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dc.contributor.authorBaghdadi Farida
dc.contributor.otherBenfdila Arezki
dc.date.accessioned2019-11-12T12:57:58Z
dc.date.available2019-11-12T12:57:58Z
dc.date.issued2016
dc.identifier.citationGénie Microélectronique
dc.identifier.otherMAST.AUTO.28-16en
dc.identifier.urihttps://www.ummto.dz/dspace/handle/ummto/7327
dc.description62 f. : ill. ; 30 cm. (+ CD-Rom)en
dc.description.abstractL’industrie de la microélectronique recherche toujours à répondre aux besoins de marché, qui demande des composant de plus en plus performant, en terme de leur vitesse, d’économie d’énergie…..l’un des éléments clés pour réaliser cette innovation est de pouvoirfabriquer des transistors réponds a ces besoins. Dans le secteur de la microélectronique, environ 95% des composants électronique sont basés sur le silicium. L’évolution de la technologie est basée sur la loi de Moore, en se basant sur des lois d’échelle, les dimensions des composants sont sans cesse réduites pour améliorer les performances. Il est évident qu’on ne peut pas miniaturiser des composants à l’infini. Pour franchir cette limite, des études explorent de nouvelles architecteur de composants de nouveaux concepts ou mode de fonctionnement, de nouveaux matériaux. Parmi les matériaux potentiels, les perspectives ouverts par l’électronique de carbone. Le graphène apparait comme un matériau très prometteur pour de nombreuse application technologique. Sa grand conductivité électrique pourrait être exploitée dans la fabrication de futurs dispositifs nanoélectronique comme les transistors à effet de champ à haut vitesse qui remplacerait l’actuelle technologie du silicium qui arrive à ses limites physique en termes de réduction en taille, de courant de fuit et de dissipation thermique. Les transistors à base de graphène pâtissent de la nature semi-métallique de ce dernier,qui conduit à des courants de fuit élevé, pour y palier ; il est nécessaire de créer une bande interdite dans la structure électronique du graphène afin de le rendre semi-conducteur, cette bande interdit peut être obtenue par la fabrication des nano rubans, le dopage ou l’utilisation de certain bicouche de graphène.en
dc.language.isofren
dc.publisherUniversité Mouloud Mammerien
dc.subjectGrFETen
dc.subjectCNFETen
dc.subjectGraphéneen
dc.subjectOSFET.en
dc.titleEtude de graphène et de GrFETen
dc.typeThesisen


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