A partir de cette page vous pouvez :
collection
| Retourner au premier écran avec les étagères virtuelles... |
Détail d'une collection
Traité EGEM, Série électronique et micro-électronique
Editeur :
ISSN :
pas d'ISSN
|
Documents disponibles dans la collection
Ajouter le résultat dans votre panier Faire une suggestion Affiner la recherche Interroger des sources externesComposants semi-conducteurs pour les hyperfréquences / Daniel Pasquet (cop. 2005)
Titre : Composants semi-conducteurs pour les hyperfréquences Type de document : texte imprime Auteurs : Daniel Pasquet Editeur : Paris : Hermès Science publications-Lavoisier Année de publication : cop. 2005 Collection : Traité EGEM, Série électronique et micro-électronique Importance : 412 p. Présentation : ill. Format : 25 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7462-1205-3 Note générale : Bibliogr. en fin de chapitres. Glossaire Langues : Français Mots-clés : Transistors Circuits électroniques Composants électroniques Dispositifs à micro ondes Micro ondes Semi conducteurs Index. décimale : 621.381 3 Résumé : Cet ouvrage vient en complément d'un premier intitulé "Dispositifs hyperfréquences". Il traite des composants semi-conducteurs spécifiquement utilisés pour les hyperfréquences. Ils sont de plus en plus répandus dans les télécommunications mobiles. Bien que les composants classiques sur silicium aient des performances de plus en plus adaptées à ces fréquences, les composants spécifiques, souvent sur des substrats semi-conducteurs composés (III-V ou IV-IV) gardent toujours de l'avance dans la "course" aux fréquences hautes. Cet ouvrage s'adresse aux ingénieurs familiers du silicium qui désirent élargir leurs compétences vers les nouvelles technologies. Il s'adresse également aux étudiants de master ou d'écoles d'ingénieurs désireux d'approfondir leurs connaissances en composants actifs pour les hyperfréquences. Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=9859 Composants semi-conducteurs pour les hyperfréquences [texte imprime] / Daniel Pasquet . - Paris : Hermès Science publications-Lavoisier, cop. 2005 . - 412 p. : ill. ; 25 cm. - (Traité EGEM, Série électronique et micro-électronique) .
ISBN : 978-2-7462-1205-3
Bibliogr. en fin de chapitres. Glossaire
Langues : Français
Mots-clés : Transistors Circuits électroniques Composants électroniques Dispositifs à micro ondes Micro ondes Semi conducteurs Index. décimale : 621.381 3 Résumé : Cet ouvrage vient en complément d'un premier intitulé "Dispositifs hyperfréquences". Il traite des composants semi-conducteurs spécifiquement utilisés pour les hyperfréquences. Ils sont de plus en plus répandus dans les télécommunications mobiles. Bien que les composants classiques sur silicium aient des performances de plus en plus adaptées à ces fréquences, les composants spécifiques, souvent sur des substrats semi-conducteurs composés (III-V ou IV-IV) gardent toujours de l'avance dans la "course" aux fréquences hautes. Cet ouvrage s'adresse aux ingénieurs familiers du silicium qui désirent élargir leurs compétences vers les nouvelles technologies. Il s'adresse également aux étudiants de master ou d'écoles d'ingénieurs désireux d'approfondir leurs connaissances en composants actifs pour les hyperfréquences. Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=9859 Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité CI450/1 CI450 Livre Magasin d'Ouvrages / FGE Communication instrumentation Consultation sur place
Exclu du prêtAucun avis, veuillez vous identifier pour ajouter le vôtre !
Titre : Diélectriques ferroélectriques intégrés sur silicium Type de document : texte imprime Auteurs : Emmanuel Defay, Directeur de publication, rédacteur en chef Editeur : Paris : Hermès Science publications-Lavoisier Année de publication : 2011 Collection : Traité EGEM, Série électronique et micro-électronique Importance : 455 p. Présentation : ill., fig., graph. Format : 24 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7462-2562-6 Note générale :
Notes bibliogr. IndexLangues : Français Mots-clés : Matériaux piézoélectriques Diélectriques Résonateurs électriques Couches minces ferroélectriques Index. décimale : 621.381 Résumé : Ce livre est dédié à l'intégration des matériaux diélectriques ferroélectriques dans la technologie silicium. Il s'agit principalement de matériaux issus de la famille des matériaux pérovskites qui présentent des propriétés électriques remarquables : permittivité diélectrique très élevée, effet mémoire (ferroélectricité), piézoélectricité, électrostriction.
Bien que ces matériaux soient bien maitrisés à l'état de céramique, les couches minces et notamment celles sur le silicium, le sont beaucoup moins. Ces dix dernières années ont vu une progression technologique sans précédent quant à l'intégration de ces matériaux diélectriques sur le silicium et notamment pour les microsystèmes.
Cet ouvrage est ainsi dédié à la description de ces matériaux à travers un traitement thermodynamique particulièrement développé pour le cas des couches minces, les technologies mises en jeu pour arriver à les synthétiser, les caractérisations spécifiques utilisées et finalement, la description de plusieurs réalisations technologies abouties.Note de contenu : Préface.
-Chapitre 1.
L'approche thermodynamique.
-Chapitre 2.
Effet des contraintes sur les couches minces.
-Chapitre 3.
Technologies de dépôts et mise en forme.
-Chapitre 4.
Analyse par diffraction des rayons X de films minces polycristallins.
-Chapitre 5.
Caractérisation physico-chimique et électrique.
- Chapitre 6.
Caractérisation radio-fréquence.
-Chapitre 7.
Courants de fuite dans les condensateurs PZT.
-Chapitre 8.
Capacités intégrées.
-Chapitre 9.
Fiabilité des condensateurs PZT.
-Chapitre 10.
Capacités variables ferroélectriques.
-Chapitre 11.
Mémoires ferroélectriques FRAM : principe, limitations, innovations et applications.
Index.Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=13112 Diélectriques ferroélectriques intégrés sur silicium [texte imprime] / Emmanuel Defay, Directeur de publication, rédacteur en chef . - Paris : Hermès Science publications-Lavoisier, 2011 . - 455 p. : ill., fig., graph. ; 24 cm. - (Traité EGEM, Série électronique et micro-électronique) .
ISBN : 978-2-7462-2562-6
Notes bibliogr. Index
Langues : Français
Mots-clés : Matériaux piézoélectriques Diélectriques Résonateurs électriques Couches minces ferroélectriques Index. décimale : 621.381 Résumé : Ce livre est dédié à l'intégration des matériaux diélectriques ferroélectriques dans la technologie silicium. Il s'agit principalement de matériaux issus de la famille des matériaux pérovskites qui présentent des propriétés électriques remarquables : permittivité diélectrique très élevée, effet mémoire (ferroélectricité), piézoélectricité, électrostriction.
Bien que ces matériaux soient bien maitrisés à l'état de céramique, les couches minces et notamment celles sur le silicium, le sont beaucoup moins. Ces dix dernières années ont vu une progression technologique sans précédent quant à l'intégration de ces matériaux diélectriques sur le silicium et notamment pour les microsystèmes.
Cet ouvrage est ainsi dédié à la description de ces matériaux à travers un traitement thermodynamique particulièrement développé pour le cas des couches minces, les technologies mises en jeu pour arriver à les synthétiser, les caractérisations spécifiques utilisées et finalement, la description de plusieurs réalisations technologies abouties.Note de contenu : Préface.
-Chapitre 1.
L'approche thermodynamique.
-Chapitre 2.
Effet des contraintes sur les couches minces.
-Chapitre 3.
Technologies de dépôts et mise en forme.
-Chapitre 4.
Analyse par diffraction des rayons X de films minces polycristallins.
-Chapitre 5.
Caractérisation physico-chimique et électrique.
- Chapitre 6.
Caractérisation radio-fréquence.
-Chapitre 7.
Courants de fuite dans les condensateurs PZT.
-Chapitre 8.
Capacités intégrées.
-Chapitre 9.
Fiabilité des condensateurs PZT.
-Chapitre 10.
Capacités variables ferroélectriques.
-Chapitre 11.
Mémoires ferroélectriques FRAM : principe, limitations, innovations et applications.
Index.Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=13112 Réservation
Réserver ce document
Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité PH312/1 PH312 Livre Magasin d'Ouvrages / FGE Physique Consultation sur place
Exclu du prêtPH312/2 PH312 Livre Magasin d'Ouvrages / FGE Physique Disponible PH312/3 PH312 Livre Magasin d'Ouvrages / FGE Physique Disponible PH312/4 PH312 Livre Magasin d'Ouvrages / FGE Physique Disponible PH312/5 PH312 Livre Magasin d'Ouvrages / FGE Physique Disponible PH312/6 PH312 Livre Magasin d'Ouvrages / FGE Physique Disponible PH312/7 PH312 Livre Magasin d'Ouvrages / FGE Physique Disponible PH312/8 PH312 Livre Magasin d'Ouvrages / FGE Physique Disponible Aucun avis, veuillez vous identifier pour ajouter le vôtre !
Titre : Modélisation du transistor bipolaire intégré.Tome1, dispositifs au silicium Type de document : texte imprime Auteurs : Philippe Cazenave, Directeur de publication, rédacteur en chef Editeur : Paris : Hermès Science publications-Lavoisier Année de publication : DL 2004, cop. 2004 Collection : Traité EGEM, Série électronique et micro-électronique Importance : 335 p. Présentation : ill. Format : 25 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7462-0987-9 Note générale : Bibliogr. en fin de chapitres. Index Langues : Français Mots-clés : Transistors bipolaires Technologie silicium sur isolant Index. décimale : 621.381 Résumé : Premier dispositif amplificateur "solide" et acteur des débuts de l'électronique intégrée, le transistor bipolaire préside aujourd'hui au développement tant des circuits de radiocommunications et de communications par fibres optiques, que des circuits analogiques linéaires et des circuits mixtes d'acquisition et de conversion de données. Inégalé sur le plan de la rapidité en charge, il est au même titre que le transistor MOS, un composant électronique majeur. Cet ouvrage, dont la lecture requiert une culture générale dans le domaine des semiconducteurs, aborde le transistor bipolaire à la fois sous l'aspect physique en orientant sa présentation vers l'établissement des modèles électriques (basiques et avancés) et sous l'aspect technologique en traitant des structures (standards et évoluées) et de leur optimisation. Axé sur le composant intégré, il exclut les spécificités des transistors bipolaires de puissance. Le volume 1 est consacré au transistor bipolaire au silicium (BJT ou SBT). Il développe les effets fondamentaux et de second ordre qui en régissent le fonctionnement, décrit ses structures et s'attarde sur l'établissement du modèle de Gummel et Poon. Note de contenu : Avant-propos.
Approche fondamentale du transistor bipolaire.
Mécanismes limitatifs dans le transistor bipolaire.
Comportement dynamique du transistor bipolaire.
Modèle de Gummel et Poon.
Intégration des structures bipolaires au silicium.
Index.Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=10783 Modélisation du transistor bipolaire intégré.Tome1, dispositifs au silicium [texte imprime] / Philippe Cazenave, Directeur de publication, rédacteur en chef . - Paris : Hermès Science publications-Lavoisier, DL 2004, cop. 2004 . - 335 p. : ill. ; 25 cm. - (Traité EGEM, Série électronique et micro-électronique) .
ISBN : 978-2-7462-0987-9
Bibliogr. en fin de chapitres. Index
Langues : Français
Mots-clés : Transistors bipolaires Technologie silicium sur isolant Index. décimale : 621.381 Résumé : Premier dispositif amplificateur "solide" et acteur des débuts de l'électronique intégrée, le transistor bipolaire préside aujourd'hui au développement tant des circuits de radiocommunications et de communications par fibres optiques, que des circuits analogiques linéaires et des circuits mixtes d'acquisition et de conversion de données. Inégalé sur le plan de la rapidité en charge, il est au même titre que le transistor MOS, un composant électronique majeur. Cet ouvrage, dont la lecture requiert une culture générale dans le domaine des semiconducteurs, aborde le transistor bipolaire à la fois sous l'aspect physique en orientant sa présentation vers l'établissement des modèles électriques (basiques et avancés) et sous l'aspect technologique en traitant des structures (standards et évoluées) et de leur optimisation. Axé sur le composant intégré, il exclut les spécificités des transistors bipolaires de puissance. Le volume 1 est consacré au transistor bipolaire au silicium (BJT ou SBT). Il développe les effets fondamentaux et de second ordre qui en régissent le fonctionnement, décrit ses structures et s'attarde sur l'établissement du modèle de Gummel et Poon. Note de contenu : Avant-propos.
Approche fondamentale du transistor bipolaire.
Mécanismes limitatifs dans le transistor bipolaire.
Comportement dynamique du transistor bipolaire.
Modèle de Gummel et Poon.
Intégration des structures bipolaires au silicium.
Index.Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=10783 Réservation
Réserver ce document
Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité EG430/T1/1 EG430/T1 Livre Magasin d'Ouvrages / FGE Electronique générale Consultation sur place
Exclu du prêtEG430/T1/2 EG430/T1 Livre Magasin d'Ouvrages / FGE Electronique générale Disponible EG430/T1/3 EG430/T1 Livre Magasin d'Ouvrages / FGE Electronique générale Disponible EG430/T1/4 EG430/T1 Livre Magasin d'Ouvrages / FGE Electronique générale Disponible Aucun avis, veuillez vous identifier pour ajouter le vôtre !
