Etude en fiabilité du transistor MOS SOI
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Date
2014
Authors
Journal Title
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Volume Title
Publisher
Université Mouloud Mammeri
Abstract
La fiabilité des transistors est devenue une des préoccupations principales des fabricants de circuits intégrés. La réduction des dimensions de ces transistors fait apparaitre des effets néfastes au bon fonctionnement des composants électroniques. L’objectif de ce travail est de réaliser une étude en fiabilité du transistor MOS SOI, cependant une caractérisation à été faite afin de prouver la dégradation des paramètres, ce qui implique une augmentation de la défaillance et la réduction de la durée de vie. Mots-clés
Description
71 f. : ill. ; 30 cm. (+ CD-Rom)
Keywords
Fiabilité, Transistor MOS, Oxyde, Dégradation, SOI
Citation
Génie Microélectronique