A partir de cette page vous pouvez :
author
| Retourner au premier écran avec les étagères virtuelles... |
Détail de l'auteur
Auteur Boniface Philippe.Breton Vincent |
Documents disponibles écrits par cet auteur
Ajouter le résultat dans votre panier Faire une suggestion Affiner la recherche Interroger des sources externesOptoélectronique appliquée / Yannick Deshayes (impr. 2014, cop. 2014)
Titre : Optoélectronique appliquée : mesures, instruments, modèles Type de document : texte imprime Auteurs : Yannick Deshayes ; Boniface Philippe.Breton Vincent Editeur : Paris : Ellipses Année de publication : impr. 2014, cop. 2014 Collection : Technosup (Paris), ISSN 1275-3955 Importance : 277 p. Présentation : ill., couv. ill. Format : 26 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-2-340-00127-5 Note générale :
Avant titre : "Optronique". - Master, écoles d'ingénieurs, recherche
Bibliogr. p. [281]. IndexLangues : Français Mots-clés : Optronique :optoélectronique appliquée mesures instruments modèles Résumé :
L’ouvrage développe la mise en oeuvre des mesures des caractéristiques électriques et optiques des composants optoélectroniques, depuis la réalisation des appareils de mesure jusqu’à l’obtention des résultats.
Le coeur du livre est le chapitre 4 qui détaille les différentes mesures et analyse les résultats.
Il précise également les démarches nécessaires pour vérifier le bienfondé des mesures ainsi que les limites des modèles pour une approche numérique.
Préalablement, le chapitre 1 développe les différentes technologies des diodes électroluminescentes et les procédés de fabrications. Les chapitres 2 et 3 présentent les différents modèles de base, électriques puis optiques. On décrit également les différents appareils nécessaires à la mesure et à l’établissement d’une caractéristique courant-tension, puissance optique courant et spectre optique.
Enfin, le chapitre 5 revient sur la physique du solide pour en extraire les modèles présentées dans les chapitres précédents. Ce chapitre, plus théorique, présente des difficultés élevées pour les non initiés à la mécanique quantique.
Les différents modèles sont présentés de manière pédagogique suivant une difficulté croissante et certains résultats portent sur les nouvelles technologies type GaN.
Note de contenu :
Chapitre 1 - Les dispositifs optoélectroniques à DELs
Chapitre 2 - Caractéristiques électriques des structures élémentaires
Chapitre 3 - Caractéristiques optiques des structures élémentaires
Chapitre 4 - Mesures électro-optiques et analyses de DELs
Chapitre 5 - Physique pour l'optoélectroniqueEn ligne : http://www.editions-ellipses.fr/PDF/9782340001275_extrait.pdf Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=10491 Optoélectronique appliquée : mesures, instruments, modèles [texte imprime] / Yannick Deshayes ; Boniface Philippe.Breton Vincent . - Paris : Ellipses, impr. 2014, cop. 2014 . - 277 p. : ill., couv. ill. ; 26 cm. - (Technosup (Paris), ISSN 1275-3955) .
ISBN : 978-2-340-00127-5
Avant titre : "Optronique". - Master, écoles d'ingénieurs, recherche
Bibliogr. p. [281]. Index
Langues : Français
Mots-clés : Optronique :optoélectronique appliquée mesures instruments modèles Résumé :
L’ouvrage développe la mise en oeuvre des mesures des caractéristiques électriques et optiques des composants optoélectroniques, depuis la réalisation des appareils de mesure jusqu’à l’obtention des résultats.
Le coeur du livre est le chapitre 4 qui détaille les différentes mesures et analyse les résultats.
Il précise également les démarches nécessaires pour vérifier le bienfondé des mesures ainsi que les limites des modèles pour une approche numérique.
Préalablement, le chapitre 1 développe les différentes technologies des diodes électroluminescentes et les procédés de fabrications. Les chapitres 2 et 3 présentent les différents modèles de base, électriques puis optiques. On décrit également les différents appareils nécessaires à la mesure et à l’établissement d’une caractéristique courant-tension, puissance optique courant et spectre optique.
Enfin, le chapitre 5 revient sur la physique du solide pour en extraire les modèles présentées dans les chapitres précédents. Ce chapitre, plus théorique, présente des difficultés élevées pour les non initiés à la mécanique quantique.
Les différents modèles sont présentés de manière pédagogique suivant une difficulté croissante et certains résultats portent sur les nouvelles technologies type GaN.
Note de contenu :
Chapitre 1 - Les dispositifs optoélectroniques à DELs
Chapitre 2 - Caractéristiques électriques des structures élémentaires
Chapitre 3 - Caractéristiques optiques des structures élémentaires
Chapitre 4 - Mesures électro-optiques et analyses de DELs
Chapitre 5 - Physique pour l'optoélectroniqueEn ligne : http://www.editions-ellipses.fr/PDF/9782340001275_extrait.pdf Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=10491 Réservation
Réserver ce document
Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité CI523/1 CI523 Livre Magasin d'Ouvrages / FGE Communication instrumentation Consultation sur place
Exclu du prêtCI523/2 CI523 Livre Magasin d'Ouvrages / FGE Communication instrumentation Disponible CI523/3 CI523 Livre Magasin d'Ouvrages / FGE Communication instrumentation Disponible CI523/4 CI523 Livre Magasin d'Ouvrages / FGE Communication instrumentation Disponible CI523/5 CI523 Livre Magasin d'Ouvrages / FGE Communication instrumentation Disponible CI523/6 CI523 Livre Magasin d'Ouvrages / FGE Communication instrumentation Disponible CI523/7 CI523 Livre Magasin d'Ouvrages / FGE Communication instrumentation Disponible CI523/8 CI523 Livre Magasin d'Ouvrages / FGE Communication instrumentation Disponible CI523/9 CI523 Livre Magasin d'Ouvrages / FGE Communication instrumentation Disponible CI523/10 CI523 Livre Magasin d'Ouvrages / FGE Communication instrumentation Disponible CI523/11 CI523 Livre Magasin d'Ouvrages / FGE Communication instrumentation Disponible CI523/12 CI523 Livre Magasin d'Ouvrages / FGE Communication instrumentation Disponible Aucun avis, veuillez vous identifier pour ajouter le vôtre !
Titre : Technologie microélectronique : du silicium aux circuits intégrés Type de document : texte imprime Auteurs : Olivier Bonnaud ; Boniface Philippe.Breton Vincent Editeur : Paris : Ellipses Année de publication : DL 2008 Collection : Technosup (Paris), ISSN 1275-3955 Importance : 277 p. Présentation : ill. Format : 26 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7298-3866-9 Note générale : Bibliogr. p. 149-150. Index Langues : Français Mots-clés : Microélectronique MOS (électronique) Photolithographie Semiconducteurs Index. décimale : 621.381 Résumé : L'ouvrage : niveau C (Master, Écoles d’ingénieurs)
Cours de base à Supélec, l’ouvrage traite de la technologie des composants à semiconducteur pour expliquer les étapes et les principes de fabrication de ces briques des microsystèmes électroniques.
Il comporte :
• une présentation des différentes étapes technologiques de fabrication en insistant sur les points spécifiques et les modélisations utilisées,
• une description des séquences d’étapes pour la fabrication des principaux composants élémentaires (diodes, différents transistors…),
• un aperçu sur l’évolution des plus récentes technologies (incluant l’électronique grande surface) ainsi que des perspectives pour les années 2010-2020.
L’approche proposée se démarque des ouvrages classiques, en débutant par une sensibilisation aux phénomènes physiques avant d’en établir éventuellement leur formalisme et en faisant régulièrement référence aux applications (composants, circuits, dispositifs, systèmes).
Note de contenu : I, Introduction à la technologie
II, Obtention du silicium de qualité microélectronique
III, Fabrication des plaquettes de silicium
Chapitres V à X : Étapes technologiques : l'épitaxie, la diffusion, l'implantation ionique, l'oxydation, les dépôts, la gravure, la photolithogravure
Chapitres XI et XII, Procédés de fabrication : diodes et transistors bipolaires, transistors MOS
XIII, Amélioration des procédés technologiques
XIV, Historique et évolution des technologies
XV, Microélectronique grande surfaceEn ligne : http://www.editions-ellipses.fr/PDF/9782729838669_extrait.pdf Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=11033 Technologie microélectronique : du silicium aux circuits intégrés [texte imprime] / Olivier Bonnaud ; Boniface Philippe.Breton Vincent . - Paris : Ellipses, DL 2008 . - 277 p. : ill. ; 26 cm. - (Technosup (Paris), ISSN 1275-3955) .
ISBN : 978-2-7298-3866-9
Bibliogr. p. 149-150. Index
Langues : Français
Mots-clés : Microélectronique MOS (électronique) Photolithographie Semiconducteurs Index. décimale : 621.381 Résumé : L'ouvrage : niveau C (Master, Écoles d’ingénieurs)
Cours de base à Supélec, l’ouvrage traite de la technologie des composants à semiconducteur pour expliquer les étapes et les principes de fabrication de ces briques des microsystèmes électroniques.
Il comporte :
• une présentation des différentes étapes technologiques de fabrication en insistant sur les points spécifiques et les modélisations utilisées,
• une description des séquences d’étapes pour la fabrication des principaux composants élémentaires (diodes, différents transistors…),
• un aperçu sur l’évolution des plus récentes technologies (incluant l’électronique grande surface) ainsi que des perspectives pour les années 2010-2020.
L’approche proposée se démarque des ouvrages classiques, en débutant par une sensibilisation aux phénomènes physiques avant d’en établir éventuellement leur formalisme et en faisant régulièrement référence aux applications (composants, circuits, dispositifs, systèmes).
Note de contenu : I, Introduction à la technologie
II, Obtention du silicium de qualité microélectronique
III, Fabrication des plaquettes de silicium
Chapitres V à X : Étapes technologiques : l'épitaxie, la diffusion, l'implantation ionique, l'oxydation, les dépôts, la gravure, la photolithogravure
Chapitres XI et XII, Procédés de fabrication : diodes et transistors bipolaires, transistors MOS
XIII, Amélioration des procédés technologiques
XIV, Historique et évolution des technologies
XV, Microélectronique grande surfaceEn ligne : http://www.editions-ellipses.fr/PDF/9782729838669_extrait.pdf Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=11033 Réservation
Réserver ce document
Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité EG371/1 EG371 Livre Magasin d'Ouvrages / FGE Electronique générale Consultation sur place
Exclu du prêtEG371/2 EG371 Livre Magasin d'Ouvrages / FGE Electronique générale Disponible EG371/3 EG371 Livre Magasin d'Ouvrages / FGE Electronique générale Disponible EG371/4 EG371 Livre Magasin d'Ouvrages / FGE Electronique générale Disponible EG371/5 EG371 Livre Magasin d'Ouvrages / FGE Electronique générale Disponible Les abonnés qui ont emprunté ce document ont également emprunté :
Modélisation des caractéristiques statiques courant - tension des structures métal- oxyde -semiconducteur 5MOS) Boumedine, Fazia Physique des semiconducteurs et des composants électroniques Mathieu, Henry Dimensionnement et planification d’un réseau 4G/LTE Saad, Tassadit Chimie en microélectronique Le Tiec, Yannick Etude et dimensionnement d'un système photovoltaique Djouadi, Yacine Extraction de paramétres de transistors MOSFET par la méthode i (V) Kasmi, Fatma Aucun avis, veuillez vous identifier pour ajouter le vôtre !
