Technologie et integration en semi conducteurs III-V

Abstract

Le résume de ce mini-projet s'inscrit dans le cadre d'une étude sur l'intégration sur silicium. L'intérêt est de maîtriser l'épitaxie d'oxydes sur silicium, qui serait une brique technologique essentielle pour pouvoir développer des filières d'intégration des semi-conducteurs III-V, principalement le GaAs (arséniure de gallium) et consiste également à étudie la fabrication, dépôt et lithographie de ces matériaux composés de la colonne III (bore , gallium , aluminium , indium...etc. ) et de la colonne V ( arsénié , antimoine , phosphore ... etc. ) du tableaux périodique. Enfin, on termine ce mini projet avec une conclusion générale et perspective.