de courant généralisées
8. Piézo-résistance et piézo-électricité
9. Effet Hall
10.Conclusion
Chapitre VI- Jonction pn - diodes à jonction
1. Constitution
2. Étude de la jonction pn à l'équilibre thermodynamique
3. Etude de la jonction pn polarisée
4. Jonctions appliquées aux diodes
Chapitre VII- Le transistor bipolaire
1. Constitution
2. Principe de fonctionnement
3. Effets des recombinaisons
4. Autres effets et limites physiques principales
5. Schémas équivalents électriques du transistor
6. Conclusion
Chapitre VIII- Le transistor à effet de champ à grille isolée - transistor MOS
1. Constitution
2. Principe de fonctionnement
3. Analyse physique de la structure métal oxyde semiconduteur idéale
4. Caractéristique de transistor MOS idéal
5. Schémas équivalents électriques du MOS
5. Défauts cristallins et de surface
Chapitre IX- Le transistor à effet de champ à jonction : transistors JFET
1. COnstitution
2. Symboles
3. Principe de fonctionnement
4. Modélisation simplifiée de la structure
5. Schémas équivalents
6. Conclusion
Chapitre X- La diode métal-semiconducteur : diode Schottky
1. Constitution
2. Diagrammes des bandes d'énergie
3. Etude du contact Schottky : zone de charge d'espace
4. Effet d'abaissement de barrière : effet Schottky
5. Transport à travers la jonction
6. ConclusionPermalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=10349 Composants à semiconducteurs : de la physique du solide aux transistors [texte imprime] / Olivier Bonnaund . - Paris : Ellipses, DL 2006, cop. 2006 . - (VIII-241 p.) : ill. ; 26 cm.
ISSN : 2-7298-2804-2
Niveau C : Compléments (approfondissement, spécialisation), Ecoles d'ingénieurs, Master. - Autre(s) tirage(s) : 2010. - Ecoles d'ingénieurs, Master
Bibliogr. p. [239]-241. Index
Langues : Français
Mots-clés : Semi conducteurs Microélectronique Physique de l'état solide Transistors Index. décimale : 621.381 3 Résumé :
"Cours de base à Supélec, l'ouvrage enrichira les connaissances de tout étudiant, ingénieur ou enseignant en EEA, en expliquant clairement les principes et le fonctionnement des composants microélectroniques, qui sont les "briques" constituantes des circuits intégrés et des cartes de tous les systèmes électroniques. Dans une première partie orientée "physique du solide" et focalisée sur les matériaux semi conducteurs, il expose les mécanismes de base de la conduction. Puis, dans une seconde partie orientés "dispositifs", il décrit et explique le fonctionnement des principaux composants élémentaires de la microélectronique : diodes, transistors bipolaires, transistors MOS et é effet de champ à jonction... L'approche proposée se démarque des ouvrages classiques, en débutant par une sensibilisation aux phénomènes physiques avant d'en établir le formalisme. De nombreux exemples, exercices et problèmes corrigés confortent l'aspect pratique de l'ouvrage." (source : 4ème de couverture)
Note de contenu :
Chapitre I- Éléments de cristallographie
1. Introduction aux réseaux cristallins
2. Réseaux cristallins
3. Réseau réciproque
4. Zone de Brillouin
5. Diffraction dans un cristal
6. Représentation du cristal de solicium
Chapitre II- Electrons dans un cristal
1. Potentiel d'un électron dans un cristal
2. Modèle de l'électron libre dans un cristal. Modèle de Sommerfeld
3. Modèle de l'électron quasi-libre dans un cristal
4. Conclusion sur les diagrammes d'énergie
Chapitre III- Notions de statistique, systèmes de particules
1. Pression et énergie d'une molécule dans un gaz parfait
2. Distribution d'énergie des molécules dans un gaz parfait
3. Distribution de Maxwell
4. Fonctions de distribution de Fermi-Dirac
Chapitre IV- Introduction à la physique du semi conducteur
1. Bandes d'énergie
2. Porteurs de charge
3. Semi conducteur extrinsèque
Génération - recombinaison - durée de vie des porteurs
Chapitre V- Phénomènes de transport
1. Conductivité - dérive dans un champs électrique
2. Diffusion des porteurs
3. Densités d ecourant totales dans un semiconducteur
4. Relation d'Einstein
5. Equations de continuité
6. Equation de Poisson
7. Densités de courant généralisées
8. Piézo-résistance et piézo-électricité
9. Effet Hall
10.Conclusion
Chapitre VI- Jonction pn - diodes à jonction
1. Constitution
2. Étude de la jonction pn à l'équilibre thermodynamique
3. Etude de la jonction pn polarisée
4. Jonctions appliquées aux diodes
Chapitre VII- Le transistor bipolaire
1. Constitution
2. Principe de fonctionnement
3. Effets des recombinaisons
4. Autres effets et limites physiques principales
5. Schémas équivalents électriques du transistor
6. Conclusion
Chapitre VIII- Le transistor à effet de champ à grille isolée - transistor MOS
1. Constitution
2. Principe de fonctionnement
3. Analyse physique de la structure métal oxyde semiconduteur idéale
4. Caractéristique de transistor MOS idéal
5. Schémas équivalents électriques du MOS
5. Défauts cristallins et de surface
Chapitre IX- Le transistor à effet de champ à jonction : transistors JFET
1. COnstitution
2. Symboles
3. Principe de fonctionnement
4. Modélisation simplifiée de la structure
5. Schémas équivalents
6. Conclusion
Chapitre X- La diode métal-semiconducteur : diode Schottky
1. Constitution
2. Diagrammes des bandes d'énergie
3. Etude du contact Schottky : zone de charge d'espace
4. Effet d'abaissement de barrière : effet Schottky
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Titre : Diodes et transistors utilisés en commutation Type de document : texte imprime Auteurs : R. Lyon - Caen Editeur : Paris : Masson Année de publication : 1985 Importance : V-X - 329 p. Présentation : ill. Format : 24 cm Langues : Français Mots-clés : Diodes Transistors Commutations Cristaux Semi-conducteurs Enérgie Jonction Index. décimale : 621.381 Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=10940 Diodes et transistors utilisés en commutation [texte imprime] / R. Lyon - Caen . - Paris : Masson, 1985 . - V-X - 329 p. : ill. ; 24 cm.
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Mots-clés : Diodes Transistors Commutations Cristaux Semi-conducteurs Enérgie Jonction Index. décimale : 621.381 Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=10940 Réservation
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