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| Titre : | Composants à semi-conducteur pour l'électronique de puissance | | Type de document : | texte imprime | | Auteurs : | Lefebvre, Stéphane, Auteur ; Miserey, Francis, Auteur | | Editeur : | Tec & Doc-Lavoisier | | Année de publication : | impr. 2004 | | Importance : | (XVIII-428 p.) | | Présentation : | ill., couv. ill. | | Format : | 24 cm | | ISBN/ISSN/EAN : | 978-2-7430-0719-5 | | Note générale : | Le livre porte par erreur l'ISSN 0243-5624 correspondant à la collection Sciences et techniques agro-alimentaires de Tec et Doc
Bibliogr. p. [415]-421. Index | | Langues : | Français | | Mots-clés : | Électronique de puissance Semiconducteurs Semiconducteurs de puissance | | Index. décimale : | 621.381 | | Résumé : | L'électronique envahissant toutes les branches de l'industrie moderne, les composants à semi-conducteur sont devenus le quotidien des ingénieurs et techniciens. Connaître leurs comportements pour savoir les utiliser au mieux de leurs capacités est donc devenu une nécessité. Privilégiant une approche à la fois transversale et pratique, chaque chapitre se propose d'étudier les mécanismes en jeu quel que soit le composant : répondre aux exigences de tenue en tension, évaluer la rapidité ou limiter les pertes sont autant de situations rencontrées au quotidien par les utilisateurs de composants à semi-conducteur qui trouveront ici leurs explications. De nombreux schémas et tableaux synoptiques complètent les démonstrations. Ce livre s'adresse aux ingénieurs et techniciens qui souhaitent disposer d'un ouvrage de référence pour accompagner leurs développements. Il concerne également les étudiants en génie électrique, électronique, électrotechnique et automatique (université, IUT, BTS et écoles d'ingénieurs) qui trouveront là les connaissances théoriques et techniques nécessaires à la maîtrise de ces composants. | | Note de contenu : | Introduction
1. Classification des interrupteurs
2. Éléments sur le fonctionnement des principaux composants de puissance
3. Structure des principaux composants
4. Exemple d'utilisation de composants à semi-conducteur en électronique de puissance: le hacheur série
Chapitre 1 Tenue en tension
1. Jonction P+N- sous polarisation inverse
2. Claquage de la jonction PN
3. Diode PIN
4. Diode Schottky
5. Super-jonction
6. Transistor bipolaire
7. Transistor MOS de puissance
8. IGBT
9. Thyristors
10. GTO et IGCT
11. Variation de la tension tenue en fonction de la température
12. Tenue en tension periphérique
13. Comparaison des tensions maximales pouvant être tenues par les différents composants
Chapitre 2 Courants directs dans les composants
1. Rappel sur le transport des charges: les deux mécanismes
2. Diode P+I N+ à l'état passant
3. Transistor bipolaire de puissance à l'état conducteur
4. Thyristors à l'état passant
5. Courant circulant dans les transistors à grille isolée
Chapitre 3 Modulation de la résistivité
1. Intérêt de moduler la résistivité
2. Charge stockée, forte injection et neutralité
3. Contrôle de la charge stockée
4. Modulation de la résistivité et charge stockée
5. Injecteurs de trous et d'électrons
6. Structures élémentaires et efficacité de la modulation de la résistivité pour les principaux composants bipolaires
Chapitre 4 Effets bi-dimensionnels
Introduction: les trois dimensions des composants de puissance
1. Claquage à la périphérie des composants
2. Focalisation des lignes de courant dans les transistors bipolaires
3. Extension latérale du plasma à l'amorçage des thyristors
4. Extraction d'un fort courant par l'électrode de commande des GTO et des IGCT
5. Effet bi-dimensionnel dans les thyristors-GTO à l'extinction
6. Largeur du canal et périmètre de source dans les transistors MOS (et les IGBT)
7. Auto-blindage de la grille par perçage latéral dans les transistors MOS de puissance
8. Transistors MOS à tranchée
Chapitre 5 Commutation des composants de puissance
1. Principes généraux concernant la commutation
2. Commutation des composants bipolaires
3. Commutation des transistors à grille isolée
4. Techniques pour améliorer la rapidité de la commutation
5. Rapidité des composants unipolaires
6. Complément sur certains aspects dynamiques
7. Rapidité: comparaison des différents interrupteurs à semi-conducteur
Chapitre 6 Pertes
1. Introduction
2. Analyse simplifiée des pertes pour les composants bipolaires fonctionnant en commutation commandée
3. Particularités des composants à grille isolée
4. Compromis pertes - perturbations
Chapitre 7 Aires de sécurité
Introduction
1. Diodes
2. Transistors bipolaires
3. Thyristors, GTO et IGCT
4. Transistors Mos et IGBT
5. Régimes extrêmes de fonctionnement
Chapitre 8 Circuits d'aide à la commutation et circuits associés
1. Circuits d'aide à la commutation (CALC) et écrêteurs
2. Circuits résonants et quasi-résonants
3. Redressement synchrone
Chapitre 9 Circuits de commande
1. Introduction
2. Commande des transistors bipolaires
3. Commandes des thyristors
4. Commande des thyristors blocables (GTO et IGCT)
5. Circuits de commande pour transistors Mos et IGBT
6. Protections des régimes de court-circuit gérées par les circuits de commande (transistors Mos et IGBT)
Chapitre 10 Notions sur les propriétés thermiques du silicium et la thermique des composants de puissance
Introduction
1. Conduction thermique
2. Régimes transitoires
Chapitre 11 Éléments de technologie du silicium et des composants de puissance
1. Salle blanche
2. Silicium monocristallin
3. Oxydation thermique du silicium
4. Localisation des traitements et attaques: la lithographie
5. Gravure
6. Dopage localisé
7. Matériaux en couches minces
8. Exemples de filières technologiques
9. Étapes finales de la fabrication des composants
Chapitre 12 Intégration des composants de puissance - Semi-conducteurs à grand gap
Introduction
1. Intégration monolithique: les circuits intégrés de puissance
2. Intégration hybride: les modules de puissance
3. Semi-conducteurs à grand gap
Tableau synoptique des composants de puissance à semi-conducteur
Complément 1 Courant électrique dans le silicium
Complément 2 Éléments de physique des composants | | Permalink : | ./index.php?lvl=notice_display&id=11455 |
Composants à semi-conducteur pour l'électronique de puissance [texte imprime] / Lefebvre, Stéphane, Auteur ; Miserey, Francis, Auteur . - Paris ; Londres ; New York : Tec & Doc-Lavoisier, impr. 2004 . - (XVIII-428 p.) : ill., couv. ill. ; 24 cm. ISBN : 978-2-7430-0719-5 Le livre porte par erreur l'ISSN 0243-5624 correspondant à la collection Sciences et techniques agro-alimentaires de Tec et Doc
Bibliogr. p. [415]-421. Index Langues : Français | Mots-clés : | Électronique de puissance Semiconducteurs Semiconducteurs de puissance | | Index. décimale : | 621.381 | | Résumé : | L'électronique envahissant toutes les branches de l'industrie moderne, les composants à semi-conducteur sont devenus le quotidien des ingénieurs et techniciens. Connaître leurs comportements pour savoir les utiliser au mieux de leurs capacités est donc devenu une nécessité. Privilégiant une approche à la fois transversale et pratique, chaque chapitre se propose d'étudier les mécanismes en jeu quel que soit le composant : répondre aux exigences de tenue en tension, évaluer la rapidité ou limiter les pertes sont autant de situations rencontrées au quotidien par les utilisateurs de composants à semi-conducteur qui trouveront ici leurs explications. De nombreux schémas et tableaux synoptiques complètent les démonstrations. Ce livre s'adresse aux ingénieurs et techniciens qui souhaitent disposer d'un ouvrage de référence pour accompagner leurs développements. Il concerne également les étudiants en génie électrique, électronique, électrotechnique et automatique (université, IUT, BTS et écoles d'ingénieurs) qui trouveront là les connaissances théoriques et techniques nécessaires à la maîtrise de ces composants. | | Note de contenu : | Introduction
1. Classification des interrupteurs
2. Éléments sur le fonctionnement des principaux composants de puissance
3. Structure des principaux composants
4. Exemple d'utilisation de composants à semi-conducteur en électronique de puissance: le hacheur série
Chapitre 1 Tenue en tension
1. Jonction P+N- sous polarisation inverse
2. Claquage de la jonction PN
3. Diode PIN
4. Diode Schottky
5. Super-jonction
6. Transistor bipolaire
7. Transistor MOS de puissance
8. IGBT
9. Thyristors
10. GTO et IGCT
11. Variation de la tension tenue en fonction de la température
12. Tenue en tension periphérique
13. Comparaison des tensions maximales pouvant être tenues par les différents composants
Chapitre 2 Courants directs dans les composants
1. Rappel sur le transport des charges: les deux mécanismes
2. Diode P+I N+ à l'état passant
3. Transistor bipolaire de puissance à l'état conducteur
4. Thyristors à l'état passant
5. Courant circulant dans les transistors à grille isolée
Chapitre 3 Modulation de la résistivité
1. Intérêt de moduler la résistivité
2. Charge stockée, forte injection et neutralité
3. Contrôle de la charge stockée
4. Modulation de la résistivité et charge stockée
5. Injecteurs de trous et d'électrons
6. Structures élémentaires et efficacité de la modulation de la résistivité pour les principaux composants bipolaires
Chapitre 4 Effets bi-dimensionnels
Introduction: les trois dimensions des composants de puissance
1. Claquage à la périphérie des composants
2. Focalisation des lignes de courant dans les transistors bipolaires
3. Extension latérale du plasma à l'amorçage des thyristors
4. Extraction d'un fort courant par l'électrode de commande des GTO et des IGCT
5. Effet bi-dimensionnel dans les thyristors-GTO à l'extinction
6. Largeur du canal et périmètre de source dans les transistors MOS (et les IGBT)
7. Auto-blindage de la grille par perçage latéral dans les transistors MOS de puissance
8. Transistors MOS à tranchée
Chapitre 5 Commutation des composants de puissance
1. Principes généraux concernant la commutation
2. Commutation des composants bipolaires
3. Commutation des transistors à grille isolée
4. Techniques pour améliorer la rapidité de la commutation
5. Rapidité des composants unipolaires
6. Complément sur certains aspects dynamiques
7. Rapidité: comparaison des différents interrupteurs à semi-conducteur
Chapitre 6 Pertes
1. Introduction
2. Analyse simplifiée des pertes pour les composants bipolaires fonctionnant en commutation commandée
3. Particularités des composants à grille isolée
4. Compromis pertes - perturbations
Chapitre 7 Aires de sécurité
Introduction
1. Diodes
2. Transistors bipolaires
3. Thyristors, GTO et IGCT
4. Transistors Mos et IGBT
5. Régimes extrêmes de fonctionnement
Chapitre 8 Circuits d'aide à la commutation et circuits associés
1. Circuits d'aide à la commutation (CALC) et écrêteurs
2. Circuits résonants et quasi-résonants
3. Redressement synchrone
Chapitre 9 Circuits de commande
1. Introduction
2. Commande des transistors bipolaires
3. Commandes des thyristors
4. Commande des thyristors blocables (GTO et IGCT)
5. Circuits de commande pour transistors Mos et IGBT
6. Protections des régimes de court-circuit gérées par les circuits de commande (transistors Mos et IGBT)
Chapitre 10 Notions sur les propriétés thermiques du silicium et la thermique des composants de puissance
Introduction
1. Conduction thermique
2. Régimes transitoires
Chapitre 11 Éléments de technologie du silicium et des composants de puissance
1. Salle blanche
2. Silicium monocristallin
3. Oxydation thermique du silicium
4. Localisation des traitements et attaques: la lithographie
5. Gravure
6. Dopage localisé
7. Matériaux en couches minces
8. Exemples de filières technologiques
9. Étapes finales de la fabrication des composants
Chapitre 12 Intégration des composants de puissance - Semi-conducteurs à grand gap
Introduction
1. Intégration monolithique: les circuits intégrés de puissance
2. Intégration hybride: les modules de puissance
3. Semi-conducteurs à grand gap
Tableau synoptique des composants de puissance à semi-conducteur
Complément 1 Courant électrique dans le silicium
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