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Le Poly Vinyl Phenol (PVP) et l’oxyde de silicium (SiO2) comme isolants de grille pour des transistors organiques à effet de champ

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PDF (4.283Mb)
Date
2017
Author
Zaid Tassadit
Rebah Ouardia
Metadata
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Abstract
Le but de ce mémoire est d'étudier les propriétés électriques des structures de transistors à effet de champ avec deux polymères isolants différents, à savoir poly4, vinylphénol (PVP) et oxyde de silicium (SiO2). Dans ces études, la couche active organique est toujours la même qu'elle est constituée de pentacène. Le PVP est un matériau organique à faible teneur en k déposé par revêtement par centrifugation. Des différences significatives en termes de mobilité et de courant de fuite sont observées avec les deux diélectriques. La mobilité est presque 10 fois supérieure avec SiO2 qu'avec PVP. Il en est de même avec les fuites actuelles 1000 fois plus petites avec SiO2. Dans le premier chapitre on a abordé les généralités sur les transistors MOSFETs, le deuxième chapitre nous avons étudiés les propriétés électriques et physiques des matériaux organiques et simplifier la notion des polymères isolants, semi-conducteurs et conducteurs, aussi, nous avons donnés une définition d’un transistor organique à effet de champ qui sera le thème de ce travail ,et pour le troisième chapitre on a étudiés les différents types de transistors organiques ainsi que les différentes étapes de leurs fabrications et cités aussi les techniques de dépôt des différentes couches qui constitue un transistor organique.
URI
https://www.ummto.dz/dspace/handle/ummto/6597
Collections
  • Département d'Electronique [560]

  • Université Mouloud MAMMERI T-O
Adresse Universite Mouloud MAMMERI Tizi-Ouzou 15000 Algerie
 

 


  • Université Mouloud MAMMERI T-O
Adresse Universite Mouloud MAMMERI Tizi-Ouzou 15000 Algerie